低压化学气相淀积

作品数：26被引量：46H指数：4
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相关作者：李仁锋谭刚吴嘉丽周再发徐大为更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国工程物理研究院电子工程研究所东南大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
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低压化学气相淀积低应力氮化硅工艺研究被引量：4
《电子与封装》2021年第8期94-98,共5页王敬轩 商庆杰 杨志 
微机械加工(Micro-Electro Mechanical System,MEMS)工艺中常需要应用到低应力氮化硅作为结构层或钝化层材料,以降低圆片的翘曲。通过采用低压化学气相淀积工艺(Low Pressure Chemical-Vapor Deposition,LPCVD),优化工艺中反应气体流量...
关键词：微机械加工 低压化学气相淀积 低应力氮化硅 均匀性 
IGBT深槽刻蚀氮化硅硬掩膜制作工艺研究
《赣南师范大学学报》2019年第6期58-61,共4页袁寿财 韩建强 荣垂才 武华 李梦超 王兴权 
国家自然科学基金项目(51377025);江西省科技厅基金项目(20171BAB202037)。
硅基深槽刻蚀是槽栅IGBT器件的基本结构,也是确保器件性能的关键工艺,氮化硅硬掩蔽膜质量对于硅基深槽刻蚀起着重要的作用.本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺淀积氮化硅薄膜,具有均匀性好,而且呈现较大的张应力,可以补偿二氧化硅缓...
关键词：低压化学气相淀积 氮化硅 硅槽 刻蚀 
铜箔上制备CoSb_3纳米颗粒薄膜在锂离子电池电极中的应用
《固体电子学研究与进展》2019年第2期150-154,共5页夏丽 刘宪云 方佳怡 
国家青年科学基金资助项目(11404039);国家自然科学基金资助项目(41875026)
锂离子电池性能研究和提高已成为化学电源领域热点,使用低压化学气相沉积(LPCVD)法在铜箔上制备CoSb_3纳米颗粒薄膜,该薄膜不添加任何粘合剂,直接用作锂离子电池电极。50次充放电测试数据表明:使用CoSb_3纳米颗粒薄膜的电极充放电性能良...
关键词：CoSb3纳米颗粒薄膜 锂离子电池 电荷存储容量 低压化学气相淀积 
沟槽栅IGBT非晶Si填槽工艺研究与优化
《半导体技术》2018年第7期534-539,共6页汤光洪 高周妙 罗燕飞 李志栓 周燕春 
采用低压化学气相淀积（LPCVD）非晶Si填槽工艺代替LPCVD多晶Si填槽工艺,对沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件的沟槽进行非晶Si回填,研究并优化了高深宽比非晶Si填槽工艺。分析了LPCVD非晶Si工艺参数如PH3体积流量和沉积时间等对LPCV...
关键词：绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 低压化学气相淀积(LPCVD) 非晶Si 填槽工艺 无缝回填 高深宽比 
LPCVD氮化硅淀积工艺铁离子沾污研究
《半导体光电》2015年第1期63-65,70,共4页廖乃镘 赵志国 阙蔺兰 向华兵 李贝 李仁豪 
采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明,在氮化硅淀积工艺中,NH3和SiH2Cl2气体是Fe离子沾污的主要来源。通过对氮气进一步纯化处理、提高NH3和SiH2Cl2气体纯度和更换传输气体的金属...
关键词：铁离子沾污 氮化硅 低压化学气相淀积 表面光电压 
LPCVD背封片表面颗粒问题研究被引量：7
《电子工艺技术》2014年第3期170-172,共3页高丹 佟丽英 
国家部委基金资助项目
采用LPCVD工艺对硅片背封SiO2薄膜,可以有效地防止外延工序中的自掺杂效应,消除杂质对外延工艺的不利影响。但是当背封好的硅片经抛光放置后,抛光面有亮点,并且随着时间的推移越来越多,严重影响了外延片质量。通过对比不同工艺条件下背...
关键词：低压化学气相淀积 颗粒 二氧化硅 
4H-SiC MESFET工艺中的高温氧化及介质淀积技术被引量：1
《半导体技术》2012年第4期280-283,共4页付兴昌 潘宏菽 
采用自主开发的4H-SiC高温氧化技术,并结合低压化学气相淀积方法,在器件表面形成较为致密的氧化层,降低了器件的反向泄漏电流,提高了器件的击穿电压,同时也提高了器件的输出功率及功率增益,为器件长期稳定可靠工作奠定了工艺基础。采用...
关键词：碳化硅 微波功率器件 氧化 低压化学气相淀积 S波段 
TEOS LPCVD技术在SiC功率器件工艺中的应用
《半导体技术》2011年第6期439-442,共4页胡玲 杨霏 商庆杰 潘宏菽 
应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用,既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力,...
关键词：低压化学气相淀积 正硅酸乙酯 碳化硅 微波功率器件 二氧化硅 
SiC MESFET反向截止漏电流的研究被引量：4
《半导体技术》2010年第8期784-786,共3页崔现锋 潘宏菽 
给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升。从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和...
关键词：反向截止漏电流 碳化硅金属外延半导体场效应晶体管 氧化 低压化学气相淀积 
LPCVD氮化硅薄膜工艺研究
《集成电路通讯》2010年第2期10-14,共5页高博 
氮化硅薄膜在半导体器件制造、薄膜加工、MEMS中有着广泛的应用。利用低压化学气相淀积（LPCVD）技术，在800℃温度下，不同的工艺气体流量比生成的氮化硅薄膜，其薄膜成份中的硅氮比会有不同，造成薄膜特性也不同。通过测试氮化硅薄膜...
关键词：低压化学气相淀积(LPCVD) 氮化硅 均匀性 
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