杨志

作品数:27被引量:63H指数:5
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供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题:硅基谐振器MEMS衬底腔体更多>>
发文领域:电子电信机械工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
发文期刊:《数字技术与应用》《现代信息科技》《河北工业大学学报》《电子工业专用设备》更多>>
所获基金:国家部委资助项目河北省科技计划项目河北省高等学校科学技术研究指导项目博士科研启动基金更多>>
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硅基高压电容器的制作方法
《电子工艺技术》2024年第6期19-21,共3页杨志 董春晖 王敏 王敬轩 商庆杰 付兴中 张力江 
基于微电子机械系统(MEMS)工艺,给出一种硅基高压电容器结构及工艺制作方法。设计得到了容值为2 nF、芯片尺寸为2 mm×2 mm×0.3 mm的硅基电容器。研究了制作该结构的工艺方案,解决了工艺过程中的关键技术,并给出了工艺结果。最终,实现...
关键词:硅基电容器 微电子机械系统(MEMS) 高压 TSV技术 
基于TSV技术的硅基高压电容器
《电子工艺技术》2024年第5期36-38,共3页杨志 董春晖 王敏 王敬轩 商庆杰 付兴中 张力江 
以微机电系统(MEMS)工艺设计并制作了一种基于TSV技术的高压电容器。给出了电容器的结构形式,理论分析计算了电容器的容值参数,设计得到了容值为2 nF,芯片尺寸为2 mm×2 mm×0.3 mm的硅基电容器。提出一套MEMS工艺的硅基电容器的制作流...
关键词:微电子机械系统 硅基电容器 高压 TSV 
自动测试技术在MEMS硅腔滤波器工艺中的应用
《电子工业专用设备》2024年第4期54-57,共4页王晓倩 杨志 
在微波通信系统中,滤波器作为通信系统中不可缺少的微波无源器件,其性能指标直接影响整个通信系统的性能。与传统滤波器相比,微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)滤波器具有集成度高、小型化等优点,其中腔体结构在RF MEM...
关键词:滤波器 腔体深度 自动测试 过程控制监控 中心频率 
高密度电容器件的制备及其可靠性
《电子工艺技术》2024年第3期13-16,共4页商庆杰 王敬轩 董春晖 宋洁晶 杨志 
介绍了一种基于微机械加工技术(MicroElectronMechanical System,MEMS)的硅基高密度电容芯片的制备方法。该电容芯片采用了深孔刻蚀、介质淀积生长以及原位掺杂多晶硅等工艺技术,实现了高击穿电压(50V@1μA)、高电容密度(38.8~39.5nF/mm...
关键词:微系统芯片 高密度电容 深孔刻蚀 原位掺杂多晶硅 
基于微谐振器的圆片级真空封装真空度测试技术被引量:1
《微纳电子技术》2024年第5期162-167,共6页胥超 王敏 杨志 
针对微电子机械系统(MEMS)圆片级封装腔体体积小、传统的真空封装测试方法适用性差的情况,研制了一种用于表征圆片级真空封装真空度的器件——MEMS微谐振器。利用此谐振器不仅可以表征圆片级真空封装真空度,也可用于圆片级真空封装漏率...
关键词:微电子机械系统(MEMS) 微谐振器 品质因数 真空度 圆片级真空封装 
多层堆叠中晶圆级金金键合的可靠性提升被引量:2
《电子工艺技术》2024年第2期19-21,28,共4页商庆杰 张丹青 宋洁晶 杨志 
基于电学互联的贯穿硅通孔技术和高精度金金圆片键合技术,开发了一套可应用于制备三维集成射频(RF)收发系统的工艺,并利用反应离子刻蚀机(RIE)中氧气加六氟化硫的键合前处理技术解决了多层堆叠中键合强度较弱的问题。经过扫描电镜(SEM)...
关键词:金金键合 多层堆叠 反应离子刻蚀机 MEMS 
有限元仿真优化布局解决金金键合局域化问题
《电子与封装》2024年第4期8-13,共6页张丹青 韩易 商庆杰 宋洁晶 杨志 
晶圆金金键合技术在集成电路封装、微机电系统(MEMS)器件制造、CMOS图像传感器制作及LED制造等行业中被广泛应用。在MEMS环形器的制造过程中,由于金金键合的压力分布不均匀,导致其键合有效区域仅限于键合区域的边缘位置,即存在键合局域...
关键词:封装技术 金金键合 MEMS环形器 有限元仿真 
采用约束性逐级低温退火实现碳化硅与硅的低应力异质键合
《微纳电子技术》2023年第12期2035-2040,共6页张丹青 宋洁晶 商庆杰 杨志 
基于直接键合方法,通过约束性逐级低温退火实现了碳化硅与硅的低应力异质键合,得到了翘曲度小于5μm、平均应力约32 MPa、键合完整性极高的6英寸(1英寸=2.54 cm)晶圆。通过水接触角测试、红外图像检测、翘曲度和应力测试、扫描电子显微...
关键词:碳化硅  异质键合 直接键合 低应力 约束性逐级低温退火 
Sn-Cu-Au低温圆片键合强度偏低原因分析
《电子工艺技术》2023年第5期46-50,共5页胡立业 何洪涛 杨志 
分析了某MEMS器件Sn-Cu-Au低温圆片键合强度偏低的原因,发现该问题主要由“金脆”现象引起。结合实践经验和相关文献,总结了“金脆”现象发生的一般规律,制定了一个可以避免该现象发生的工艺方案,并开展了针对性的验证试验。试验结果表...
关键词:Sn-Cu-Au低温圆片 键合 金脆 金属间化合物 锡基焊料 键合强度 剪切强度 剪切力 
硅基MEMS微同轴的工艺技术
《现代信息科技》2022年第11期73-75,共3页董春晖 杨志 申晓芳 李宏军 
采用硅基MEMS工艺技术制备了具有微同轴传输线与垂直转接结构的微同轴芯片。制备工艺采用先干法刻蚀形成硅立体结构,再进行侧壁选择性金属化工艺,形成了包裹金属的线芯与无金属的硅支撑梁。采用上、中、下3层晶圆分别制备了TSV、悬置线...
关键词:MEMS 微同轴 低插损 空气填充 
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