淀积速率

作品数：25被引量：31H指数：3
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LPCVD设备维护保养的重要性分析
《天津科技》2018年第6期76-78,共3页董军恒 高丹 
LPCVD设备是目前国内外半导体集成电路,半导体光电器件制备工艺中常用的CVD设备之一。简要分析正硅酸乙酯源低压化学气相淀积法淀积SiO_2膜过程中产生的问题,并根据实际使用的经验,对低压化学气相淀积法设备在生产过程中出现的问题进行...
关键词：低压化学气相淀积法设备 淀积速率 均匀性 真空度 
ICPECVD法制备氧化硅薄膜的工艺研究
《仪表技术与传感器》2016年第4期13-14,39,共3页刘雨涛 梁庭 王心心 王涛龙 张瑞 熊继军 
国家杰出青年科学基金资助项目(51425505)
以SH_4和O_2作为反应气体,利用电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)技术制备了氧化硅薄膜,通过正交试验设计的方法研究了反应室压强、衬底温度和射频功率3个关键工艺参数对氧化硅薄膜淀积速率的影响及其显著性。实验结果表明:...
关键词：等离子体增强型化学气相淀积 氧化硅薄膜 正交试验 淀积速率 
多晶电阻工艺监控与影响因素研究
《电子与封装》2015年第5期33-35,40,共4页张世权 马慧红 吴晓鸫 
首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块(PCM)监控的两种方法:四探针法和范德堡法,并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题;针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题,通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大,通过对多晶淀积...
关键词：多晶电阻 晶粒 淀积速率 四探针法测试电阻 
LPCVD多晶硅工艺技术研究被引量：2
《集成电路通讯》2012年第1期36-39,共4页简崇玺 高博 
多晶硅薄膜在电学、力学、光学方面具有很多优良特性，已被广泛应用于半导体集成电路和MEMS器件制造等领域。LPCVD系统的腔室反应压力、淀积温度、气体流量等条件对多晶硅薄膜的淀积速率、均匀性及质量有着显著的影响，通过对工艺条件...
关键词：LPCVD 多晶硅薄膜 淀积速率 
LPCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究被引量：4
《电子工业专用设备》2011年第6期24-26,56,共4页王俭峰 佟丽英 李亚光 李秀强 
采用TEOS源LPCVD法制备了SiO2薄膜,采用膜厚仪对薄膜的厚度进行测试。通过不同条件下SiO2薄膜的厚度变化,讨论了TEOS源温度、反应压力及反应温度等工艺条件对淀积速率和均匀性的影响。结果表明,在40℃,50 Pa左右,淀积速率随TEOS源温度...
关键词：TEOS源 LPCVD 淀积速率 均匀性 
PECVD淀积SiO_2薄膜工艺研究被引量：11
《微处理机》2010年第1期23-26,共4页亢喆 黎威志 袁凯 蒋亚东 
电子科技大学青年科技基金(No.jx0838)
研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备非晶SiO2薄膜的工艺。系统地研究了反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压强、淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜质量的影响,采用椭偏仪测量了不同工艺条件下淀积的SiO2薄膜的厚度和折射率。根据以...
关键词：等离子增强化学气相淀积 氧化硅 淀积速率 折射率 
低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究被引量：1
《新技术新工艺》2006年第11期34-35,共2页谭刚 吴嘉丽 李仁锋 
在研制器件过程中,多晶硅制备的工艺条件对其性能影响较大。讨论了低压化学气相淀积(LPCVD)关键材料多晶硅薄膜的基本原理,考察了工作压力、反应温度等对多晶硅薄膜淀积速率的影响,以及影响多晶硅薄膜质量的因素,提出了改进措施,优化了...
关键词：低压化学气相淀积 多晶硅薄膜 淀积速率 优化 
如何运用建中L42812-1/ZM型平板单室PECVD淀积生长速率低于100 /min的致密SiO_2膜层
《深圳特区科技》2005年第11期60-64,共5页杨彦伟 
本文主要通过对 PECVD 淀积 SiO_2膜的工艺原理和各工艺参数对长膜速率、致密性的影响的分析,并通过具体的工艺试验,最终得出了运用建中 L4281 2-1/ZM 型平板单室 PECVD 淀积生长速率低于100(?)/min 的致密 SiO_2膜层的最佳工艺条件。
关键词：等离子增强化学气相淀积(PECVD) SiO2膜层 湿氧退火 淀积速率 
低压化学气相淀积设备使用与维护技术
《设备管理与维修》2005年第S1期189-192,共4页谭刚 吴嘉丽 李仁锋 
LPCVD 是大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)以及半导体光电器件工艺领域里的主要工艺之一。PCVD 技术可以提高淀积薄膜的质量,使膜层具有均匀性好、缺陷密度低、台阶覆盖性好等优点,成为制备 Si_3N_4薄膜的主要方法。热壁 LP...
关键词：淀积 POLY 硅片 石英舟 淀积速率 LPCVD 设备使用 
SiH_2CL_2-NH_3-N_2体系LPCVD Si_3N_4薄膜因素分析被引量：1
《光学精密工程》2005年第z1期34-37,共4页谭刚 吴嘉丽 
以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅(Si3N4)薄膜的硅源和氨源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中反应生成Si3N4薄膜。考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对Si3N4薄膜淀积速率的影响。结果表明:Si...
关键词：SiH2CL2-NH3-N2体系 LPCVD 氮化硅薄膜 淀积速率 
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