庞丙远

作品数：1被引量：6H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：SI单晶微缺陷区熔少子寿命更多>>
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真空高阻区熔Si单晶中的微缺陷及其少子寿命被引量：6
《半导体技术》2008年第11期1003-1006,共4页闫萍 张殿朝 庞丙远 索开南 
通过在Ar气氛及真空环境中进行的高阻区熔Si单晶生长实验,分析了晶体直径、晶体生长环境及晶体生长速率对晶体中微缺陷及少子寿命的影响及产生这种影响的原因。单晶生长实验表明,与在Ar气氛下的单晶生长相比,在真空环境下采用较低的晶...
关键词：高阻硅单晶 微缺陷 少子寿命 
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