肖盈

作品数：10被引量：8H指数：1
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文主题：发射极SIGE_HBTHBT异质结双极晶体管功率更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《北京工业大学学报》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金北京市教委科技发展计划北京市自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
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用于改善多指SiGe HBT热特性的变指间距设计方法研究
《电子器件》2011年第4期374-378,共5页肖盈 张万荣 金冬月 陈亮 王任卿 丁春宝 
国家自然科学基金项目(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目(4082007);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301)
通过引入表示发射指之间热耦合程度的耦合热阻,建立了多指异质结双极晶体管(HBT)热阻模型。基于该模型,得到了耦合热阻与指间距的变化关系,并用于器件指间距的设计。当耦合热阻均匀分布时,所对应的一套非等值的指间距值便是器件温度均...
关键词：SIGE HBT 指间距设计 热阻 热耦合 
发射极指分段与非均匀指间距组合的SiGe HBT设计及热分析
《北京工业大学学报》2011年第5期697-700,共4页陈亮 张万荣 金冬月 谢红云 胡宁 肖盈 王扬 
国家自然科学基金资助项目(60776051;61006044;61006059);北京市自然科学基金资助项目(4082007);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015;KM200910005001);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京人才强教深化计划--服务北京创新人才培养项目(0020005412A001);北京工业大学第一届博士研究生创新计划项目(bcx-2009-012)
为了增强多发射极指S iGe HBT的热稳定性,提出了发射极指分段与非均匀指间距组合的新型器件结构.使用有限元方法对新型结构的S iGe HBT进行热分析,得到了发射极指上的三维温度分布.结果表明,与传统的完整结构及发射极指分段和均匀指间...
关键词：异质结双极晶体管 分段结构 热模拟 
采用发射极非均匀指间距技术改善功率异质结双极晶体管热稳定性的研究被引量：1
《物理学报》2011年第7期794-798,共5页陈亮 张万荣 金冬月 谢红云 肖盈 王任卿 丁春宝 
国家自然科学基金(批准号:60776051;61006059;61006044);北京市自然科学基金(批准号:4082007);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高等学校人才强教计划(批准号:00200054RA001)资助的课题~~
为了提高多发射极功率异质结双极晶体管的热稳定性,本文利用耦合热阻表征发射极指间距变化对发射极指间热耦合作用的影响,得到了耦合热阻与发射极指间距之间的变化关系,提出了发射极非均匀指间距技术.通过热电反馈模型对采用发射极非均...
关键词：异质结双极晶体管 热稳定性分析 发射极 非均匀 间距 技术 功率 耦合作用 
能带工程对射频功率SiGe异质结双极晶体管热性能的改善被引量：5
《物理学报》2011年第4期310-315,共6页肖盈 张万荣 金冬月 陈亮 王任卿 谢红云 
国家自然科学基金(批准号:60776051);北京市自然科学基金(批准号:4082007);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015;KM200910005001)资助的课题~~
众所周知,基区"能带工程"可以改善Si1-xGex基区异质结双极晶体管(HBT)的直流、频率和噪声等特性,但"能带工程"对HBT热学特性的影响的研究还很少。本文基于三维热电反馈模型,分析了"能带工程"对射频功率SiGeHBT热性能的影响。考虑到电流...
关键词：SIGEHBT Ge组分 热电反馈 镇流电阻 
改善不同环境温度下SiGe HBT热稳定性的技术
《半导体技术》2011年第2期101-103,共3页陈亮 张万荣 金冬月 肖盈 王任卿 尤云霞 
国家自然科学基金项目(60776051;61006059;61006044);北京市自然科学基金项目(4082007);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015;KM200910005001);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301)
提出了发射极非均匀指间距技术以增强多发射极指SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性。通过建立热电反馈模型对采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT进行热稳定性分析,得到多发射极指上的温度分布。结果表明,与传统的均匀发射极指间距S...
关键词：异质结双极晶体管 环境温度 热电反馈模型 结温 耗散功率 
基于有限元法对发射极指分段结构的多指SiGe HBT的研究
《电子器件》2010年第6期680-683,共4页王任卿 张万荣 金冬月 陈亮 丁春宝 肖盈 孙博韬 赵昕 
国家自然科学基金项目资助(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目资助(4082007);北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目资助(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目资助(67002013200301)
针对传统多指SiGeHBT发射极指中心区域和器件中心区域温度较高导致热不稳定问题,提出了新型发射极指分段结构来抑制功率SiGeHBT中心区域的自热效应,提高器件温度分布均匀性。利用有限元软件ANSYS对器件进行建模和三维热模拟,研究器件温...
关键词：SIGE HBT 热模拟 分段结构 自热效应 
新型3.1～6GHz高增益超宽带低噪声放大器被引量：1
《北京工业大学学报》2010年第9期1181-1185,共5页沈珮 张万荣 金冬月 谢红云 尤云霞 孙博韬 肖盈 
国家自然科学基金项目(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目(4082007);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015;KM200910005001);北京人才强教深化计划--服务北京创新人才培养项目(0020005412A001);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京工业大学第八届研究生科技基金
在传统的窄带达林顿结构放大器基础上,提出一种新型高增益超宽带达林顿结构低噪声放大器.该放大器采用高频低噪声晶体管,采用电感补偿技术和正实电阻补偿技术,保持了达林顿放大器高增益的优点,而且也取得了低噪声、良好输入输出匹配和...
关键词：低噪声放大器 超宽带 达林顿对 电流增益 
微波功率SiGe HBT研究进展
《微电子学》2006年第5期548-551,共4页张万荣 张蔚 金冬月 谢红云 肖盈 王扬 李佳 沈佩 
国家自然科学基金资助项目(60376033);北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301);模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101);北京市教委项目;北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划资助项目
Si的热导率比大部分化合物半导体(如GaAs)的热导率高,SiGe HBT在一个较宽的温度范围内稳定,SiGe HBT的发射结电压VBE的温度系数dVBE/dT比Si的小,双异质结SiGe HBT本身具有热-电耦合自调能力,所加镇流电阻可以较小,所有这些使SiGe HBT比G...
关键词：SIGE/SI 异质结晶体管 微波功率器件 
多发射极条功率SiGe HBT的热电耦合与优化设计被引量：1
《微电子学》2006年第5期591-594,共4页张万荣 何莉剑 谢红云 杨经伟 金冬月 肖盈 沙永萍 王扬 张蔚 
国家自然科学基金资助项目(60376033);北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301);模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101);北京市教委项目;北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划资助项目
利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的不均匀性,提高晶体管的热稳定性和功率处理能力。
关键词：SIGE/SI 异质结晶体管 热电耦合 
功率SiGe/Si HBT的温度特性被引量：1
《微电子学》2006年第5期611-614,共4页张万荣 王扬 金冬月 谢红云 肖盈 何莉剑 沙永萍 张蔚 
国家自然科学基金资助项目(60376033);北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301);模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101);北京市教委项目;北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划资助项目
测量了Si／SiGeHBT在23-260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性，以及Early电压U的变化情况。结果表明，随电流和温度的增加，β减少，％随温度的变化率dVBE／dT小于同质...
关键词：SIGE/SI 异质结晶体管 温度特性 
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