董军恒

作品数:7被引量:4H指数:1
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供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题:电阻率均匀性区熔少子寿命FZ更多>>
发文领域:电子电信理学更多>>
发文期刊:《电子工业专用设备》《半导体技术》《天津科技》更多>>
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LPCVD设备维护保养的重要性分析
《天津科技》2018年第6期76-78,共3页董军恒 高丹 
LPCVD设备是目前国内外半导体集成电路,半导体光电器件制备工艺中常用的CVD设备之一。简要分析正硅酸乙酯源低压化学气相淀积法淀积SiO_2膜过程中产生的问题,并根据实际使用的经验,对低压化学气相淀积法设备在生产过程中出现的问题进行...
关键词:低压化学气相淀积法设备 淀积速率 均匀性 真空度 
锗单晶多线切割工艺研究
《电子工业专用设备》2018年第2期23-26,共4页董军恒 李聪 
研究了变速切割及不同环境温度下定速切割对锗片翘曲度的影响。结果表明:锗单晶因其热学性能较差,在切割过程中降低热量导入晶体、提高晶体热量的导出是决定锗晶片翘曲度的重要因素;采用180μm/min定速切割的锗晶片翘曲度要比采用Si单晶...
关键词:翘曲度 锗片 热量控制 环境温度 
直拉区熔联合法硅单晶生长技术研究
《电子工业专用设备》2014年第8期11-14,共4页庞炳远 闫萍 索开南 董军恒 刘洪 
通过直拉工艺生长直径60 mm的N型〈100〉单晶,之后以该单晶作为原料,采用区熔工艺生长成50mm(2英寸)N型〈111〉单晶,单晶的电阻率为2.71~5.35Ω·cm,少子寿命为500~750 μs,氧碳含量均低于1×16 cm-3.实验表明,通过直拉工艺和区熔...
关键词:直拉 区熔 硅单晶 电阻率 
高频线圈坡面对生长FZ单晶的影响被引量:1
《电子工业专用设备》2011年第4期25-28,共4页董军恒 刘洪飞 
通过对高频线圈下坡面对生长FZ单晶的作用,分析了不同坡面线圈的磁力分布,以及磁力在单晶生长过程中的作用。线圈下面坡度的大小,会产生分布不同的磁力,在FZ单晶生长时,磁力对固液交界面的外边缘有重要的影响。分析认为采用下坡度合适...
关键词:FZ单晶 高频线圈 磁力 
杂质分凝对FZ-Si单晶电阻率均匀性影响的研究被引量:4
《半导体技术》2009年第4期320-323,共4页刘洪飞 索开南 董军恒 刘燕 刘洪 高岗 
对区熔Si单晶样品的轴向、径向以及生长界面的电阻率进行了测试,分析了影响电阻率均匀性的主要因素。结果表明,通常认为的影响电阻率均匀性的因素,并不是决定性因素。本文从FZ单晶在生长过程中,杂质在轴向和侧向分凝的角度进行分析,认...
关键词:FZ硅 电阻率 均匀性 杂质分凝 轴向和径向 
真空高阻区熔Si单晶等径初期少子寿命的变化
《半导体技术》2008年第S1期284-286,共3页索开南 闫萍 张殿朝 庞炳远 刘燕 董军恒 
介绍了生长电阻率1×104~2×104Ω.cm的p型高阻真空区熔Si单晶时,所生长单晶少子寿命的变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有30~40mm的低寿命区,之后随...
关键词:真空 区熔 少子寿命 漩涡 位错 
气相掺杂FZ单晶电阻率的控制
《半导体技术》2008年第S1期287-289,293,共4页刘洪飞 刘燕 董军恒 
主要介绍了用气相掺杂的方法制备FZ单晶的基本技术条件和设计思路。采用此技术可使气相掺杂时既快速准确地实现目标电阻率。对单晶的轴向及径向电阻率均匀性进行调整,提高了气相掺杂FZ硅单晶的成品率。
关键词:气相掺杂 电阻率 区熔单晶 
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