湿法清洗

作品数：41被引量：118H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张昱刘宇陈波向霞蒋晓东更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司上海华力微电子有限公司华虹半导体(无锡)有限公司更多>>
相关期刊：《微处理机》《微电子学》《冶金动力》《化学试剂》更多>>
相关基金：国防科技技术预先研究基金江苏省新型环保重点实验室开放课题基金江苏省高校科研成果产业化推进项目江苏省“青蓝工程”基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
蓝宝石衬底湿法清洗工艺研究
《清洗世界》2024年第3期49-52,共4页吴国安 胡中伟 王振 徐翊翔 李瑞评 谢斌晖 
国家自然科学基金(No.52175404)。
蓝宝石衬底作为LED芯片衬底,不仅要求具有较高的面型精度和表面质量,而且对衬底表面清洁度也有严格要求。实验以抛光后的蓝宝石衬底为对象,首先分析了抛光后的蓝宝石衬底表面污染物主要元素。随后开展抛光后的蓝宝石衬底的单因素湿法清...
关键词：蓝宝石衬底 湿法清洗 清洗剂浓度 正交实验 
丝织品铁锈锈斑污染物清洗工艺探究
《丝绸》2022年第11期1-9,共9页缪斌斌 赵作勇 王越平 
北京服装学院研究生科研创新项目(X2022-040);北京服装学院研究生高水平拔尖创新人才培育项目(120301990132)。
铁锈锈斑污染物常见于甲胄类纺织品文物,不仅影响文物的观赏价值,还会加速纤维老化。文章对丝织品锈斑污染清洗工艺进行了探究。针对丝织品铁锈污染模拟样,筛选出适合的表面活性剂及清洗条件,基于正交实验分析EDTA-2Na质量浓度、抗坏血...
关键词：丝织品 铁锈锈斑污染 湿法清洗 乙二胺四乙酸二钠 抗坏血酸 协同作用 文物清洗 
基于氟塑料的超洁净气动液体隔膜阀结构设计与制备被引量：5
《电子工业专用设备》2022年第5期5-9,28,共6页唐金鑫 杜亮 李培源 陈波 李超波 
湿法清洗制程是影响集成电路芯片良率的重要因素,气动液体隔膜阀是湿法装备中核心零部件之一。为了解决阀门的生产问题,以集成电路用超洁净气动液体隔膜阀为例,对其结构工作原理和关键密封件进行了论述,并基于氟塑料从原料、结构设计与...
关键词：集成电路 湿法清洗 氟塑料 气动隔膜阀门 
LED用蓝宝石平片湿法清洗研究
《电子元器件与信息技术》2022年第6期22-24,28,共4页罗荣煌 
目前的工业化生产中主要通过化学机械抛光来清洗平片,经过抛光后的平片表面布满悬挂键,表面活性高,极易吸引污染物。本文对LED用蓝宝石平片湿法清洗工艺展开研究,通过正交试验,研究清洗参数对蓝宝石平片良率、明缺和暗缺的影响。实验结...
关键词：图形化蓝宝石衬底(PSS) SPM 湿法清洗 正交试验 
单晶圆湿法清洗工艺中铝金属腐蚀问题研究
《半导体技术》2022年第1期46-49,共4页汤莉娟 周广伟 施海铭 
在集成电路制造中,湿法清洗工艺中铝金属腐蚀是一种致命缺陷,它的出现将引发产品的可靠性问题。通过控制清洗过程中的工艺参数,增加起侧壁保护作用的铝金属氧化层的厚度,从而抑制铝金属腐蚀缺陷的产生。随着清洗溶液温度的降低,晶圆清洗...
关键词：铝金属腐蚀 湿法清洗 侧壁保护 集成电路制造 单晶圆 
晶圆缺陷的种类及处理方法研究被引量：4
《现代工业经济和信息化》2021年第6期135-136,共2页郭帝江 常志 
人工参与的集成电路制造过程,不可避免地会引入各种污染,产生晶圆缺陷,对于器件的良率等性能参数有很大的影响。对半导体晶圆在湿法清洗工艺中可能导致的各种缺陷成因进行分析,并对缺陷的处理方式做了简要探讨。
关键词：半导体晶圆 湿法清洗 缺陷 
锗抛光片表面清洗研究进展被引量：1
《科技风》2021年第2期179-180,共2页周铁军 廖彬 马金峰 宋向荣 
国家工信部2019年工业强基-超薄锗单晶实施方案(编号:TC190A4DA/34)项目资助。
论述了锗晶片表面清洗的不同方法以及表面清洗的机理。锗晶片的表面清洗分为干法清洗和湿法清洗。湿法清洗一般采用氧化、剥离的清洗原理,即首先采用氧化性溶液将锗晶片表面进行氧化,然后再用一定的化学方法将晶片表面的氧化物去除,从...
关键词：锗片 湿法清洗 干法清洗 
无氧铜电真空器件表面洁净工艺研究被引量：1
《电子工业专用设备》2020年第5期13-16,共4页王殿 魏宇祥 
无氧铜器件作为微波功率放大以及超导器件的核心器件,由于信号传输需求,封装环节经常在真空环境中进行,故如何对无氧铜电真空器件进行表面洁净成为真空封装工艺中的重点。在经过化学除油、酸洗、水洗工艺后利用热氮气对无氧铜进行表面...
关键词：无氧铜 电真空器件 湿法清洗 
铜互连清洗工艺中铜腐蚀问题的研究被引量：1
《功能材料与器件学报》2020年第4期251-256,共6页金新 宋振伟 
本文概述了集成电路铜互连清洗工艺中常见的铜腐蚀缺陷的基本常识,介绍了大马士革工艺湿法清洗导致铜互连腐蚀的形成过程。AIO孔洞下方的铜金属被腐蚀,导致电路连接断路无法正常作业,造成良率损失。本文设计实验研究了铜腐蚀现象,结合...
关键词：铜互连 双大马士革工艺 双大马士革湿法清洗 光致铜腐蚀 静电消除 
红外探测器湿法工艺关键设备制造技术研究
《电子工业专用设备》2020年第4期17-19,64,共4页张伟锋 亢喆 吴卿 
介绍了红外探测器制造工艺流程,着重阐述了碲镉汞(HgCdTe)、锑化铟(InSb)红外焦平面探测器制造工去胶清洗、背面保护膜清洗、表面减薄工艺特殊性及湿法清洗技术重要性。结合红外探测器基片材料软脆特性,重点论述无损伤超洁净擦洗技术、...
关键词：红外探测器 湿法清洗 无损伤擦洗 表面减薄 自动称重 
全选清除导出
共5页<12345>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部