武永超

作品数:9被引量:19H指数:3
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供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
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发文领域:电子电信机械工程更多>>
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重掺硅片表面APCVD法生长SiO_(2)薄膜的致密性
《半导体技术》2024年第6期544-548,共5页史延爽 王浩铭 田原 张旭 武永超 
在硅片加工过程中,金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流,甚至直接导致pn结禁带宽度变窄,为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象,通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO_(2)薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 c...
关键词:常压化学气相沉积(APCVD)法 SiO_(2)薄膜 致密性 自掺杂 沉积速率 
200mm超薄硅片边缘抛光技术
《半导体技术》2023年第3期213-217,共5页武永超 史延爽 王浩铭 龚一夫 张旭 赵权 
在大尺寸硅片外延加工过程中,边缘损伤极易导致外延层位错的产生。厚度为450μm的超薄硅片因其机械强度较低,在边缘抛光过程中极易导致碎片产生。为此采用化学机械抛光(CMP)对8英寸(1英寸=2.54 cm)超薄硅片进行边缘抛光,通过优化工艺参...
关键词:边缘抛光 大尺寸超薄硅片 化学机械抛光(CMP) 边缘损伤 边缘粗糙度 
外延生长用磷化铟单晶片清洗技术被引量:3
《半导体技术》2016年第8期620-624,共5页武永超 林健 刘春香 王云彪 赵权 
根据磷化铟晶片的清洗机理,进行了三组磷化铟晶片清洗实验,并使用原子力显微镜(AFM)、表面分析仪和X射线光电子能谱(XPS)对晶片的化学成分、表面粗糙度及均匀性进行了表征,最终确定了氧化-酸剥离的磷化铟清洗工艺,并对清洗过程中晶...
关键词:磷化铟单晶衬底 表面雾值 表面粗糙度 原子力显微镜(AFM) X射线光电子能谱(XPS) 
硅片背面软损伤工艺技术研究被引量:2
《电子工业专用设备》2013年第11期12-18,共7页武永超 赵权 陆峰 佟丽英 
硅中的金属离子杂质会明显降低少子寿命,并进一步影响硅器件的性能。因此对硅片背面喷砂工艺进行了系统的研究。通过喷砂工艺,在硅片背面形成软损伤层,使硅片具有了吸杂能力,并从吸杂机理出发,解决了吸杂工艺带来的硅抛光片表面颗粒效应...
关键词:喷砂工艺 硅片软损伤吸杂 颗粒去除 金属 
重掺<100>硅单晶抛光片条纹状起伏缺陷研究
《电子工艺技术》2012年第5期312-315,共4页王云彪 张为才 武永超 陈亚楠 
重掺<100>硅单晶片抛光后经微分干涉显微镜观测,抛光片边缘区域存在条纹状起伏缺陷。通过分析条纹状起伏缺陷与重掺硅单晶中杂质的分布状况和<100>晶面本身腐蚀特性的关系,阐述了条纹状起伏缺陷形成的机理。通过工艺试验,对比了不同工...
关键词:条纹起伏缺陷 微观形貌 抛光片 
超薄硅双面抛光片抛光工艺技术被引量:4
《电子工业专用设备》2011年第3期21-23,42,共4页赵权 杨洪星 刘春香 吕菲 王云彪 武永超 
MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求。介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法。通过对硅片抛光机理[1]、抛光方式...
关键词:超薄 硅双面抛光片 抛光工艺 
硅抛光片表面颗粒度控制被引量:4
《电子工业专用设备》2010年第10期20-22,47,共4页武永超 杨洪星 张伟才 宋晶 赵权 
硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等会严重影响器件性能,其中表面颗粒度会引起图形缺陷、外延缺陷、影响布线的完整性,是高成品率的最大障碍。探讨了如何减少硅表面颗粒度的方法。第一部分从兆声波清洗的...
关键词:兆声波清洗 硅片湿法化学清洗 颗粒去除 
激光技术在半导体行业中的应用被引量:6
《电子工业专用设备》2010年第2期10-13,共4页杨洪星 刘晓伟 陈亚楠 武永超 赵权 
激光技术自诞生以来,受到了广泛地关注,并逐步拓展了其应用领域。对激光技术在晶片/芯片加工领域的应用、激光打标技术、激光测试技术以及激光脉冲退火技术(LSA)进行简要的介绍。
关键词:激光 激光打标 激光测试 脉冲退火技术 
半导体材料加工过程的化学方法应用
《电子工业专用设备》2009年第11期32-34,45,共4页刘玉岭 张伟才 武永超 
在半导体材料的加工过程中,很多重要步骤都涉及到了化学作用,讨论了半导体材料加工过程中化学缓蚀、化学机械抛光和清洗步骤的化学作用原理,介绍了从化学角度分析和优化半导体加工工艺的观点。
关键词:半导体材料 缓蚀 化学机械抛光 清洗 
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