SIGE/SI异质结双极晶体管

作品数：5被引量：10H指数：2
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相关作者：张静陈建新沈光地邹德恕李开成更多>>
相关机构：北京工业大学中国电子科技集团公司第二十四研究所中国电子科技集团第二十四研究所电子工业部更多>>
相关期刊：《微电子学》《北京工业大学学报》《半导体技术》《电子学报》更多>>
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SiGe/Si异质结双极晶体管工艺技术研究
《半导体技术》2012年第4期276-279,304,共5页贾素梅 杨瑞霞 刘英坤 邓建国 高渊 
邯郸市科学技术研究与发展计划项目(1155103119-4)
介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧...
关键词：SIGE/SI异质结双极晶体管 能带工程 掺杂工程 台面结构 关键工艺 
SiGe/SiHBT异质界面与pn结界面的相对位移的影响
《电子学报》2000年第8期63-65,共3页徐晨 沈光地 邹德恕 陈建新 李建军 罗辑 魏欢 周静 董欣 
国家"8 63"计划!(No .863 30 7 1 5 4(6) );国家自然科学基金!(No.698760 0 4 );北京市科委高技术重点项目和北京市自然科学基金!(
从模拟和实验两方面研究了SiGe/SiHBT发射结中pn结界面和SiGe/Si界面的相对位置对器件的电流增益和频率特性的影响 .发现两界面偏离时器件性能会变差 .尤其是当pn结位于SiGe/Si界面之前仅几十 就足以产生相当高的电子寄生势垒 ,严重恶...
关键词：SIGE/SI异质结双极晶体管 pn结界面 相对位移 
SiGe/Si异质结双极晶体管研究被引量：6
《微电子学》2000年第3期144-146,共3页李开成 刘道广 张静 易强 
介绍了一种 Si Ge/Si分子束外延异质结双极晶体管 ( HBT)的研制。该器件采用 3μm工艺制作 ,测量得其电流放大系数β为 50 ,截止效率 f T 为 5.1 GHz,表明器件的直流特性和交流特性良好。器件的单片成品率在 90 %以上。
关键词：分子束外延 异质结双极晶体管 锗-硅合金 
SiGe/Si异质结双极晶体管被引量：3
《半导体技术》1997年第4期10-16,共7页杨亚光 
介绍了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的特点、自对准ＨＢＴ、非自对准ＨＢＴ的结构以及通过低温热循环、ＳＰＯＴＥＬ、重硼掺杂等工艺使ｆＴ从２０ＧＨｚ增至１１０ＧＨｚ的方法。
关键词：HBT 设计 异质结 双极晶体管 
f_T为9GHz的SiGe／Si异质结双极晶体管被引量：1
《北京工业大学学报》1996年第4期55-59,共5页邹德恕 陈建新 高国 沈光地 杜金玉 王东凤 张时明 袁颍 
国家自然科学基金;国家科委"八六三计划";北京市科委高技术资助项目
叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的设计考虑，双台面结构的制作方法，并制作出ｆ_Ｔ为９ＧＨｚ的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。同时根据对不同尺寸ＨＢＴ的测试结果得到分布参数是影响ｆ_Ｔ的重要因素之一。
关键词：硅锗合金 异质结构 双台面结构 双极晶体管 硅 
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