镇流电阻

作品数：23被引量：23H指数：2
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免镇流电阻的非均匀发射极指间距设计对多指功率双极晶体管射频功率性能的改善
《红外与毫米波学报》2021年第3期329-333,共5页张正 张延华 金冬月 那伟聪 谢红云 
Supported by National Natural Science Foundation of China(61774012,61574010)。
对不添加镇流电阻的非均匀发射极条间距的多发射极条异质结双极晶体管(HBT)的射频功率性能和表面温度分布进行了测量,并与常规采用镇流电阻的多发射极条功率HBT进行了比较。实验结果表明,对具有非均匀发射极条间距的多发射极条HBT,采用U...
关键词：双极晶体管 射频 热稳定性 功率增益 功率附加效率 多指 
改善微波功率器件可靠性的方法被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》2016年第3期29-32,共4页冯彬 潘宏菽 
微波功率器件因其具有体积小、可靠性高等优点而被广泛地运用在了微波通讯系统、遥测系统、雷达、电子对抗和导航等领域。但是,由于硅微波双极功率器件的结比较浅、基区比较窄,因而其击穿电压往往较低,从而对器件的大功率输出和抗烧毁...
关键词：微波 功率晶体管 浅结 镇流电阻 击穿电压 预匹配 
1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管被引量：1
《固体电子学研究与进展》2012年第4期356-360,397,共6页王因生 丁晓明 蒋幼泉 傅义珠 王佃利 王志楠 盛国兴 严德圣 
介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功...
关键词：硅 微波 功率管 镇流电阻 
提高微波功率双极晶体管性能的研究被引量：2
《半导体技术》2011年第6期443-445,共3页王建志 藩宏菽 
通过对硅S波段微波功率双极晶体管的结终端技术实验数据对比和晶体管镇流电阻设计的考虑,提高了微波功率双极器件的击穿电压和电流通过能力及抗烧毁能力。微波器件采用这些技术后,器件的工作频率不但没有降低,反而从原来的S波段的低端(2...
关键词：微波 功率晶体管 浅结 击穿电压 镇流电阻 
能带工程对射频功率SiGe异质结双极晶体管热性能的改善被引量：5
《物理学报》2011年第4期310-315,共6页肖盈 张万荣 金冬月 陈亮 王任卿 谢红云 
国家自然科学基金(批准号:60776051);北京市自然科学基金(批准号:4082007);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015;KM200910005001)资助的课题~~
众所周知,基区"能带工程"可以改善Si1-xGex基区异质结双极晶体管(HBT)的直流、频率和噪声等特性,但"能带工程"对HBT热学特性的影响的研究还很少。本文基于三维热电反馈模型,分析了"能带工程"对射频功率SiGeHBT热性能的影响。考虑到电流...
关键词：SIGEHBT Ge组分 热电反馈 镇流电阻 
射频功率HBT热稳定性分析及镇流电阻优化被引量：1
《北京工业大学学报》2008年第2期141-144,149,共5页金冬月 张万荣 谢红云 沈珮 王扬 
北京市教委科技发展计划资助项目(KM200710005015);国家自然基金科学基金(60776051;60376033);北京市自然科学基金(4082007);北京市优秀跨世纪人才基金(67002013200301);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划资助项目(102(KB)-00856)
为了有效改善射频功率HBT的热不稳定性、消除自加热效应对功率器件电学特性的影响,从热电反馈网络出发,阐述了晶体管热稳定因子S的物理意义.在考虑发射极电流正温度系数、器件能带连续性(△E_v)、重掺杂效应(△E_g)、基极和发射极加入...
关键词：异质结双极晶体管 热稳定 镇流电阻 
浅谈照明级白光LED的驱动与应用
《广告大观（标识版）》2008年第Z1期68-69,共2页
为了保证照明级白光LED不仅能得到良好的应用,而且能获得较高的使用效率,首先是需要使其满足一定的应用条件,其次是需要采用相适应的驱动电路来满足LDE工作的参数配合要求。
关键词：驱动电路 照明 白光 驱动方式 电子开关 脉冲电流 应用条件 应用方式 光功能 镇流电阻 
发射极空气桥InGaP/GaAs HBT的DC和RF特性分析
《电子器件》2007年第1期1-4,共4页申华军 葛霁 杨威 陈延湖 王显泰 刘新宇 吴德馨 
中国科学院重大创新项目资助"新型高频;大功率化合物半导体电子器件研究(KGCX2-SW-10)"
为抑制电流增益崩塌,提高HBT的热稳定性,研制了发射极空气桥互连结构的HBT晶体管,应用ICCAP提取参数建立VBIC模型,结合模型参数对三种不同结构HBT的DC和RF特性进行比较分析.与引线爬坡互连结构相比,发射极空气桥互连结构HBT的热阻得到改...
关键词：InGaP/GaAs发射极空气桥互连 热阻 镇流电阻 
基于热电模型的多发射极功率HBTs非均匀镇流电阻设计
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期439-442,共4页金冬月 张万荣 谢红云 王扬 邱建军 
国家自然科学基金(批准号:60376033)、北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015)、北京市优秀跨世纪人才基金(批准号:67002013200301)及模拟集成电路国家重点实验室基金(批准号:51439010804QT0101)资助项目
在考虑发射结电压随温度的变化和发射极加入镇流电阻的情况下,给出简化的三维热电模型,用以计算功率HBT芯片表面温度分布.分析表明,对于采用均匀发射极镇流电阻设计的功率HBT,芯片中心发射极条温度最高,严重限制了器件的功率处理能力....
关键词：异质结双极晶体管 热电模型 发射极镇流电阻 
射频功率HBT热稳定性的一种新表征方法被引量：4
《电子器件》2006年第4期1168-1171,共4页金冬月 张万荣 谢红云 邱建军 王扬 
国家自然基金科学基金项目资助(60376033);北京市优秀跨世纪人才基金项目资助(67002013200301);模拟集成电路国家重点实验室基金项目;北京市市属市管高等学校人才强教计划;北京市市属市管高等学校中青年骨干教师资助项目
从热电反馈网络角度出发,在考虑到晶体管发射极电流随温度的变化、发射结价带不连续性(ΔEV)、重掺杂禁带变窄(ΔEg)及基极和发射极加入镇流电阻(RB和RE)等情况下,首次较全面地给出了功率晶体管热稳定因子S表达式。用该表达式可以很方...
关键词：异质结双极晶体管 热稳定因子 镇流电阻 
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