GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性  

Lattice Perfection of GaSb and InAs Single Crystal Substrate

作　　者：吕小红[1] 赵有文[1] 孙文荣[1] 董志远[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期163-166,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：通过X线衍射分析和位错腐蚀,发现在GaSb(100)晶片的中心区域容易形成呈枝蔓状分布的高密度位错聚集区,这些位错引起严重的晶格畸变.通过分析晶体生长条件,证明生长过程中产生的大的温度过冷造成了晶体中心区域的枝蔓生长,产生大量位错.富As条件下生长的InAs单晶中产生大量与As过量有关的晶格缺陷,明显降低了晶体的完整性.

关 键 词：CaSb INAS 单晶 晶格缺陷 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]