多发射极条功率SiGe HBT的热电耦合与优化设计  

Electrical-Thermal Couple and Optimization Design of Power Si/SiGe HBT's with Multi-Finger Emitter Stripes

作　　者：张万荣 何莉剑[1] 谢红云[1] 杨经伟[1] 金冬月[1] 肖盈[1] 沙永萍[1] 王扬[1] 张蔚[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022

出　　处：《微电子学》2006年第5期591-594,共4页Microelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60376033);北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301);模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101);北京市教委项目;北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划资助项目

摘　　要：利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的不均匀性,提高晶体管的热稳定性和功率处理能力。Electrical-thermal couple effect of multi-emitter microwave power SiGe HBT is numerically studied using self-consistency iterative method. The calculated results indicate that the nonuniform distribution of junction temperature can be greatly improved by changing the length or the space width of emitter fingers. At the same time, the power-handling capability and the thermal stability of SiGe HBT can also be increased.

关 键 词：SIGE/SI 异质结晶体管 热电耦合 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]