高丹

作品数：5被引量：9H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：LPCVD封片二氧化硅低压化学气相淀积沉积温度更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《合肥工业大学学报（自然科学版）》《电子工业专用设备》《电子工艺技术》《天津科技》更多>>
所获基金：国家部委资助项目国防基础科研计划更多>>
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一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法
《电子工业专用设备》2021年第2期43-45,共3页高丹 
为了查找影响MEMS(微机电系统)器件缺陷的关键因素,通过模拟键合硅片的加工工艺开展了实验,探索出一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法。结果表明这种检验方法可以提前判断硅单晶是否可用于MEMS体硅工艺,对工业化生产具有很好的指导借鉴作用。
关键词：微机电系统 单晶缺陷 检验方法 
APCVD制备SiOx薄膜工艺研究被引量：1
《电子工业专用设备》2020年第5期29-33,共5页云娜 康洪亮 高丹 佟丽英 
简单介绍常压化学气相沉积法(APCVD)制备氧化硅薄膜的基本原理和工艺。通过调整不同的沉积温度、硅烷流量、稀释氮气流量、分离氮气流量、皮带带速等工艺参数,对所沉积的氧化硅薄膜的厚度及沉积效率进行了分析研究。发现随着硅烷流量或...
关键词：常压化学气相沉积 硅烷 膜厚 流量 沉积温度 
LPCVD设备维护保养的重要性分析
《天津科技》2018年第6期76-78,共3页董军恒 高丹 
LPCVD设备是目前国内外半导体集成电路,半导体光电器件制备工艺中常用的CVD设备之一。简要分析正硅酸乙酯源低压化学气相淀积法淀积SiO_2膜过程中产生的问题,并根据实际使用的经验,对低压化学气相淀积法设备在生产过程中出现的问题进行...
关键词：低压化学气相淀积法设备 淀积速率 均匀性 真空度 
直拉硅单晶中微缺陷的特征及演变被引量：1
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2016年第9期1196-1198,1225,共4页佟丽英 高丹 
国防基础科研资助项目(A1120132018)
直拉硅单晶抛光片经过高温氧化后,腐蚀显示出氧化诱生缺陷,包括漩涡缺陷和氧化层错(oxidation induced stacking faults,OISF),其形状和分布与单晶生长过程中形成的微缺陷有一定的对应关系。文章通过试验显示出漩涡缺陷的内部特征及OIS...
关键词：微缺陷 氧化诱生 漩涡缺陷 氧化层错 
LPCVD背封片表面颗粒问题研究被引量：7
《电子工艺技术》2014年第3期170-172,共3页高丹 佟丽英 
国家部委基金资助项目
采用LPCVD工艺对硅片背封SiO2薄膜,可以有效地防止外延工序中的自掺杂效应,消除杂质对外延工艺的不利影响。但是当背封好的硅片经抛光放置后,抛光面有亮点,并且随着时间的推移越来越多,严重影响了外延片质量。通过对比不同工艺条件下背...
关键词：低压化学气相淀积 颗粒 二氧化硅 
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