真空区熔提纯在探测器级硅单晶生长中的作用  

作　　者：索开南[1] 闫萍[1] 庞炳远[1] 张殿朝[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《天津科技》2010年第6期34-35,共2页Tianjin Science & Technology

摘　　要：半导体硅光电探测器用的单晶硅要求具有非常高的纯度和晶格完整性,才能保证探测器能够实现暗电流低和直流、脉冲响应度高的目标。这对材料纯度提出非常高的要求。现在市面上能买到的优质一级还原料直接生长单晶无法满足要求,必须采用真空区熔提纯,通过真空蒸发和分凝效应,有效地去除磷及一些重金属杂质,进一步提高多晶料的纯度才能满足光电探测器的要求。

关 键 词：探测器 区熔 真空 分凝效应 电阻率 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]