于妍

作品数：8被引量：18H指数：3
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：粗糙度化学腐蚀碱性腐蚀单晶片硅单晶更多>>
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酸腐蚀工艺对硅片表面粗糙度的影响
《电子工业专用设备》2024年第2期39-41,70,共4页于妍 康洪亮 张贺强 田原 
为了缩减工艺成本,提高硅片表面光泽度,降低表面粗糙度,降低表面金属含量,提高生产效率,对HNO_(3)∶HF∶CH_(3)COOH混合酸体系的反应机理进行了分析,通过改变酸腐蚀去除量,腐蚀液温度等工艺参数可有效控制超薄硅片腐蚀反应速度,降低表...
关键词：单晶硅片 酸腐蚀 粗糙度 
VGF半绝缘GaAs单晶片的碱腐蚀特性研究
《电子工业专用设备》2024年第1期48-50,共3页于妍 吕菲 李纪伟 康洪亮 
研究了半绝缘GaAs的碱性腐蚀液的温度、配比对半绝缘GaAs晶片的几何参数、粗糙度、腐蚀速率等的影响,根据碱性腐蚀原理;解释了腐蚀液温度对晶片翘曲度的改善原因,以及腐蚀速率随温度和配比的变化规律;实验结果表明在碱性腐蚀液中晶片的...
关键词：垂直梯度凝固法(VGF) 半绝缘 砷化镓(GaAs) 碱性腐蚀 
直拉重掺硼硅单晶的碱腐蚀特性研究被引量：3
《电子工业专用设备》2013年第9期5-7,13,共4页吕菲 耿博耘 于妍 杨洪星 刘锋 
直拉重掺硅硼单晶作为重要的外延衬底材料,具有其优越的特性。由于其硬度大,杂质含量高,在抛光片的加工过程中表现出腐蚀速率慢、表面均匀性差等特点,不利于硅片腐蚀减薄和抛光清洗等。研究了直拉重掺硅硼单晶的碱性腐蚀速率随腐蚀液温...
关键词：重掺硼硅单晶 腐蚀速率 表面均匀性 
腐蚀工艺条件对InP晶片表面状况的影响被引量：1
《半导体技术》2012年第10期772-775,共4页刘春香 杨洪星 于妍 赵权 
对InP晶片的化学腐蚀特性进行了分析,研究了酸性腐蚀液(盐酸系列腐蚀液)的配比、腐蚀液温度等工艺条件对InP晶片腐蚀速率、表面腐蚀形貌和化学腐蚀片表面粗糙度的影响。研究结果表明,腐蚀液温度为室温时,改变腐蚀液配比,InP晶片的腐蚀...
关键词：磷化铟 腐蚀条件 腐蚀速率 形貌 粗糙度 
硅单晶片的激光标识技术研究被引量：3
《电子工业专用设备》2011年第10期41-44,共4页于妍 张殿朝 杨洪星 
介绍了激光打标机的工作原理,并采用波长为1064 nm的光纤型激光打标机在硅单晶片上制作标识码。通过研究激光功率对打标深度的影响,确定了合适的激光打标功率为激光器总功率的50%～90%,同时,通过对激光标识码的位置进行了分析,确定了合...
关键词：硅单晶 激光加工 激光标识 
VB-GaAs晶片翘曲度的控制方法被引量：1
《半导体技术》2008年第11期1000-1002,共3页吕菲 赵权 于妍 秦学敏 宋晶 
介绍了一种用化学腐蚀进一步降低VB-GaAs晶片翘曲度的方法。通过控制腐蚀液的配比、温度、时间等参数,显著改善了晶片翘曲度。经过腐蚀的切片、研磨片在检验时易于发现裂纹等缺陷,降低了后续工序中的碎片率,综合加工成品率有了明显提高。
关键词：垂直布里奇曼法生长的砷化镓 翘曲度 化学腐蚀 光泽度 
SiC化学机械抛光技术的研究进展被引量：3
《半导体技术》2008年第6期470-472,共3页李响 杨洪星 于妍 许德洪 
介绍了半导体材料SiC抛光技术的发展及直接影响器件成品率的衬底材料几何参数和表面质量因素。讨论了SiC化学机械抛光方法(CMP),包括磨削、粗抛和精抛三个过程,其中粗抛又分重压和轻压两个过程,通过这种方法能够制造出平整度好,表面低...
关键词：抛光液 化学机械抛光 纳米粗糙度 平行度 
锗单晶片的碱性腐蚀特性分析被引量：7
《半导体技术》2007年第11期967-969,共3页吕菲 刘春香 杨洪星 赵权 于妍 赵秀玲 
讨论了锗单晶研磨片在强碱性腐蚀液和弱碱性腐蚀液中的腐蚀特性。研究了锗单晶片在两种不同腐蚀液中的腐蚀速率随腐蚀液温度、浓度的变化规律。通过探索腐蚀速率、表面光洁度及腐蚀去除量和表面粗糙度的关系,可知腐蚀片表面光洁度和腐...
关键词：化学腐蚀 光洁度 粗糙度 
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