张殿朝

作品数：13被引量：19H指数：3
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发文主题：区熔少子寿命硅单晶区熔硅单晶数值模拟更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学动力工程及工程热物理更多>>
发文期刊：《电子工业专用设备》《半导体技术》《天津科技》《中国电子科学研究院学报》更多>>
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模糊安全评估法在锅炉房项目安全评价中的应用
《天津科技》2017年第6期100-102,共3页张殿朝 许德洪 郭健 曲锟 
锅炉房作为传统重要危险源,其安全生产不容忽视。通过对新建燃气蒸汽式锅炉房项目具体事例开展专项研究,以前期规划、过程控制和隐患排查持续改进为原则,将项目基本情况、工艺设备设施、危险源辨识管理及其他因素共计4个因素建立燃气蒸...
关键词：锅炉房 安全指标体系 模糊评估 
水电解制氢设备控制系统升级实例分析被引量：3
《天津科技》2016年第8期59-61,共3页张殿朝 许德洪 张志强 赵传健 
通过对FDQ-100型水电解制氢设备控制系统进行升级改造,将原有气动控制升级为PLC软件控制,配备上位机显示及远程控制,可同时显示系统运行情况、报警点位,并绘制系统运行压力、温度、氢氧侧液位等曲线。在增加安全连锁保护的同时,大大提...
关键词：水电解 氢 控制系统 PLC 
硅单晶片的激光标识技术研究被引量：3
《电子工业专用设备》2011年第10期41-44,共4页于妍 张殿朝 杨洪星 
介绍了激光打标机的工作原理,并采用波长为1064 nm的光纤型激光打标机在硅单晶片上制作标识码。通过研究激光功率对打标深度的影响,确定了合适的激光打标功率为激光器总功率的50%～90%,同时,通过对激光标识码的位置进行了分析,确定了合...
关键词：硅单晶 激光加工 激光标识 
多晶硅真空区熔提纯技术研究被引量：5
《电子工业专用设备》2010年第8期16-19,共4页栾国旗 张殿朝 闫萍 高颖 马玉通 
对真空单晶用多晶硅真空区熔提纯技术进行了分析,通过理论实践相结合,对真空区熔提纯过程中的提纯速率、熔区长度、提纯次数以及其它工艺参数进行了分析,制定了获得目标电阻率、型号、直径的有效区熔提纯工艺。
关键词：多晶硅 提纯 提纯速率 
高阻区熔硅单晶的径向少子寿命变化
《半导体技术》2010年第12期1186-1189,1221,共5页闫萍 张殿朝 索开南 庞炳远 
在氩气气氛及真空环境下生长的高阻区熔硅单晶的径向少子寿命分布情况进行了检测。检测结果表明,在氩气气氛下生长的各种规格的高阻单晶,其少子寿命一般都在1 000μs以上,且径向变化大部分在10%以内,当生长工艺参数改变时,单晶少子寿命...
关键词：高阻 区熔硅 少子寿命 单晶生成 径向不均匀性 
4英寸<100>区熔硅单晶生长研究
《天津科技》2010年第6期32-33,共2页庞炳远 闫萍 索开南 张殿朝 
在原有3英寸<100>区熔硅单晶生长工艺的基础上,通过适当的调整热场和生长参数,成功地在德国CFG4/1400P型区熔单晶炉上生长出了4英寸<100>晶向的区熔硅单晶,满足了对大直径<100>区熔硅单晶生长的需求。所生长的<100>晶向的硅单晶具有机...
关键词：4英寸〈100〉 区熔 硅单晶 
真空区熔提纯在探测器级硅单晶生长中的作用被引量：1
《天津科技》2010年第6期34-35,共2页索开南 闫萍 庞炳远 张殿朝 
半导体硅光电探测器用的单晶硅要求具有非常高的纯度和晶格完整性,才能保证探测器能够实现暗电流低和直流、脉冲响应度高的目标。这对材料纯度提出非常高的要求。现在市面上能买到的优质一级还原料直接生长单晶无法满足要求,必须采用真...
关键词：探测器 区熔 真空 分凝效应 电阻率 
真空区熔硅单晶生长技术研究
《天津科技》2010年第2期4-5,共2页张殿朝 闫萍 索开南 庞炳远 
对φ30mm、<111>晶向真空区熔硅单晶生长关键技术特点进行了分析,针对单晶生长过程中容易发生晶变的问题,从熔区受力、热场设计、结晶动力学等方面进行研究,理论联系实践,优化工艺参数,对如何提高熔区稳定性及结晶驱动力,提出了有效的...
关键词：〈111〉晶向 真空单晶 成晶率 
线圈台阶对区熔硅单晶生长影响的数值计算分析
《中国电子科学研究院学报》2009年第2期144-147,共4页庞炳远 闫萍 索开南 张殿朝 
悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一,线圈形状作为主要的工艺参数直接影响能量分布并最终决定硅单晶的生长情况。通过有限元法对区熔硅单晶生长进行数值模拟,考虑二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,主要对比...
关键词：区熔硅单晶 数值模拟 线圈台阶 
真空高阻区熔Si单晶中的微缺陷及其少子寿命被引量：6
《半导体技术》2008年第11期1003-1006,共4页闫萍 张殿朝 庞丙远 索开南 
通过在Ar气氛及真空环境中进行的高阻区熔Si单晶生长实验,分析了晶体直径、晶体生长环境及晶体生长速率对晶体中微缺陷及少子寿命的影响及产生这种影响的原因。单晶生长实验表明,与在Ar气氛下的单晶生长相比,在真空环境下采用较低的晶...
关键词：高阻硅单晶 微缺陷 少子寿命 
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