王应利

作品数：6被引量：15H指数：3
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：衬底砷化铟INASINP氧化物更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《红外与毫米波学报》《人工晶体学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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面向MOCVD生长InAs/GaSb超晶格红外探测的InAs衬底表面制备
《红外与毫米波学报》2022年第2期420-424,共5页刘丽杰 赵有文 黄勇 赵宇 王俊 王应利 沈桂英 谢辉 
Supported by National Natural Science Foundation of China(61904175)。
采用全反射X射线荧光光谱(total reflection X-ray fluorescence,TXRF)和X射线光电子能谱(X-ray photo-electron spectroscopy,XPS)检测方法研究InAs衬底化学机械抛光后经过不同湿法化学溶液联合作用后衬底表面的金属杂质残留浓度和氧...
关键词：砷化铟 衬底 表面清洗 全反射X射线荧光光谱 X射线光电子能谱 
低位错密度4 inchGaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备被引量：2
《人工晶体学报》2017年第5期820-824,共5页杨俊 段满龙 卢伟 刘刚 高永亮 董志远 王俊 杨凤云 王凤华 刘京明 谢辉 王应利 卢超 赵有文 
国家自然科学基金(61474104,61504131)
采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备。通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg,成晶率可达80%以上。4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm^(-...
关键词：锑化镓(Ga Sb) 液封直拉法(LEC) 单晶 衬底 
4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究被引量：4
《人工晶体学报》2017年第5期792-796,共5页赵有文 段满龙 卢伟 杨俊 董志远 刘刚 高永亮 杨凤云 王风华 王俊 刘京明 谢辉 王应利 卢超 
采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm^(-2)。对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试,其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均...
关键词：磷化铟(In P) 垂直温度梯度凝固(VGF) 孪晶 组份过冷 
InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析被引量：2
《人工晶体学报》2010年第4期878-882,共5页胡炜杰 赵有文 段满龙 王应利 王俊 
利用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)分别研究了InAs单晶抛光片的表面形貌和化学构成。结果表明:机械化学抛光工艺条件和清洗腐蚀过程对InAs单晶抛光片表面的化学组分构成和表面粗糙度有很大的影响。通常...
关键词：InAs单晶 衬底 表面 
高质量InAs单晶材料的制备及其性质被引量：4
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1391-1395,共5页赵有文 孙文荣 段满龙 董志远 杨子祥 吕旭如 王应利 
利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等.利用X射线双晶衍射分析了晶体的完整性.对InAs晶片的抛光、化学腐蚀和清洗进行了分析,...
关键词：砷化铟 掺杂 抛光 
半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷(英文)被引量：3
《人工晶体学报》2004年第4期535-538,共4页赵有文 董志远 段满龙 孙文荣 杨子祥 吕旭如 王应利 
theNationalNaturalScienceFoundationofChina (No .1 0 3750 4 3)
在不同的化学配比条件下制备了半绝缘磷化铟材料 ,其中包括配比和富铟熔体中的铁掺杂以及磷气氛和磷化铁气氛下高温退火非掺杂晶片。在这些半绝缘磷化铟材料中检测到了与非化学配比有关的深能级缺陷。通过对大量的原生掺铁和非掺退火半...
关键词：半绝缘磷化铟 深能级缺陷 磷化铁 高温退火非掺杂晶片 原生掺铁 
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