云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 量子阱半导体激光器

量子阱半导体激光器: 作品数：29被引量：49H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：马骁宇王俊张福厚汪家升毕勇更多>>; 相关机构：中国科学院长春理工大学山东工业大学中国科学院大学更多>>; 相关期刊：《上海交通大学学报》《电子科技文摘》《半导体光电》《电光系统》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划吉林省科技发展计划基金北京市自然科学基金更多>>

2~4μm中红外锑化物半导体激光器研究进展(特邀)被引量：4: 《红外与激光工程》2020年第12期155-163,共9页杨成奥张一尚金铭陈益航王天放佟海保任正伟张宇徐应强牛智川; 国家自然科学基金(61790580,61790581,61790582,61790583);广东省重点研发计划(2020B0303020001,2018B030329001)。; 2~4μm波段是非常重要的红外大气窗口,工作在这个波段的激光器在气体检测,医疗美容和工业加工领域具有十分巨大的应用价值。锑化物半导体材料低维结构具有窄禁带直接跃迁发光的独特优势,是实现中红外波段半导体激光器的理想材料体系。...; 关键词：锑化镓量子阱半导体激光器红外激光器

Si杂质扩散诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的研究（英文）被引量：11: 《中国光学》2020年第1期203-216,共14页刘翠翠林楠熊聪曼玉选赵碧瑶刘素平马骁宇; 半导体激光器军民两用基金预研项目(No.41414010302)~~; 光学灾变损伤(COD)常发生于量子阱半导体激光器的前腔面处,极大地影响了激光器的出光功率及寿命。通过杂质诱导量子阱混杂技术使腔面区波长蓝移来制备非吸收窗口是抑制腔面COD的有效手段,也是一种高效率、低成本方法。本文选择了Si杂质...; 关键词：量子阱半导体激光器光学灾变损伤量子阱混杂蓝移

1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器的温度特性被引量：6: 《发光学报》2012年第6期647-650,共4页李再金芦鹏李特曲轶薄报学刘国军马晓辉; 国家自然科学基金(61107054);吉林省科技发展计划(201201124)资助项目; 研究了1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器厘米bar模块的温度特性,测试分析了该模块的输出光功率、阈值电流、转换效率和光谱随注入电流及管芯温度变化的特性。结果表明,器件在15～55℃范围内所测的输出光功率由40.7 W降低到29.4...; 关键词：半导体激光器 1.06μm 阈值电流温度特性

AlGaInAs multi-quantum wells ring laser with optical coupling waveguides被引量：1: 《Chinese Science Bulletin》2009年第20期3716-3719,共4页LI XianJie QI LiFang GUO WeiLian YU JinLong ZHAO YongLin CAI DaoMin YIN ShunZheng MAO LuHong; Supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No.60706035);National Basic Research Program of China (Grant No. 2003CB314901); Based on InAlGaAs multi-quantum wells epitaxy structure for Fabry-Pero laser diode,a multi-quantum wells semiconductor ring laser is realized using ICP dry etching process and polyimide planarization process.The laser...; 关键词：波导激光器多量子阱量子阱半导体激光器耦合环光学输出电流耦合波导激光波长

红外量子阱激光器的大信号调制特性研究被引量：1: 《红外》2009年第5期41-44,共4页杨丽寰邱琪; 本文研究了工作波长为980nm的InGaAs/AsGaAs大功率红外量子阱F-P腔激光器在接近1A的大电流调制下的特性。在大信号调制下,通过数值求解,对大功率半导体激光器的参数进行了比较。随着调制深度m的增加,激光峰值不断变窄和变尖锐,而且调制...; 关键词：光学量子阱半导体激光器数值求解大信号调制

大功率InGaAsP/GaAs量子阱半导体激光器的直流和1/f噪声性质被引量：5: 《中国激光》2008年第8期1144-1148,共5页张爽郭树旭郜峰利郭欣曹军胜于思瑶; 国家自然科学基金(60471009);吉林省重大科技发展计划(200403001-4)资助项目; 对大功率InGaAsP/GaAs量子阱(QW)半导体激光器(LD)的直流(DC)特性和小注入下的低频噪声(LFN)特性进行了实验研究.DC检测发现,V-I和IdV/dI-I可以对LD的电流泄漏作出判断.LFN检测发现,小注入下的1/f低频电压噪声幅值BV(I)∝IβV.理论分析...; 关键词：激光器半导体激光器可靠性 1/f噪声直流特性电流泄漏

980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs大功率LDs模式特性研究被引量：3: 《光电子．激光》2003年第10期1011-1014,共4页崔碧峰李建军邹德恕王东凤沈光地; 国家"973"基金资助项目(G20000683-02);国家"863"计划资助项目(2002AA312070);国家自然科学基金(69889601);北京市自然科学基金资助项目(4032007;4021001);北京市科委科技攻关资助项目(99270603); 针对目前大功率980nm量子阱半导体激光器(LDs)为降低阈值电流而要求激射条宽窄、腐蚀深度深而造成的P I曲线扭折、侧向模式不稳定问题采用有效折射率近似方法进行模拟分析,并得到了实验上的证实。通过采用不对称波导及双量子阱结构,制...; 关键词：量子阱半导体激光器有效折射率近似侧模稳定性不对称波导

量子阱半导体激光器P-I特性曲线扭折的研究被引量：5: 《光电子．激光》2002年第6期547-549,共3页邹德恕廉鹏徐晨崔碧峰杜金玉张丽刘莹李建军沈光地; 国家自然科学基金重大资助项目 (69892 60 -0 6);国家"973"资助项目 (G2 0 0 0 683 -0 2 ); 小功率窄条形半导体激光器注入电流超过阈值后 ,其 P- I特性曲线可能偏离理想的线性区 ,出现扭折现象 ,从而会严重影响激光器与光纤的耦合。本文分析讨论了出现扭折现象与器件结构的关系。通过优化激光器纵向结构设计 ,采用较窄的有源...; 关键词：半导体激光器 P-I特性曲线扭折量子阱阈值电流

半导体激光器: 《中国光学》2002年第1期28-31,共4页; TN248.4 2002010200大功率激光二极管的微片棱镜堆光束整形和光纤耦合输出=Micro - prism stack beam shapers for highpower laser diode arrays[刊,中]/石鹏,李小莉,张贵芬,郭明秀,陆雨田(中科院上海光机所,上海(201800))∥光学学报....; 关键词：光纤光栅外腔半导体激光器线阵二极管激光器大功率激光二极管阵列高功率半导体激光器光子学中科院国家重点实验室光束整形量子阱半导体激光器输出功率

激光应用与全息术和光学信息处理: 《电子科技文摘》2001年第5期13-13,共1页; 0107524量子阱半导体激光器调制特性和噪声的电路模拟[刊]/毛陆虹//通信学报.—2001,22(1).—38～42(L)给出一种量子阱半导体激光器(QWLD)小信号等效电路模型,可以作为含有 QWLD 系统计算机辅助设计的模型。模型包括 QWLD 的高速调制特...; 关键词：量子阱半导体激光器调制特性计算机辅助设计等效电路模型电路模拟噪声脉冲激光薄膜制备技术控制系统设计光学信息处理

量子阱半导体激光器