抛光速率

作品数：64被引量：186H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：刘玉岭张楷亮潘国顺宋志棠封松林更多>>
相关机构：安集微电子(上海)有限公司河北工业大学中国科学院清华大学更多>>
相关期刊：《功能材料》《无机盐工业》《半导体技术》《硅酸盐学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家中长期科技发展规划重大专项天津市自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
二乙烯三胺对硅片化学机械抛光速率的影响
《润滑与密封》2025年第1期138-143,共6页杨啸 王辰伟 王雪洁 王海英 张新颖 杨云点 盛媛慧 
河北省自然科学基金项目(E2019202367)。
为提高硅衬底化学机械抛光(CMP)的去除速率,在硅衬底抛光液中添加哌嗪(PZ)、二乙烯三胺(DETA)、三乙烯四胺(TETA)、乙醇胺(MEA)4种胺类化合物,对比其对硅片抛光速率促进效果。结果表明,4种胺类化合物对硅片抛光速率的促进作用由高到低...
关键词：化学机械抛光 抛光液 二乙烯三胺 硅衬底 抛光速率 
6063铝合金CMP中络合剂构效关系研究
《无机盐工业》2024年第8期47-53,91,共8页姜波文 李艳沛 芮一川 张泽芳 
6063铝合金因其独特的性能,在各个行业有着广泛的应用。化学机械抛光(CMP)作为一种超精密加工技术可以实现平面全局平坦化,得到超光滑的镜面效果。为了提高6063铝合金的抛光效率,研究了不同基团(氨基、羧基)络合剂对铝合金抛光速率、表...
关键词：化学机械抛光 6063铝合金 抛光速率 络合剂 构效关系 
单晶SiC的化学机械抛光及辅助技术的研究进展
《上海大学学报（自然科学版）》2024年第2期289-298,共10页张佩嘉 雷红 
国家自然科学基金资助项目(51975343)。
由于单晶碳化硅(SiC)的传统化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)技术加工效率低,故提高SiC表面质量和材料去除率成为研究热点.总结了CMP中抛光液的主要成分,比较了CMP辅助抛光技术对单晶SiC抛光性能和作用机理的影响,并对...
关键词：碳化硅 化学机械抛光 CMP辅助技术 抛光速率 
自抛光防污涂层的水渗透特性及其对抛光速率的影响研究
《中国海洋大学学报（自然科学版）》2024年第2期99-105,共7页张焕娟 丛巍巍 张凯 苏荣国 桂泰江 
国家自然科学基金委员会-山东省人民政府联合基金项目(U2006219);国防基础科研计划项目(JCKY2021513B001)资助。
本文采用电化学阻抗谱法(EIS)对比分析了水在两种商业化丙烯酸硅自抛光防污涂层A1和A2中的渗透行为,并通过动态模拟实验测试了两种涂层在3.5%人工海水中的抛光速率。EIS测试结果表明,水在两种丙烯酸硅自抛光防污涂层中的渗透均呈典型的F...
关键词：自抛光防污涂层 电化学阻抗谱 水渗透 抛光速率 
基于丙烯酸硅烷酯长效自抛光防污涂层性能的测试方法被引量：3
《涂料工业》2023年第7期73-77,82,共6页于雪艳 陈正涛 康思波 张华庆 王效军 刘术辉 丛巍巍 张凯 桂泰江 
借助动态海水模拟装置模拟船舶航行的服役状况,通过定期测试丙烯酸硅酯防污涂层防污性能参数(厚度、表面粗糙度、表面形貌、抛光速率)随时间的变化规律,研究涂层表面物理特性的动态变化,并对丙烯酸硅酯防污涂层进行了耐淡水浸泡、室外...
关键词：丙烯酸硅烷酯 防污涂层 动态性能 抛光速率 室外曝晒 淡水浸泡 
化学机械抛光专利技术分析
《中国科技信息》2023年第14期26-28,共3页朱松松 陈军委 
作为抛光速率和抛光效果俱佳的抛光技术,化学机械抛光得到了广泛的发展与研究,本文梳理化学机械抛光技术的专利申请趋势、创新主体、重点专利等方面,对化学机械抛光进行专利分析,为该领域技术人员了解专利申请情况提供参考。
关键词：化学机械抛光 专利分析 专利申请 抛光技术 抛光效果 抛光速率 创新主体 技术人员 
复配表面活性剂对新型阻挡层抛光液抛光性能的影响
《微纳电子技术》2023年第5期803-809,共7页栾晓东 樊硕晨 贾儒 刘童亲 张拓 陆伟航 
国家自然科学基金(62104087);国家中长期科技发展规划科技重大专项资助项目(2016ZX02301003);江苏省自然科学青年基金项目(BK20191005);江苏省高等学校自然科学研究面上项目(19KJB430011)。
针对新型阻挡层抛光液存在Cu和正硅酸乙酯(TEOS)抛光速率一致性差、运输贮存过程中细菌滋生造成抛光表面缺陷的问题,选取脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)非离子表面活性剂和作为杀菌剂的阳离子表面活性剂十二烷基二甲基苄基氯化铵(DDBAC),通过复...
关键词：化学机械抛光(CMP) 阻挡层抛光 复配表面活性剂 抛光速率一致性 杀菌剂 
TSV铜抛光液的研究进展
《微纳电子技术》2023年第1期139-147,共9页王帅 王如 郑晴平 刘彬 
国家自然科学基金资助项目(61504037);河北省自然科学基金资助项目(F2015202267)。
对硅通孔技术(TSV)在3D堆叠封装领域的优势进行了简单阐述,同时指出化学机械抛光(CMP)技术作为具有高质量和高精度的全局平坦化工艺,是TSV制备过程中最重要的步骤之一。影响化学机械抛光质量以及效率的因素有很多,其中比较关键的是化学...
关键词：硅通孔(TSV) 化学机械抛光(CMP) 抛光液 抛光速率 抛光质量 
聚乙二醇对浅沟槽隔离中SiO_(2)和Si_(3)N_(4)化学机械抛光速率选择性的影响被引量：2
《电镀与涂饰》2022年第21期1546-1551,共6页张月 周建伟 王辰伟 马慧萍 李子豪 张新颖 郭峰 
国家自然科学基金(62074049)。
在CeO_(2)磨料质量分数为0.1%,抛光液pH为10的条件下,研究了非离子表面活性剂聚乙二醇(PEG-600)对浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中SiO_(2)和Si_(3)N_(4)去除速率的影响。结果表明,PEG-600的加入可以明显减小Si_(3)N_(4)的去除速...
关键词：浅沟槽隔离 化学机械抛光 二氧化硅 氮化硅 二氧化铈 聚乙二醇 去除速率 
硅衬底化学机械抛光液的循环使用性能被引量：1
《电镀与涂饰》2022年第7期480-485,共6页陶琴 王振扬 王同庆 
采用8%(质量分数,下同)有机碱A和3%有机碱B作为抛光液的复配p H调节剂对硅衬底进行化学机械抛光。研究了2种有机碱单独使用或复配使用时对抛光速率和抛光表面质量的影响。结果表明,当2种有机碱复配时,硅衬底的平均抛光速率达到1.04μm/m...
关键词：化学机械抛光 硅衬底 PH调节剂 有机碱 抛光速率 表面粗糙度 循环使用 
全选清除导出
共7页<1234567>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部