王东凤

作品数：10被引量：29H指数：3
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文主题：可靠性半导体器件直流高压半导体激光器晶体管更多>>
发文领域：电子电信机械工程理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《仪表技术与传感器》《Journal of Semiconductors》《半导体光电》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
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国产晶体管的长期贮存可靠性被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》2009年第B10期69-72,共4页吕长志 张小玲 谢雪松 程尧海 王东凤 李志国 
测试了存贮24-37年的国产14种型号晶体管的输出特性。贮存37年的3DK7F100只中,1只发生致命性失效;4只晶体管的共射极直流电流放大倍数h_(FE)减小超规范失效,其最大退化率为-50%,年均退化率-1.35%。存贮29年的3DG101F,7只中有3只h_(FE)...
关键词：晶体管 长期贮存 可靠性 
蓝宝石基LED外延片背减薄与抛光工艺研究被引量：9
《半导体技术》2005年第9期57-60,共4页李冰 郭霞 刘莹 李秉臣 王东凤 沈光地 
国家863计划项目(2004AA311030);北京市教育委员会资助项目(KZ200510005003);国家973计划(20000683-02);北京市教委项目(2002kj018);北工大博士启动基金(kz0204200387);北京市科委重点项目(D0404003040221)
研究了蓝宝石基LED外延片背减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系,比较了不同的磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响,并研究了抛光过程中表面粗糙度随时间的变化规律,为背减薄与抛光工艺的优化提供了依据。
关键词：蓝宝石 发光二极管 背减薄 研磨 抛光 
三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期155-157,共3页吕长志 冯士维 王东凤 张小玲 谢雪松 何焱 张浩 徐立国 袁明文 李效白 曾庆明 
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.
关键词：ALGAN/GAN HFET 倒置结构 双异质结 
大光腔小垂直发散角InGaAs/GaAs/AlGaAs半导体激光器被引量：8
《物理学报》2004年第7期2150-2153,共4页崔碧峰 李建军 邹德恕 廉鹏 韩金茹 王东凤 杜金玉 刘莹 赵慧敏 沈光地 
国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000068302);北京市自然科学基金(批准号:4032007);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312070)资助的课题~~
提出并实现了新型隧道再生耦合大光腔半导体激光器 ,近场光斑宽度达到 1μm ,较普通半导体激光器提高了一个数量级 ,有效地解决了普通半导体激光器由于发光面积狭窄而导致的端面灾变性毁坏和垂直发散角大的问题 .采用低压金属有机物化...
关键词：半导体激光器 大光腔 隧道再生 发散角 砷镓铟 砷化镓 砷镓铝 
980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs大功率LDs模式特性研究被引量：3
《光电子．激光》2003年第10期1011-1014,共4页崔碧峰 李建军 邹德恕 王东凤 沈光地 
国家"973"基金资助项目(G20000683-02);国家"863"计划资助项目(2002AA312070);国家自然科学基金(69889601);北京市自然科学基金资助项目(4032007;4021001);北京市科委科技攻关资助项目(99270603)
针对目前大功率980nm量子阱半导体激光器(LDs)为降低阈值电流而要求激射条宽窄、腐蚀深度深而造成的P I曲线扭折、侧向模式不稳定问题采用有效折射率近似方法进行模拟分析,并得到了实验上的证实。通过采用不对称波导及双量子阱结构,制...
关键词：量子阱半导体激光器 有效折射率近似 侧模 稳定性 不对称波导 
980nm半导体激光器远场特性的优化被引量：1
《半导体光电》2002年第4期259-261,共3页邹德恕 廉鹏 张丽 王东凤 杜金玉 刘莹 韩金茹 徐晨 高国 沈光地 
制作小功率半导体激光器时 ,为了减小阈值电流 ,提高斜率效率 ,一般都采用深腐蚀法形成脊形结构以克服电流横向扩展。但是由于工艺的原因 ,往往使得激光器远场特性恶化 ,特别是水平发散角θ//形成多瓣。研究发现这与光刻工艺有着重要关...
关键词：半导体激光器 远场特性 自对准 自然解理边 
一种新型GaAs／GaAlAs红外探测器的研究
《北京工业大学学报》1996年第4期1-6,共6页杜春霞 邓军 李群 孔锐 王东凤 沈光地 尹洁 
国家自然科学基金;北京市科委高技术项目;北京市自然科学基金
首次应用一种新的物理构想和工作机制设计了新型的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ红外探测器，并进行了理论计算、器件研制和测试分析。结果表明，这种新型探测器与常规ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ量子阱红外探测器相比，具有一些新的特点。理论计...
关键词：红外探测器 低暗电流 砷化镓 GAALAS 量子阱 
SiGe／Si　HBT的直流特性分析
《北京工业大学学报》1996年第4期20-24,共5页张时明 邹德恕 陈建新 高国 杜金玉 韩金茹 董欣 袁颍 王东凤 沈光地 倪卫新 汉森 
国家自然科学基金;国家科委"八六三计划";北京市科委高技术资助
应用＂掺杂工程＂和＂带隙工程＂各自的特点，设计了一种独特的基区双向高速输运的ＳｉＧｅ／Ｓｉ　ＨＢＴ层结构，并利用此结构在３μｍ工艺线上做出了性能良好的ＳｉＧｅ／Ｓｉ　ＨＢＴ。其主要直流参数为：室温共发射极最大电流增益...
关键词：异质结构 硅锗合金 掺杂工程 硅 直流特性 
f_T为9GHz的SiGe／Si异质结双极晶体管被引量：1
《北京工业大学学报》1996年第4期55-59,共5页邹德恕 陈建新 高国 沈光地 杜金玉 王东凤 张时明 袁颍 
国家自然科学基金;国家科委"八六三计划";北京市科委高技术资助项目
叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的设计考虑，双台面结构的制作方法，并制作出ｆ_Ｔ为９ＧＨｚ的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。同时根据对不同尺寸ＨＢＴ的测试结果得到分布参数是影响ｆ_Ｔ的重要因素之一。
关键词：硅锗合金 异质结构 双台面结构 双极晶体管 硅 
新型聚酰亚胺电容式湿度传感器被引量：6
《仪表技术与传感器》1992年第1期6-7,共2页邹德恕 王东凤 
本文叙述了以聚酰亚胺为感湿膜的电容式湿度传感器的结构及制备工艺,研究了它的湿敏特性,概述了工作原理。
关键词：湿度传感器 相对湿度 聚酰亚胺 
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