云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 杨俊

杨俊: 作品数：14被引量：25H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：单晶生长砷化铟磷化铟INP衬底更多>>; 发文领域：电子电信理学金属学及工艺医药卫生更多>>; 发文期刊：《半导体光电》《材料科学与工程学报》《华西药学杂志》《物理学报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金更多>>

高品质磷化铟多晶的HGF法合成研究: 《半导体光电》2024年第1期101-104,共4页刘京明赵有文张成龙卢伟杨俊沈桂英; 国家自然科学基金项目(62374161)。; 用高压水平温度梯度定向结晶技术合成了磷化铟(InP)多晶。分析了不同温度梯度对多晶配比度的影响,结果表明当温度梯度低于4℃/cm时,多晶呈明显富铟状态,配比度在97%以下;当温度梯度在5℃/cm以上时多晶致密、无铟夹杂,达到近化学配比状态...; 关键词：磷化铟多晶水平温度梯度凝固杂质纯度

GaSb单晶研究进展被引量：2: 《人工晶体学报》2024年第1期1-11,共11页刘京明杨俊赵有文杨成奥蒋洞微牛智川; 国家自然科学基金(62374161)。; 近年来,锑化物红外技术发展迅速,成为半导体技术的重要发展方向之一。锑化镓(GaSb)作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,凭借优异的性能成为锑化物红外光电器件的关键衬底材料。随着锑化物红外技术逐步成熟和应用逐渐开展,人们对GaSb单晶片...; 关键词：锑化镓化合物半导体锑化物晶体红外光电器件

无位错Te-GaSb(100)单晶抛光衬底的晶格完整性被引量：3: 《人工晶体学报》2022年第6期1003-1011,共9页冯银红沈桂英赵有文刘京明杨俊谢辉何建军王国伟; 国家自然科学基金(61904175);江苏省重点研发计划(BE2020033)。; 采用液封直拉(LEC)法批量生长的直径2英寸(1英寸=2.54 cm)n型Te-GaSb(100)单晶的位错腐蚀坑密度(EPD)通常低于300 cm^(-2),达到无位错水平。本文利用X射线摇摆曲线以及倒易空间图(RSM)对这种GaSb单晶抛光衬底的晶格完整性和亚表面损伤...; 关键词：GASB 衬底液封直拉法晶格完整性位错腐蚀坑密度倒易空间图亚表面损伤化合物半导体

甲氧依托咪酯盐酸盐杂质PIM-A的合成被引量：1: 《华西药学杂志》2021年第4期367-370,共4页刘良权杨俊齐庆蓉; 四川省重点研发项目(批准号:2019YFS0093)。; 目的合成甲氧依托咪酯盐酸盐制备工艺过程中产生的杂质PIM-A。方法以3-羟基苯乙酮及苄溴作为起始原料,经醚化、还原、Mitsunobu反应、水解、取代及催化氢化等6步反应,制备得到目标化合物PIM-A。结果得到PIM-A,总收率为3.56%,并通过NMR、...; 关键词：甲氧依托咪酯盐酸盐杂质 3-羟基苯乙酮 MITSUNOBU反应核磁共振 HMQC谱 HMBC谱杂质对照品

低位错密度4 inchGaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备被引量：2: 《人工晶体学报》2017年第5期820-824,共5页杨俊段满龙卢伟刘刚高永亮董志远王俊杨凤云王凤华刘京明谢辉王应利卢超赵有文; 国家自然科学基金(61474104,61504131); 采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备。通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg,成晶率可达80%以上。4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm^(-...; 关键词：锑化镓(Ga Sb) 液封直拉法(LEC) 单晶衬底

4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究被引量：4: 《人工晶体学报》2017年第5期792-796,共5页赵有文段满龙卢伟杨俊董志远刘刚高永亮杨凤云王风华王俊刘京明谢辉王应利卢超; 采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm^(-2)。对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试,其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均...; 关键词：磷化铟(In P) 垂直温度梯度凝固(VGF) 孪晶组份过冷

AlN原料的钨网炉高温提纯被引量：2: 《材料科学与工程学报》2015年第4期601-604,共4页刘京明刘彤杨俊陶东言段满龙董志远赵有文李百泉; 商品氮化铝粉料中含有高浓度的氧、碳及金属杂质,需经过高温提纯处理后才能用于物理气相法氮化铝晶体生长。与感应加热相比,钨网电阻加热可有效避免碳、氧等的二次沾污,势必具有良好的提纯效果。本文采用钨网炉对AlN原料进行高温烧结提...; 关键词：氮化铝钨网炉杂质提纯

掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2008年第10期1988-1991,共4页张瑞张璠赵有文董志远杨俊; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60736032)~~; 采用化学气相传输法生长了掺Sb的ZnO体单晶,生长温度为950℃.与非掺ZnO单晶相比,掺Sb后ZnO单晶仍为n型,其自由电子浓度明显升高.X射线光电子能谱(XPS)测量结果表明,掺入的Sb在ZnO单晶中可能占据了Zn位,或处于间隙位置,形成了施主.利用...; 关键词：ZNO 单晶掺杂缺陷

Characterization of Phosphorus Diffused ZnO Bulk Single Crystals: 《Journal of Semiconductors》2008年第9期1674-1678,共5页张瑞张璠赵有文董志远杨俊; the National Natural Science Foundation of China(No.60736032)~~; Phosphorus was diffused into CVT grown undoped ZnO bulk single crystals at 550 and 800℃ in a closed quartz tube. The P-diffused ZnO single crystals were characterized by the Hall effect, X-ray photoelectron spectrosc...; 关键词：DIFFUSION DEFECT ZNO PHOSPHORUS

铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2008年第8期1540-1543,共4页张璠赵有文董志远张瑞杨俊; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60736032)~~; 研究了In掺杂n型ZnO体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、X射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行了分析.掺In后容易获得浓度为1018~1019cm-3的n型ZnO单晶,掺入杂质的激活效率很...; 关键词：ZNO 掺杂化学气相传输单晶

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