SIGE/SI异质结

作品数：20被引量：29H指数：3
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相关机构：西安理工大学北京工业大学中国电子科技集团公司第二十四研究所四川大学更多>>
相关期刊：《半导体技术》《电子学报》《微电子学》《北京工业大学学报》更多>>
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SiGe/Si异质结PIN顶注入电光调制器的数值分析
《西安工业大学学报》2022年第4期408-413,共6页冯露露 冯松 胡祥建 王迪 陈梦林 
国家重点研发计划项目(2018YFB2200500);国家自然科学基金项目(61204080);国家重点实验室基金项目(SKL201804);陕西省重点研发计划项目(2022GY-012,2020KW-011);西安市科技计划项目(2020KJRC0026)。
针对电光调制器的调制效率低造成调制器的驱动电压较高的问题。文中基于等离子色散效应理论,利用计算机辅助设计模拟方法,设计了一种SiGe/Si异质结PIN顶注入硅基电光调制器,分析了不同结构尺寸、掺杂浓度下折射率变化、吸收系数变化和...
关键词：电光调制器 硅基调制器 等离子体色散效应 SIGE/SI异质结 
光窗口对SiGe/Si异质结光电晶体管光响应的影响被引量：1
《光子学报》2020年第8期123-132,共10页马佩 谢红云 沙印 向洋 陈亮 郭敏 刘先程 张万荣 
国家自然科学基金(Nos.61604106,61774012,61901010);北京市未来芯片技术高精尖创新中心科研基金(No.KYJJ2016008);北京市自然科学基金项目(No.4192014);山东省自然科学基金(No.ZR2014FL025)。
分析了不同光窗口位置和不同光窗口面积对SiGe/Si异质结光电晶体管(HPT)光响应特性的影响.光窗口位于发射区时,HPTs吸收路径长,会产生较多的光生载流子,在发射结界面产生较大的发射结光生电压,有利于发射结的电子注入,因此获得较大的集...
关键词：异质结光电晶体管 光窗口位置 光窗口面积 光增益 光特征频率 
温度对SiGe/Si异质结功率二极管电学特性的影响(英文)被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第6期514-521,共8页马丽 谢加强 陈琳楠 高勇 
国家自然科学基金资助项目(51177133);陕西省教育厅科学研究计划项目(2013JK1105);西安理工大学博士启动金项目
在考虑到各种物理机制如载流子-载流子散射、俄歇复合、禁带窄化效应及结温效应等的基础上,数值模拟分析了SiGe/Si功率开关二极管的各种温度依赖特性。对Si和SiGe/Si功率二极管而言,温度对器件的正向压降VF、反向击穿电压VB以及反向漏电...
关键词：功率开关二极管 硅锗/硅异质结 温度特性 
SiGe/Si异质结双极晶体管工艺技术研究
《半导体技术》2012年第4期276-279,304,共5页贾素梅 杨瑞霞 刘英坤 邓建国 高渊 
邯郸市科学技术研究与发展计划项目(1155103119-4)
介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧...
关键词：SIGE/SI异质结双极晶体管 能带工程 掺杂工程 台面结构 关键工艺 
SiGe/Si异质结的基本特性及其探测器的应用前景
《红外》2010年第11期6-10,19,共6页付朝雪 刘淑平 
山西省自然科学基金资助项目(2007011047)
综述了SiGe应变层的基本性质,包括SiGe应变层的临界厚度与超晶格的稳定性、带隙和能带变化、折射率增量以及等离子色散效应。总结了材料生长中释放应力的两种形式,包括位错和表面起伏。最后介绍了SiGe/Si应变量子阱光电探测器和红外焦...
关键词：SIGE/SI 异质结 超晶格 光电探测器 
SiGe超快速软恢复功率开关二极管(英文)
《功能材料与器件学报》2007年第5期490-494,共5页马丽 高勇 刘静 余明斌 
National Natural Science Foundation of China(No.50477012);Special Scientific Research Program of Shaanxi Pro-vincial Education Bureau(No.05JK268).
SiGe材料由于禁带带隙较窄和与Si工艺相兼容的优点,被广泛用于高频双极晶体管的制造中。实验把SiGe/Si异质结应用于功率器件方面,制造出了超快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关二极管。与同结构的传统Si二极管相比,该功率二极管可以获得...
关键词：SIGE/SI异质结 功率二极管 超快速 软恢复 
SiGe/Si异质结缺陷的光致发光研究被引量：1
《光散射学报》2007年第3期252-256,共5页郭丰 张静 龚敏 刘伦才 杨晨 谭开洲 石瑞英 
模拟集成电路国家重点实验室基金项目支持;项目编号:51439040105SC02
本文用光致发光(PL)光谱对Si0.87Ge0.13/Si异质结的缺陷进行了研究。对PL光谱中与SiGe外延层应变驰豫产生的失配位错相关的D-Band进行了分析,发现应变驰豫同时在SiGe层和Si衬底中诱生了位错。由于在PL光谱中观察到了D1而没有观察到D2,因...
关键词：SIGE/SI异质结 PL光谱 位错 D-Band发光 
快速软恢复SiGe功率开关二极管的结构设计与特性分析
《电子器件》2007年第4期1255-1257,1265,共4页马丽 高勇 刘静 余明斌 
国家自然科学基金资助(50477012);陕西省教育厅专项科研项目资助(05JK268);高等学校博士学科点专项科研基金资助(20050700006)
为了进一步提高SiGe/Si异质结功率开关二极管的性能,提出了一种SiGe功率开关二极管的新结构,用交替的p+、n+区形成的mosaic结构来代替原常规的n+区,关断时可同时为电子和空穴的抽取提供通道使阴极具有理想欧姆接触.该结构可大大提高开...
关键词：SIGE/SI异质结 功率二极管 快速软恢复 低漏电流 
SiGe电荷注入晶体管的直流特性模型
《物理学报》2007年第2期1105-1109,共5页舒斌 张鹤鸣 胡辉勇 宣荣喜 戴显英 
武器装备预研基金(批准号:51408061104DZ01)资助的课题~~
为了能直观地体现SiGe/Si电荷注入晶体管的收集极电流与漏源电压的关系,利用输入端SiGe/Si量子阱中二维空穴气的隧道模型,建立起此类器件的输入输出数学模型,并利用MATLAB软件对所建模型进行了模拟,结果显示在漏源电压约为1.5V时,漏电...
关键词：SIGE/SI异质结 电荷注入晶体管 二维空穴气 隧道效应 
SiGe／Si异质结光电器件被引量：2
《材料导报》2006年第1期116-119,共4页刘国军 叶志镇 吴贵斌 孙伟峰 赵星 赵炳辉 
国家科学技术部攀登项目浙江省计划资助项目(981101040;991110535)
SiGe／Si异质结光电器件及其光电集成(OEIC)是硅基光电研究的一个非常引人注目的领域。综述了SiGe／Si异质结材料的基本性质,SiGe／Si异质结光电器件的结构、性能、应用及其光电集成。重点介绍了SiGe／Si光电探测器及其与其他相关器件...
关键词：SIGE/SI异质结 光电器件 光电集成 
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