常压化学气相沉积

作品数：50被引量：131H指数：8
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相关机构：浙江大学北京大学中南大学中国科学院金属研究所更多>>
相关期刊：《应用技术学报》《半导体技术》《硅酸盐学报》《北京大学学报（自然科学版）》更多>>
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重掺硅片表面APCVD法生长SiO_(2)薄膜的致密性
《半导体技术》2024年第6期544-548,共5页史延爽 王浩铭 田原 张旭 武永超 
在硅片加工过程中,金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流,甚至直接导致pn结禁带宽度变窄,为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象,通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO_(2)薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 c...
关键词：常压化学气相沉积(APCVD)法 SiO_(2)薄膜 致密性 自掺杂 沉积速率 
介电衬底上利用常压CVD直接生长石墨烯复合纳米银表面增强拉曼研究
《表面技术》2023年第8期387-396,共10页程淏泽 刁航 张召凯 张菀颖 姜凯 张闽 张杰 陈昕 朴贤卿 蔺博 敬承斌 宋也男 
中央高校基本科研业务基金;华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心主任基金;上海市城市化生态过程与生态恢复重点实验室开放课题(SHUES2022B01)。
目的为了进一步完善Ag基表面增强拉曼(SERS)基底,提升其性能,设计了制备SERS基底的新型方法,采用2种方法制备分别得到转移石墨烯纳米银复合SERS基底(Transfer-G/Ag/SiO_(2)基底)和纳米银石墨烯复合基底(Ag/G/SiO_(2)基底),并对2种基底...
关键词：介电衬底 石墨烯 常压化学气相沉积 纳米银 表面增强拉曼 
无氢硅烷常压化学气相沉积SiO_(x)薄膜在晶体硅太阳能电池制造中的应用
《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》2023年第6期49-51,共3页高艳飞 
本研究主要探讨晶体硅太阳能电池制造工业中,对无氢硅烷常压化学气相沉积SiO_(x)薄膜的有效应用。通过三组样品分析了常压化学气相沉淀 SIO_(X)薄膜内存在的结构缺陷与耐久性,室温下,在热板中开展退火实验,对比常压化学气相沉淀 SIO_(X...
关键词：常压化学气相沉淀 SIO_(X)薄膜 晶体硅 太阳能电池 
在不同基底上APCVD生长石墨烯及其生长机制
《微纳电子技术》2022年第12期1343-1351,共9页张召凯 宋也男 
石墨烯的常压化学气相沉积(APCVD)生长通常在具有催化活性的Cu、铜镍(Cu-Ni)合金等金属基底表面进行,生长基底的单一性和模糊的生长机制大大限制了APCVD在石墨烯大规模制备中的应用前景。使用乙醇作为液态碳源,在石墨烯的APCVD生长过程...
关键词：常压化学气相沉积(APCVD) 石墨烯 气相色谱 金属基底 SiO_(2)/Si 
化学气相沉积技术在先进CMOS集成电路制造中的应用与发展被引量：2
《智能物联技术》2022年第1期1-7,共7页倪金玉 LEE ChoongHyun 何慧凯 赵毅 
浙江省“领雁”研发攻关计划,“面向图像应用的感存算融合芯片研究”(No.2022C01098);科技创新2030-“新一代人工智能”重大项目(批准号:2020AAA0109001);中央高校基本科研业务费专项资金资助(批准号:2020XZZX005-06)。
随着CMOS集成电路晶体管尺寸不断微缩及其制造工艺的日益复杂,对化学气相沉积CVD薄膜制备工艺的要求越来越高。本文主要研究了用于介质间隙填充的流CVD技术和用于SiGe选择性外延的亚常压CVD技术,重点介绍了它们的工艺原理和方法,以及薄...
关键词：CMOS集成电路制造工艺 介质间隙填充 流化学气相沉积 选择性外延 亚常压化学气相沉积 
浮法玻璃在线镀膜技术现状与发展被引量：2
《玻璃》2021年第10期44-52,共9页刘起英 史国华 
介绍了浮法玻璃在线镀膜技术的种类、发展历史与现状。经历电浮法、热喷涂等镀膜技术之后,常压化学气相沉积已成为当今最主要的在线镀膜技术,产品种类包括以硅质膜为代表的阳光控制镀膜玻璃、以氧化锡导电膜为代表的低辐射镀膜玻璃和功...
关键词：在线镀膜 浮法玻璃 常压化学气相沉积 电浮法 热喷涂 
无氢硅烷常压化学气相沉积SiO_(x)薄膜在晶体硅太阳能电池制造中的应用
《山西化工》2021年第5期27-28,34,共3页赵毅 
提出SiO_(x)薄膜沉积在成本效益高的实验室规模三维打印常压化学气相沉积装置,研究了镀层的完整性、与各种表面的一致性以及处理后的回弹性,并讨论了常压化学气相沉积(APCVD)法制备的薄膜。研究表明,在不同的应用中,常压化学气相沉积法...
关键词：无氢硅烷 SiO_(x)薄膜 晶体硅太阳能电池 
废弃烟头衍生多孔碳的制备及其电容吸附去离子电极的盐水淡化性能
《华东理工大学学报（自然科学版）》2021年第3期361-369,共9页徐城 李宇焓 金亦凡 闫志杰 张原源 钱敏 林功伟 龚尚庆 
大学生创新创业训练计划国家级资助项目(201910251087)。
利用常压化学气相沉积,以KOH作为活化剂,在500~700℃制备了废弃烟头(WCFs)衍生多孔碳(MMCs)。比表面实验测试表明,废弃烟头衍生多孔碳的比表面积随着活化温度的升高而增加。当活化温度为700℃时,废弃烟头衍生多孔碳(MMC700)呈现微孔主...
关键词：常压化学气相沉积 废弃烟头 微孔碳 电容吸附去离子 
APCVD制备SiOx薄膜工艺研究被引量：1
《电子工业专用设备》2020年第5期29-33,共5页云娜 康洪亮 高丹 佟丽英 
简单介绍常压化学气相沉积法(APCVD)制备氧化硅薄膜的基本原理和工艺。通过调整不同的沉积温度、硅烷流量、稀释氮气流量、分离氮气流量、皮带带速等工艺参数,对所沉积的氧化硅薄膜的厚度及沉积效率进行了分析研究。发现随着硅烷流量或...
关键词：常压化学气相沉积 硅烷 膜厚 流量 沉积温度 
三维网络状SnO2/C纳米链的制备与表征
《实验室科学》2019年第6期22-25,28,共5页余凌竹 王忠辉 路姣 孟国龙 
四川大学实验技术立项(项目编号:20170212)。
提供了一种工艺简单,原料易得,过程消耗低的制备三维网络状SnO2/C纳米链的新方法。首先利用丁烷燃烧得到三维网络状结构的碳纳米材料,然后通过常压化学气相沉积法在碳表面沉积SnO2得到了三维网络状的SnO2/C复合纳米材料。进一步利用扫...
关键词：SnO2/C纳米链 三维网络状结构 常压化学气相沉积 
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