半绝缘

作品数：293被引量：241H指数：7
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半绝缘砷化镓光电导天线的封装优化
《激光与光电子学进展》2024年第19期257-262,共6页张梓桐 王天一 郭宇飞 李金 江添翼 王建波 齐志强 王晨晟 
针对光电导天线(PCA)芯片目前普遍面临太赫兹发射功率较低的问题,利用Si3N4和硅凝胶对PCA芯片进行钝化和封装,并利用太赫兹时域光谱(THz-TDS)系统测量其太赫兹波形。实验结果表明:1)Si3N4钝化层的引入可以将无激光照射下的器件电阻增大...
关键词：太赫兹脉冲 光电导天线 太赫兹时域光谱 欧姆接触 绝缘封装 
基于半绝缘SiC衬底GaN HEMT体陷阱的效应分析
《电子技术（上海）》2024年第3期1-3,共3页牛梓戌 
阐述采用背栅测试来表征GaN-on-SiC HEMT的体陷阱效应,过程中分别表现出两段式特征,分别对应Ⅲ族氮化物缓冲层以及半绝缘SiC衬底的加压过程。另外在Silvaco TCAD平台搭建相应的物理模型,仿真体陷阱效应以及在不同衬底电压下的电势分布。
关键词：GaN HEMTs 半绝缘SiC衬底 背栅测试 体陷阱效应建模 电流坍塌 外延优化 
VGF半绝缘GaAs单晶片的碱腐蚀特性研究
《电子工业专用设备》2024年第1期48-50,共3页于妍 吕菲 李纪伟 康洪亮 
研究了半绝缘GaAs的碱性腐蚀液的温度、配比对半绝缘GaAs晶片的几何参数、粗糙度、腐蚀速率等的影响,根据碱性腐蚀原理;解释了腐蚀液温度对晶片翘曲度的改善原因,以及腐蚀速率随温度和配比的变化规律;实验结果表明在碱性腐蚀液中晶片的...
关键词：垂直梯度凝固法(VGF) 半绝缘 砷化镓(GaAs) 碱性腐蚀 
200 mm高纯半绝缘SiC衬底AlGaN/GaN HEMT外延材料
《固体电子学研究与进展》2024年第1期F0003-F0003,共1页张东国 李忠辉 魏汝省 杨乾坤 彭大青 李传皓 罗伟科 王克超 
南京电子器件研究所采用国产200 mm高纯半绝缘SiC衬底,提出衬底高温刻蚀、GaN外延模式调控应力等技术,有效解决了高温下衬底边缘突翘和薄膜异质生长应力大等问题,显著降低了大尺寸外延材料的翘曲度,研制出高质量200 mm SiC衬底AlGaN/GaN...
关键词：AlGaN/GaN 外延材料 二维电子气 半绝缘 微波毫米波 方块电阻 摇摆曲线 迁移率 
1000MW发电机出口半绝缘电压互感器交流耐压试验方法研究
《电气开关》2024年第1期90-92,97,共4页陶霞 
对1000MW火力发电机组的发电机出口浇筑型电磁式电压互感器(简称PT)进行交流耐压试验时,因为PT变比较大且单个二次绕组对一次绕组、其他二次绕组及地的电容较大,如果采用传统的三倍频感应耐压试验,其二次绕组很容易过载,解决办法有两个...
关键词：半绝缘 浇筑型 电磁式 三倍频感应耐压 串联谐振 
基于半绝缘GaN自支撑衬底的肖特基型α粒子探测器的制备及性能分析
《电子测试》2023年第4期50-54,共5页赖兴阳 邹继军 游俊 葛子琪 邵春林 刘吉珍 
2022年度抚州市“揭榜挂帅”重大项目(12275049);江西省国际科技合作重点项目(20232BBH80005)资助。
本实验以半绝缘GaN自支撑衬底作为核辐射探测器主体,采用简单的三明治结构,通过在其正面(Ga面)沉积Ni/Au作为肖特基接触金属电极,反面(N面)沉积Ti/Al/Ti/TiN作为欧姆接触金属电极,成功制备了一种肖特基型α粒子探测器。所制备探测器在...
关键词：半绝缘 GaN自支撑衬底 肖特基型 Α粒子 能谱测试 
全绝缘型与半绝缘型电压互感器现场交接试验探析
《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》2022年第10期160-163,共4页杨赵武 
电压互感器是一种在我国电力系统中大量使用的电气一次设备,正确的选装电压互感器和进行电压互感器的现场交接试验是确保电力系统稳定运行的重要环节,本文主要针对35kV及以下电压等级中常用的全绝缘型与半绝缘型电磁式电压互感器的不同...
关键词：电压互感器 全绝缘 半绝缘 交接试验 
拖曳电缆屏蔽层半绝缘导线打火故障诊断与机理研究
《机电工程技术》2022年第7期111-114,共4页赵林建 郭磊磊 洪有财 
国防科技创新特区H863计划05-06重点项目。
承力拖曳电力电缆由外层钢丝和内部电缆构成,外部钢丝承担张力载荷,内部电缆导线供电并传输信号。在复杂海洋拖曳环境中,缆中部导线绝缘层被铜屏蔽层刺穿发生短路,继续使用后,在远处湿端水下拖头部位发生打火故障,最终该拖缆共形成两处...
关键词：拖曳拖缆 屏蔽铜带 远端打火 故障机理 
Fe掺杂GaN晶体非极性面的光学各向异性研究被引量：1
《人工晶体学报》2022年第6期996-1002,共7页武圆梦 胡俊杰 王淼 易觉民 张育民 王建峰 徐科 
国家自然科学基金(62174175)。
本文利用低温光致发光谱(PL)研究了Fe掺杂GaN晶体非极性a面{1120}、m面{1100}的带边峰和Fe^(3+)相关峰(^(4)T_(1)(G)-^(6)A_(1)(S))的偏振发光特性。结果表明:a面与m面光学各向异性差别较小,线偏振光的电矢量E平行于c轴[0001]时(E∥c),...
关键词：氮化镓 FE掺杂 半绝缘 非极性面 光学各向异性 光电特性 偏振光 
一起主变中性点间隙保护动作跳闸故障分析被引量：1
《农村电工》2021年第11期49-50,共2页杨宇凡 
目前,变压器通常采用的绝缘方式有两种,一种为全绝缘,适用于35 kV及以下的系统;另一种为半绝缘,通常在110 kV及以上系统使用。110 kV系统为大电流接地系统,变压器采用放电间隙接地运行。当系统发生单相接地、两相短路接地、两相短路故障...
关键词：单相接地 主变压器 全绝缘 过电压 绝缘方式 放电间隙 两相短路 半绝缘 
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