孙文荣

作品数：7被引量：16H指数：3
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：磷化铟INP半绝缘INASGASB更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
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GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期163-166,共4页吕小红 赵有文 孙文荣 董志远 
通过X线衍射分析和位错腐蚀,发现在GaSb(100)晶片的中心区域容易形成呈枝蔓状分布的高密度位错聚集区,这些位错引起严重的晶格畸变.通过分析晶体生长条件,证明生长过程中产生的大的温度过冷造成了晶体中心区域的枝蔓生长,产生大量位错....
关键词：CaSb INAS 单晶 晶格缺陷 
空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期175-178,共4页赵有文 吕小红 董志远 段满龙 孙文荣 
利用电学测试、正电子寿命谱和X射线衍射技术研究了原生和退火处理后InP单晶的空位和填隙缺陷.在原生掺铁半绝缘InP单晶中含有空位缺陷,这些空位产生深能级电学补偿缺陷,降低材料的电学性能.经高温磷化铁气氛下退火处理非掺InP制备的半...
关键词：磷化铟 半绝缘 空位 填隙 
磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第12期2127-2133,共7页赵有文 董志远 孙文荣 段满龙 杨子祥 吕旭如 
分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响,包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析.在此基础上获得了“开盒即用(EPI-READY)”、具有...
关键词：磷化铟 缺陷 衬底 抛光 
高质量InAs单晶材料的制备及其性质被引量：4
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1391-1395,共5页赵有文 孙文荣 段满龙 董志远 杨子祥 吕旭如 王应利 
利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等.利用X射线双晶衍射分析了晶体的完整性.对InAs晶片的抛光、化学腐蚀和清洗进行了分析,...
关键词：砷化铟 掺杂 抛光 
半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制
《Journal of Semiconductors》2006年第3期524-529,共6页赵有文 董志远 李成基 段满龙 孙文荣 
综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系,给出了抑制缺陷产生,提高材料质量的途...
关键词：磷化铟 半绝缘 缺陷 
半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷(英文)被引量：3
《人工晶体学报》2004年第4期535-538,共4页赵有文 董志远 段满龙 孙文荣 杨子祥 吕旭如 王应利 
theNationalNaturalScienceFoundationofChina (No .1 0 3750 4 3)
在不同的化学配比条件下制备了半绝缘磷化铟材料 ,其中包括配比和富铟熔体中的铁掺杂以及磷气氛和磷化铁气氛下高温退火非掺杂晶片。在这些半绝缘磷化铟材料中检测到了与非化学配比有关的深能级缺陷。通过对大量的原生掺铁和非掺退火半...
关键词：半绝缘磷化铟 深能级缺陷 磷化铁 高温退火非掺杂晶片 原生掺铁 
提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究被引量：6
《人工晶体学报》2003年第5期460-463,共4页赵有文 段满龙 孙文荣 杨子祥 焦景华 赵建群 曹慧梅 吕旭如 
通过对高压液封直拉法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析,研究适合生长(100)晶向磷化铟单晶的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率,重复地生长出了整锭掺硫和掺铁的、直径为50mm和76mm的(100)磷化铟单晶。...
关键词：磷化铟 单晶 成晶率 质量 液封直拉法 孪晶 均匀性 固液界面 半导体材料 
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