云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- SIGE/SI

SIGE/SI: 作品数：90被引量：96H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：成步文陈建新高勇沈光地马丽更多>>; 相关机构：中国科学院北京工业大学西安理工大学复旦大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>

先进氢化工艺在SiGe/Si太阳能电池上的应用: 《江西科学》2024年第6期1237-1241,共5页雷阜锟; 晶格失配是单晶硅与Ⅲ-Ⅴ/Si叠层太阳能电池的一个重要问题,因为原子大小的差异,在界面上会产生孤岛和错配位错等缺陷。加入一个Si_(1-X)Ge_(X)缓冲层可以使衔接的原子从Si变为Ge,从而有效缓解该问题。然而,即便加入Si_(1-X)Ge_(X)缓冲...; 关键词：锗氢激光加工钝化叠层

Multiple SiGe/Si layers epitaxy and SiGe selective etching for vertically stacked DRAM: 《Journal of Semiconductors》2023年第12期133-140,共8页Zhenzhen Kong Hongxiao Lin Hailing Wang Yanpeng Song Junjie Li Xiaomeng Liu Anyan Du Yuanhao Miao Yiwen Zhang Yuhui Ren Chen Li Jiahan Yu Jinbiao Liu Jingxiong Liu Qinzhu Zhang Jianfeng Gao Huihui Li Xiangsheng Wang Junfeng Li Henry HRadamson Chao Zhao Tianchun Ye Guilei Wang; supported in part by the Strategic Priority Research Program of the Chinese Academy of Sciences (Project ID.XDA0330300);in part by Innovation Program for Quantum Science and Technology (Project ID.2021ZD0302301);in part by the Youth Innovation Promotion Association of CAS (Project ID.2020037)。; Fifteen periods of Si/Si_(0.7)Ge_(0.3)multilayers(MLs)with various Si Ge thicknesses are grown on a 200 mm Si substrate using reduced pressure chemical vapor deposition(RPCVD).Several methods were utilized to characte...; 关键词：RPCVD EPITAXY SiGe/Si multilayers L-GAAFETs VS-DRAM

SiGe/Si异质结PIN顶注入电光调制器的数值分析: 《西安工业大学学报》2022年第4期408-413,共6页冯露露冯松胡祥建王迪陈梦林; 国家重点研发计划项目(2018YFB2200500);国家自然科学基金项目(61204080);国家重点实验室基金项目(SKL201804);陕西省重点研发计划项目(2022GY-012,2020KW-011);西安市科技计划项目(2020KJRC0026)。; 针对电光调制器的调制效率低造成调制器的驱动电压较高的问题。文中基于等离子色散效应理论,利用计算机辅助设计模拟方法,设计了一种SiGe/Si异质结PIN顶注入硅基电光调制器,分析了不同结构尺寸、掺杂浓度下折射率变化、吸收系数变化和...; 关键词：电光调制器硅基调制器等离子体色散效应 SIGE/SI异质结

多周期SiGe/Si异质纳米结构薄膜的制备研究: 《科技创新与应用》2021年第7期80-82,共3页周笔; 福建省科技厅自然科学基金项目(编号:2018J01420)。; 文章采用了化学气相沉积与阳极腐蚀结合的方法,成功制备了多层SiGe/Si异质纳米结构薄膜材料,并利用XRD、TEM和SEM等方法对其结构及形貌特性进行表征分析。实验结果表明多层纳米结构面密度达到~2×10~(11)cm~(-2),尺寸为15.6±4.4nm,层...; 关键词：多量子阱纳米结构硅锗

光窗口对SiGe/Si异质结光电晶体管光响应的影响被引量：1: 《光子学报》2020年第8期123-132,共10页马佩谢红云沙印向洋陈亮郭敏刘先程张万荣; 国家自然科学基金(Nos.61604106,61774012,61901010);北京市未来芯片技术高精尖创新中心科研基金(No.KYJJ2016008);北京市自然科学基金项目(No.4192014);山东省自然科学基金(No.ZR2014FL025)。; 分析了不同光窗口位置和不同光窗口面积对SiGe/Si异质结光电晶体管(HPT)光响应特性的影响.光窗口位于发射区时,HPTs吸收路径长,会产生较多的光生载流子,在发射结界面产生较大的发射结光生电压,有利于发射结的电子注入,因此获得较大的集...; 关键词：异质结光电晶体管光窗口位置光窗口面积光增益光特征频率

NH_3等离子体钝化对Al_2O_3/SiGe界面的影响: 《半导体技术》2019年第6期444-448,463,共6页朱轩民张静马雪丽李晓婷闫江李永亮王文武; 国家自然科学基金资助项目(61674003); 研究了不同条件的非原位NH_3等离子体钝化对Al_2O_3/SiGe/Si结构界面组分的影响。在p型Si(100)衬底上外延一层30 nm厚的应变Si_(0.7)Ge_(0.3),采用双层Al_2O_3结构,第一层1 nm厚的Al_2O_3薄膜为保护层,之后使用非原位NH_3等离子体分别在...; 关键词：SIGE 界面钝化 NH3等离子体 Al2O3/SiGe/Si 选择性

Feasibility Study to Evaluate Lattice-Space Changing of a Step-Graded SiGe/Si (110) Using STEM Moiré: 《Journal of Materials Science and Chemical Engineering》2018年第7期8-15,共8页Junji Yamanaka Mai Shirakura Chiaya Yamamoto Kei Sato Takane Yamada Kosuke O. Hara Keisuke Arimoto Kiyokazu Nakagawa Akimitsu Ishizuka Kazuo Ishizuka; A moiré between crystal lattice planes and scanning electron beam-lines formed in a scanning transmission electron microscope includes the information of the lattice spacing. We apply these phenomena to a composition...; 关键词：STEM Moiré SIGE Scanning Transmission Electron Microscopy

Surface Roughness of SiGe/Si(110) Formed by Stress-Induced Twins and the Solution to Produce Smooth Surface: 《Journal of Materials Science and Chemical Engineering》2018年第1期25-31,共7页Junji Yamanaka Mai Shirakura Chiaya Yamamoto Naoto Utsuyama Kei Sato Takane Yamada Kosuke O. Hara Keisuke Arimoto Kiyokazu Nakagawa; Lattice-strained Si thin films grown onto SiGe(110)/Si(110) are attracting because of their potential to realize high-speed transistors. In this study we observe surface morphology of Si/SiGe/Si(110) using scanning el...; 关键词：STRAINED Si SiGe(110) Stress-Induced Twin Transmission Electron Microscopy

Si基多量子阱SiGe/Si波导光电探测器的制备和研究: 《光电子．激光》2017年第10期1072-1075,共4页陈荔群蔡志猛; 福建省中青年教师教育科研(JA15654)资助项目; 采用分子束外延MBE技术,在Si衬底上外延高质量的20周期SiGe/Si多量子阱(MQW)层;以SiGe/Si MQW材料作为吸收区,在Si基上制备波导型PIN光电探测器;金属Al制作在器件的台面上下,形成金属-半导体肖特基接触。测试结果表明,器件在-2V偏压下,...; 关键词：SiGe/Si多量子阱(MQw) 波导探测器光谱响应

SiGe/Si单光子雪崩光电二极管仿真被引量：3: 《红外与激光工程》2016年第5期86-89,共4页廖雅香张均营余凯薛春来李传波成步文; 国家自然科学基金(61376057;61307079;61021003;61036001);中国科学院-日本学术振兴会合作课题(GJHZ1316);北京市科委课题(Z141100003814002);北京自然科学基金(2142031); 通过理论模拟CMOS工艺兼容的Si Ge/Si单光子雪崩二极管,研究并讨论了掺杂条件对于电场分布、频宽特性、以及器件量子效率的影响。设计出具有浅结结构、可在盖革模式下工作、低击穿电压(30 V)的1.06μm单光子技术雪崩光电二极管。器件采...; 关键词：单光子雪崩光电二极管 SACM-APD 电场分布量子效率仿真分析

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