抛光片

作品数:136被引量:95H指数:4
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大尺寸半导体硅单晶品质管控理论与技术的挑战与对策
《科学通报》2025年第4期544-548,共5页马向阳 原帅 赵统 杨德仁 
国家自然科学基金(62174145)资助
硅片作为基础材料,支撑了集成电路产业在过去半个多世纪一直遵循摩尔定律的发展,并仍将在可预见的将来继续发挥无可替代的作用.集成电路用大尺寸(如:直径300 mm)硅片包括抛光片和外延片两大类,前者是由直拉法生长的大尺寸硅单晶经过切...
关键词:集成电路 硅单晶 外延工艺 抛光片 外延片 线宽 摩尔定律 半导体 
探究碳化硅单晶抛光片激光加工技术
《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》2023年第8期47-50,共4页张明明 吴德宝 
随着现代科技的不断发展,企业如果可以控制新一代材料则可控制新一代器件,此时也可以走在科技发展的最前列。当前碳化硅单晶材料是半导体材料中最为新型的材料,自身具有宽度大,击穿性强,漂移速度高的特点,热导率较大,因此电导数较小,所...
关键词:碳化硅单晶材料 抛光片 激光加工技术 
半导体应用需求强劲 国产龙头有研硅潜力巨大
《投资有道》2022年第12期64-65,共2页夏珖玘 
有研半导体硅材料股份公司(以下简称:有研硅)主要从事半导体硅材料的研发、生产和销售,主要产品包括半导体硅抛光片、刻蚀设备用硅材料、半导体区熔硅单晶等,主要用于分立器件、功率器件、集成电路、刻蚀设备用硅部件等的制造,并广泛应...
关键词:分立器件 半导体 集成电路 硅材料 硅抛光片 潜力巨大 功率器件 科创板 
锑化铟抛光片表面粗糙度优化研究
《红外》2022年第12期20-25,共6页孔忠弟 赵超 董涛 
锑化铟是中波红外探测应用较广的材料。抛光片的表面粗糙度是影响器件性能的关键指标。研究了锑化铟化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)液的pH值、氧化剂比例以及抛光液流速对锑化铟抛光片表面粗糙度的影响,并结合原子力...
关键词:锑化铟 表面粗糙度 PH值 氧化剂比例 抛光液流速 抛光宏观质量 
SiC功率器件制造中的湿法工艺设备研究
《电子工业专用设备》2022年第4期48-52,共5页宋文超 贾祥晨 李家明 王洪建 刘广杰 
简述了SiC功率器件制造工艺流程,对常用的抛光片清洗、RCA清洗、SPM湿法去胶、有机去胶、SiO2腐蚀、金属腐蚀和金属剥离等湿法设备进行了应用研究,对于提升SiC功率器件成品率起着重要的作用。
关键词:SiC功率器件 抛光片清洗 有机去胶 金属湿法腐蚀 金属剥离 
芯微电子冲刺创业板!募资5.5亿加码功率半导体
《变频器世界》2022年第3期35-35,共1页
近日,深交所正式受理了黄山芯微电子股份有限公司(简称“芯微电子”)的创业板上市申请。资料显示,芯微电子是一家专注功率半导体芯片、器件及材料研发、生产和销售的高新技术企业,产品以晶闸管为主,同时涵盖MOSFET、整流二极管和肖特基...
关键词:创业板 半导体芯片 整流二极管 肖特基二极管 功率半导体 微电子 电力传输 抛光片 
硅溶胶抛光液对硅单晶抛光片表面质量的影响被引量:2
《半导体技术》2021年第10期788-794,共7页索开南 张伟才 杨洪星 郑万超 
硅抛光片表面质量除了受抛光工艺参数影响外,在很大程度上还受抛光液的影响。通过检测表面Haze值和粗糙度,研究硅抛光片表面形貌,分析不同抛光液对抛光片表面质量的影响,确定不同抛光阶段对抛光液的要求。研究结果表明粗抛光过程是以化...
关键词:硅抛光片 硅溶胶 抛光液 Haze值 粗糙度 
锗抛光片表面清洗研究进展被引量:1
《科技风》2021年第2期179-180,共2页周铁军 廖彬 马金峰 宋向荣 
国家工信部2019年工业强基-超薄锗单晶实施方案(编号:TC190A4DA/34)项目资助。
论述了锗晶片表面清洗的不同方法以及表面清洗的机理。锗晶片的表面清洗分为干法清洗和湿法清洗。湿法清洗一般采用氧化、剥离的清洗原理,即首先采用氧化性溶液将锗晶片表面进行氧化,然后再用一定的化学方法将晶片表面的氧化物去除,从...
关键词:锗片 湿法清洗 干法清洗 
环境因素对锗单晶抛光片表面质量的影响
《半导体技术》2020年第11期880-885,共6页杨洪星 王雄龙 索开南 杨静 陈晨 
由于Ge材料具有较为活泼的化学性质,易与环境中的氧化剂发生化学反应,使Ge单晶抛光片表面质量因表面化学组成的变化而出现恶化,降低交付可靠性。通过实验验证了在氧化性氛围中,Ge单晶抛光片表面易产生雾,且随着时间延长而逐渐增多,直至...
关键词:Ge 抛光片 净化等级 化学气氛 表面质量 
有蜡贴片工艺对4英寸SiC抛光片几何参数的影响
《半导体技术》2020年第8期638-644,共7页高飞 李晖 张弛 
研究了单面抛光中有蜡贴片工艺对抛光后4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC晶片总厚度变化(TTV)和翘曲度的影响。分别选择固体蜡和液体蜡进行贴片实验,采用平面度测量仪检测加工前后晶片的TTV和翘曲度,采用数显千分表测量贴片及单面抛光后晶片表面...
关键词:有蜡贴片工艺 SiC晶片 总厚度变化(TTV) 翘曲度 液体蜡 
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