庞炳远

作品数：16被引量：5H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
发文主题：区熔硅单晶区熔硅单晶硅单晶生长硅更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>
发文期刊：《天津科技》《半导体技术》《电子工业专用设备》《微纳电子技术》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
区熔硅单晶生长过程建模综述
《电子工业专用设备》2018年第3期7-9,31,共4页云娜 庞炳远 
针对区熔法高阻硅单晶的生长过程描述和基本特征,以晶体生长基本原理为基础,从生长机理与模型建立热传导模型(晶体内的热量传输模型和固液界面处的热量传输模型)、热对流模型(晶体表面与氩气之间的对流传热模型和熔体内的对流传热模型)...
关键词：区熔法 硅单晶 过程建模 
区熔高阻硅单晶电阻率均匀性控制技术研究被引量：1
《电子工业专用设备》2017年第6期6-9,33,共5页庞炳远 闫萍 
区熔工艺中各项参数的设置会直接影响高阻单晶的电阻率均匀性。在高阻区熔硅单晶生长时,通过采用下轴正、反向交替旋转的模式,可使直径75 mm的高阻单晶的径向电阻率变化可控制在15%以下,而这一参数在下轴单向旋转时则为30%~40%或更高。...
关键词：区熔 硅单晶 生长工艺 电阻率均匀性 
旋转工艺对高阻区熔硅单晶研制的影响
《微纳电子技术》2016年第9期630-633,共4页庞炳远 闫萍 刘洪 
采用区熔工艺对多次真空提纯后的多晶硅进行了n型高阻硅单晶生长。真空提纯时,通过对工艺参数的精确控制,稳步提升了晶体的纯度和电阻率。单晶生长时,对比分析了常规旋转工艺和正反转旋转工艺两种生长方式对单晶径向电阻率分布的影响,...
关键词：旋转工艺 区熔(FZ) 硅单晶 高阻 高均匀性 
真空提纯对n型高阻区熔硅单晶研制的影响被引量：1
《微纳电子技术》2015年第10期676-680,共5页庞炳远 闫萍 刘洪 
采用真空提纯工艺对棒状多晶硅原料进行了区熔(FZ)提纯,之后对提纯后的多晶硅进行单晶生长。通过检测每次提纯后的多晶硅和最终生长成的硅单晶的电阻率变化,得到了真空提纯工艺对电阻率变化的影响规律。之后,通过计算得到了原料中主要...
关键词：真空提纯 N型 高阻 硅单晶 区熔(FZ) 
直拉区熔联合法硅单晶生长技术研究
《电子工业专用设备》2014年第8期11-14,共4页庞炳远 闫萍 索开南 董军恒 刘洪 
通过直拉工艺生长直径60 mm的N型〈100〉单晶,之后以该单晶作为原料,采用区熔工艺生长成50mm（2英寸）N型〈111〉单晶,单晶的电阻率为2.71～5.35Ω·cm,少子寿命为500～750 μs,氧碳含量均低于1×16 cm-3.实验表明,通过直拉工艺和区熔...
关键词：直拉 区熔 硅单晶 电阻率 
硅中微量硼元素的区熔掺杂
《半导体技术》2014年第1期60-63,共4页闫萍 庞炳远 索开南 
以高纯B2O2的水溶液为掺杂剂，采用将掺杂剂逐点滴涂在硅棒表面后再进行区熔的方式，实现了硅材料的微量硼掺杂，研制出了导电类型为P型、电阻率为3000～5000Ω·cm的区熔用硅多晶。实验表明，区熔掺杂完成后附加的一次真空区熔过程，...
关键词：区熔(FZ) 掺硼 硅 高电阻率 高纯度 
悬浮区熔法生长锗单晶
《电子工业专用设备》2012年第7期36-39,共4页闫萍 庞炳远 索开南 
采用悬浮区熔工艺,生长出了最大直径(等径部分)22 mm的<100>晶向锗单晶,单晶等径长度20 mm,总长度80 mm。为减小锗单晶生长中的重力作用,并提高温度梯度以增强结晶趋动力,特别设计了锗单晶生长用的加热线圈,包括设计线圈的内径为18 mm,...
关键词：锗单晶 悬浮区熔 纯度 位错 
生长系统对高阻区熔硅单晶径向电阻率变化的影响被引量：2
《电子工业专用设备》2011年第9期11-13,38,共4页闫萍 索开南 庞炳远 
分别采用L4375-ZE区熔炉和CFG/1400P区熔炉,生长了N型、(1.5～4.5)×103Ω.cm和P型、(1.0～5.0)×104Ω.cm两种规格的高阻区熔硅单晶,单晶的直径为52～54 mm,晶向为<111>。经对单晶的电阻率及其径向分布进行检测对比后发现,在加热线圈...
关键词：区熔炉 高阻 硅单晶 电阻率径向分布 
区熔硅单晶掺杂技术概述被引量：1
《电子工业专用设备》2011年第5期52-54,共3页庞炳远 
区熔硅单晶是制作电力电子器件的主要原材料,高质量的电力电子器件的发展对区熔硅单晶的高完整性、高纯度、高均匀性及大直径化提出了较高的要求。随着电力电子器件快速发展,市场需求急剧增加,为了深入的研究并应用掺杂技术,对几种掺杂...
关键词：区熔 硅单晶 掺杂 
高阻区熔硅单晶的径向少子寿命变化
《半导体技术》2010年第12期1186-1189,1221,共5页闫萍 张殿朝 索开南 庞炳远 
在氩气气氛及真空环境下生长的高阻区熔硅单晶的径向少子寿命分布情况进行了检测。检测结果表明,在氩气气氛下生长的各种规格的高阻单晶,其少子寿命一般都在1 000μs以上,且径向变化大部分在10%以内,当生长工艺参数改变时,单晶少子寿命...
关键词：高阻 区熔硅 少子寿命 单晶生成 径向不均匀性 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部