孙伟峰

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文主题：多量子阱SIGESIGE/SI异质结光电器件光电集成更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《材料导报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家攀登计划更多>>
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SiGe／Si异质结光电器件被引量：2
《材料导报》2006年第1期116-119,共4页刘国军 叶志镇 吴贵斌 孙伟峰 赵星 赵炳辉 
国家科学技术部攀登项目浙江省计划资助项目(981101040;991110535)
SiGe／Si异质结光电器件及其光电集成(OEIC)是硅基光电研究的一个非常引人注目的领域。综述了SiGe／Si异质结材料的基本性质,SiGe／Si异质结光电器件的结构、性能、应用及其光电集成。重点介绍了SiGe／Si光电探测器及其与其他相关器件...
关键词：SIGE/SI异质结 光电器件 光电集成 
UHV-CVD生长的SiGe多量子阱在热光电池领域的应用被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第11期2111-2114,共4页孙伟峰 叶志镇 朱丽萍 赵炳辉 
国家科技部攀登项目;浙江省计划项目(批准号:981101040;991110535)资助~~
为了验证SiGe多量子阱的能带向直接带隙结构转变[1]和进一步探索其在热光电池领域的应用,采用先进的超高真空化学气相沉积系统生长出高质量的SiGe多量子阱外延层,并对其进行多次反射红外线吸收谱的测量.测量结果说明吸收峰接近黑体辐射...
关键词：多量子阱 窄带隙 热光电池 UHV—CVD 黑体辐射 
应用于无线电发射领域的第二代SiGe技术进展
《材料导报》2005年第11期24-27,共4页孙伟峰 叶志镇 赵炳辉 朱丽萍 
国家科技部攀登项目(981101040);浙江计划项目(991110535)
SiGe 1器件性能出色,在射频器件中的频率高达50GHz,已用于制造 GSM、DCS、GPS 中的 LNA、PA、DACs 和混频器等。为了满足将来产品更新换代和制造高尖端产品的需要,现在的一些公司(如 Atmel wireless andMicrocontrollers)已经发展了第二...
关键词：SIGE 双极 CMOS 射频 MSG SI/SIGE 技术进展 第二代 发射区 应用 
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