吕菲

作品数：16被引量：44H指数：4
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：粗糙度抛光片化学腐蚀单晶片锗更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子工业专用设备》《中国电子科学研究院学报》更多>>
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VGF半绝缘GaAs单晶片的碱腐蚀特性研究
《电子工业专用设备》2024年第1期48-50,共3页于妍 吕菲 李纪伟 康洪亮 
研究了半绝缘GaAs的碱性腐蚀液的温度、配比对半绝缘GaAs晶片的几何参数、粗糙度、腐蚀速率等的影响,根据碱性腐蚀原理;解释了腐蚀液温度对晶片翘曲度的改善原因,以及腐蚀速率随温度和配比的变化规律;实验结果表明在碱性腐蚀液中晶片的...
关键词：垂直梯度凝固法(VGF) 半绝缘 砷化镓(GaAs) 碱性腐蚀 
清洗工艺对锗外延片表面点状缺陷的影响被引量：3
《半导体技术》2019年第6期449-453,共5页王云彪 何远东 吕菲 陈亚楠 田原 耿莉 
锗外延片表面的雾、水印及点状缺陷等会影响太阳电池的性能和成品率,其中点状缺陷出现的比例最高。研究了锗抛光片清洗工艺对外延片表面点状缺陷的影响,获得了无点状缺陷、低粗糙度及高表面质量的锗单晶片。采用厚度为175μm p型<100>...
关键词：锗 点状缺陷 粗糙度 表面质量 沾污 
MEMS中硅各向异性腐蚀特性研究被引量：3
《电子工业专用设备》2018年第4期14-17,共4页刘伟伟 吕菲 常耀辉 李聪 宋晶 
在碱性溶液中硅单晶片因晶向不同其刻蚀速率出现差异,利用这一特点制作三维结构器件;刻蚀速率与三维结构的形状和精度相关,刻蚀的表面粗糙度与器件的性能有关;根据各向异性腐蚀机理可知,刻蚀速率强烈依赖单晶晶向,刻蚀温度和刻蚀液的组...
关键词：各向异性腐蚀 微电子机械系统(MEMS) 刻蚀速率 表面粗糙度 添加剂 
Notch槽晶向测试原理及方法
《电子工业专用设备》2017年第6期28-29,共2页杨春颖 吕菲 
在半导体材料加工过程中,Notch槽定位的精确度对后续加工成品率及最终产品性能有着重要的影响,准确测量Notch槽晶向显得尤为重要。主要介绍了利用X射线定向仪测试硅片Notch槽晶向的原理及方法 。
关键词：Notch槽 晶向 偏离度 
异型加热器在直拉硅单晶炉中的应用被引量：6
《中国电子科学研究院学报》2015年第6期646-651,共6页吕菲 耿博耘 
本文在直拉炉中使用异型加热器来替代普通加热器,通过有限元分析软件模拟分析,指出异型加热器增大了固液界面温度梯度,拉平了固液界面形状,同时也导致应力增大。单晶拉晶实验对比结果显示,使用异型加热器等径功率显著降低,拉晶速度明显...
关键词：异型加热器 数值模拟 对比性实验 
直拉重掺硼硅单晶的碱腐蚀特性研究被引量：3
《电子工业专用设备》2013年第9期5-7,13,共4页吕菲 耿博耘 于妍 杨洪星 刘锋 
直拉重掺硅硼单晶作为重要的外延衬底材料,具有其优越的特性。由于其硬度大,杂质含量高,在抛光片的加工过程中表现出腐蚀速率慢、表面均匀性差等特点,不利于硅片腐蚀减薄和抛光清洗等。研究了直拉重掺硅硼单晶的碱性腐蚀速率随腐蚀液温...
关键词：重掺硼硅单晶 腐蚀速率 表面均匀性 
晶片定位原理与算法
《电子工业专用设备》2012年第1期47-49,共3页吕菲 耿博耘 李春龙 莫宇 周传月 
在半导体材料的加工过程中,晶片的精确定位应用于多个工序,一方面能提高生产率,另一方面也能提高产品的一致性,保证晶片的加工精度。目前的定位方式分为两种,仅对电子定位系统加以介绍,针对不同的晶片轮廓采用不同的识别数据,介绍了数...
关键词：晶片定位 数据采集 定位槽 参考面 数据分析 
清洗液温度及浓度对硅研磨片清洗效果的影响被引量：3
《电子工业专用设备》2011年第7期23-27,共5页陈琪昊 吕菲 刘峰 韩焕鹏 莫宇 
超声波清洗在硅片生产中具有广泛的应用,影响超声波清洗效果的因素有很多,如清洗液温度、清洗液浓度等。为了研究清洗温度和清洗液浓度对硅研磨片清洗效果的影响,在实验中通过改变清洗液温度及清洗液的浓度,最后观察硅片表面洁净情况。...
关键词：硅片 超声波清洗 清洗液温度 清洗液浓度 清洗时间 
超薄硅双面抛光片抛光工艺技术被引量：4
《电子工业专用设备》2011年第3期21-23,42,共4页赵权 杨洪星 刘春香 吕菲 王云彪 武永超 
MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求。介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法。通过对硅片抛光机理[1]、抛光方式...
关键词：超薄 硅双面抛光片 抛光工艺 
磨削工艺对Ge单晶抛光片的影响
《电子工业专用设备》2010年第5期22-25,共4页吕菲 赵权 刘春香 窦连水 
因磨削工艺不同导致Ge单晶片表面粗糙度出现很大差异,并最终影响抛光速率、抛光片的表面质量及抛光片时间依赖性雾的形成。粗糙度大的磨削片,初始抛光速率快,但抛光片达到镜面所需时间却延长。在抛光后的去蜡工序中,粗糙度大的Ge片其表...
关键词：磨削 粗糙度 化学机械抛光(CMP) 抛光速率 时间雾 
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