杜春霞

作品数：3被引量：1H指数：1
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发文主题：GAAS/GAALASGAALAS红外探测器砷化镓数值模拟更多>>
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一种新型GaAs／GaAlAs红外探测器的研究
《北京工业大学学报》1996年第4期1-6,共6页杜春霞 邓军 李群 孔锐 王东凤 沈光地 尹洁 
国家自然科学基金;北京市科委高技术项目;北京市自然科学基金
首次应用一种新的物理构想和工作机制设计了新型的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ红外探测器，并进行了理论计算、器件研制和测试分析。结果表明，这种新型探测器与常规ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ量子阱红外探测器相比，具有一些新的特点。理论计...
关键词：红外探测器 低暗电流 砷化镓 GAALAS 量子阱 
新型8～14μm　GaAs／GaAlAs红外探测器数值模拟和分析被引量：1
《北京工业大学学报》1996年第4期7-12,共6页李群 杜春霞 邓军 孔锐 沈光地 尹洁 
国家自然科学基金;北京市科委高技术项目;北京市自然科学基金
简要介绍了红外探测器的历史和现状。在提出的一种新型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ红外探测器的构想及已有工作的基础上，建立了一个物理模型，并进行了模拟计算，着重分析了各个器件参数对器件性能的影响，为今后设计器件打下了理论基础，...
关键词：红外探测器 数值模拟 砷化镓 GAALAS 
Si／SiGe腐蚀停止技术的研究及其在SiGe／SiHBT工艺中的应用
《北京工业大学学报》1996年第2期55-60,共6页陈建新 袁颖 杜春霞 张时明 赵玉琴 沈光地 
国家科委"863计划"资助项目
对ＳｉＧｅ／Ｓｉ腐蚀停止技术进行了大量的实验研究，分析了腐蚀的化学机理，并在一定的腐蚀液浓度和温度下，获得了Ｓｉ和ＳｉＧｅ的腐蚀速率比大于３０的结果。该技术极宜在ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ制作中应用。
关键词：硅 硅锗 半导体工艺 腐蚀停止技术 
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