赵玉琴

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供职机构：北京工业大学电子工程系北京市光电子技术实验室更多>>
发文主题：超滤膜超滤HBT工艺硅SIGE/SI更多>>
发文领域：电子电信化学工程更多>>
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Si／SiGe腐蚀停止技术的研究及其在SiGe／SiHBT工艺中的应用
《北京工业大学学报》1996年第2期55-60,共6页陈建新 袁颖 杜春霞 张时明 赵玉琴 沈光地 
国家科委"863计划"资助项目
对ＳｉＧｅ／Ｓｉ腐蚀停止技术进行了大量的实验研究，分析了腐蚀的化学机理，并在一定的腐蚀液浓度和温度下，获得了Ｓｉ和ＳｉＧｅ的腐蚀速率比大于３０的结果。该技术极宜在ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ制作中应用。
关键词：硅 硅锗 半导体工艺 腐蚀停止技术 
聚醚醚酮(PEK)超滤膜
《北京工业大学学报》1992年第3期73-77,共5页赵玉琴 高以? 吕秀开 姚士仲 
制备了截留分子量界限为6.8×10~4PEK超滤膜,讨论了聚合物浓度,添加剂浓度、凝胶介质温度等因素对膜性能的影响。同时,考察了PEK超滤膜的物化稳定性。结果表明,在0.30MPa压力下,膜透水速度>100mL/cm^2·h,为PEK超滤膜工业化奠定了基础。
关键词：聚醚醚酮 超滤 膜 
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