锑化镓

作品数：60被引量：74H指数：4
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相关作者：牛智川徐应强刘京明赵有文郝瑞亭更多>>
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相关期刊：《激光与光电子学进展》《Journal of Semiconductors》《宁波工程学院学报》《半导体光电》更多>>
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高压下GaAsSb纳米线室温光致发光特性研究
《物理学报》2025年第6期256-263,共8页殷雪彤 廖敦渊 潘东 王鹏 刘冰冰 
国家自然科学基金(批准号:11604116,12374459);中国科学院战略重点研究项目(批准号:XDB0460000);中国科学院青年创新促进会(批准号:2017156,Y2021043)资助的课题.
三元砷锑化镓(GaAsSb)纳米线具有直接带隙电子结构,通过调节锑含量可实现其近红外波段发光波长在870—1700 nm范围内的超宽带调谐,在近红外微纳光学器件方面具有十分重要应用前景.但由于高密度表面态的存在,砷锑化镓纳米线室温发光效率...
关键词：砷锑化镓 纳米线 高压 室温发光 
基于光泵浦-太赫兹探测的锑化镓光生载流子动力学研究
《激光与光电子学进展》2024年第23期425-430,共6页肖军 刘泉澄 高源 邓琥 
国家自然科学基金(22305198)。
采用反射式光泵浦-太赫兹探测技术开展锑化镓(GaSb)晶体光生载流子动力学研究。首先,测量波长为400 nm的不同能量密度泵浦光作用下太赫兹时域峰值强度的变化,计算得到GaSb晶体光生载流子复合时间;其次,测量波长为400 nm的不同能量密度...
关键词：光生载流子动力学 锑化镓 光泵浦-太赫兹探测 电导率 
深空同位素热光伏系统中锑化镓电池的研制及性能测试
《深空探测学报（中英文）》2024年第5期469-477,共9页汤亮亮 李嘉鹏 刘永辉 邵剑雄 田岱 韩承志 朱安文 邱家稳 
国家自然科学基金联合基金项目(U20B2008);兰州大学中央高校基本科研业务费专项资金(lzujbky-2023-stlt01)。
针对深空同位素热光伏系统效率提升问题及对国产化红外热光伏换能器件的迫切需求,对GaSb电池制造工艺开展研究,通过PC1D仿真计算,确定电池制备的基本参数,采用双步扩散法进行电池的制备。搭建了自制电池快速测试系统,对电池性能进行评...
关键词：深空同位素热光伏系统 锑化镓电池模拟 电池制备 输出性能 
GaSb单晶研究进展被引量：2
《人工晶体学报》2024年第1期1-11,共11页刘京明 杨俊 赵有文 杨成奥 蒋洞微 牛智川 
国家自然科学基金(62374161)。
近年来,锑化物红外技术发展迅速,成为半导体技术的重要发展方向之一。锑化镓(GaSb)作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,凭借优异的性能成为锑化物红外光电器件的关键衬底材料。随着锑化物红外技术逐步成熟和应用逐渐开展,人们对GaSb单晶片...
关键词：锑化镓 化合物半导体 锑化物 晶体 红外光电器件 
抢占“镓体系”半导体科技制高点助力实现光电子信息产业的率先突破被引量：1
《中国科学院院刊》2023年第8期1095-1098,共4页张韵 
中国科学院稳定支持基础研究领域青年团队计划(YSBR-064)。
“镓体系”半导体材料具有高效光电转换效率和光谱覆盖广的突出优点,是助力实现光电子信息产业突破的关键基础材料。为抢占“镓体系”半导体科技制高点,文章在分析“镓体系”半导体科技的战略意义、重大需求和国内外发展态势基础上,从...
关键词：镓 镓体系 光电子 自立自强 氮化镓 砷化镓 氧化镓 锑化镓 
硫掺杂锑化镓的电子结构和电学性质被引量：1
《江西科学》2023年第3期522-527,共6页康超 
江西省自然科学基金项目(20202ACB202006)。
锑化镓(GaSb)因其具有高电子迁移率和低功耗等特点受到关注,但由于该材料存在大量的受主缺陷使其在应用上受到一定限制。因此,研究GaSb中的缺陷物理以改善材料性能显得尤为重要。运用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,研究...
关键词：第一性原理 GASB 掺杂 电子结构 
Ⅱ类超晶格探测器背面减薄技术研究
《红外》2022年第9期10-14,共5页李春领 封雪 邢伟荣 温涛 周朋 
为了验证外延材料制备工艺试验的正确性,减少GaSb衬底对红外光的吸收,同时提升探测器的可靠性和长期稳定性,需要对Ⅱ类超晶格红外探测器的GaSb衬底进行减薄处理。采用机械抛光法和机械化学抛光法实现Ⅱ类超晶格探测器的GaSb衬底背面减薄...
关键词：Ⅱ类超晶格 锑化镓衬底 背面减薄 腐蚀 
In取代Ga对GaSb的热电性能的影响
《宁波工程学院学报》2022年第2期9-12,19,共5页朱天文 陈晓璐 杜正良 
浙江省自然科学基金(LY19E010001);宁波市自然科学基金(2019A610063)。
通过在GaSb的Ga位进行等电子In取代以形成Ga/In间的原子质量波动和应力场波动,可散射短波声子从而降低锑化镓的晶格热导率。采用氧化硼助熔剂法成功制备了In_(x)Ga_(1-x)Sb(x=0,0.05,0.5)样品。研究结果表明In取代显著降低了GaSb的晶格...
关键词：热电材料 锑化镓 晶格热导率 热电优值 声子 
Ⅱ类超晶格探测器芯片背增技术研究
《红外》2021年第12期15-20,共6页任秀娟 崔戈 李春领 冯晓宇 李海燕 宁提 祁娇娇 刘铭 
国家科技型中小企业技术创新基金项目(13C26215305429);云南省产业技术领军人才支持项目(YNWR-CYJS-2018-050)。
主要介绍了Ⅱ类超晶格探测器芯片双波段背增膜在探测器中的作用及其膜系设计与制备工艺。该膜的作用是减小探测器芯片表面在响应波段(3~5μm及7~9μm)对红外光的反射率,增强芯片的光响应率,从而提高芯片性能。研究并解决了背增膜在设计...
关键词：双色红外探测器 Ⅱ类超晶格 锑化镓 背增膜 
分子束外延生长的GaSb热光伏电池器件特性研究被引量：2
《红外与激光工程》2021年第3期299-306,共8页郑大农 苏向斌 徐应强 牛智川 
国家重点研发计划(2018YFA0209104);国家自然科学基金(61790582)。
利用分子束外延的方法在GaSb衬底上生长GaSb热光伏电池单元,制作了两种不同的1 cm×1 cm面积尺寸的热光伏电池单元,它们有着不同的电极形状。通过不断优化分子束外延的生长条件,以期得到高质量的GaSb外延层。AFM图中显示的表面形貌表明...
关键词：锑化镓 热光伏电池 开路电压 短路电流密度 填充因子 
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