单晶圆

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单晶圆湿法清洗工艺中铝金属腐蚀问题研究
《半导体技术》2022年第1期46-49,共4页汤莉娟 周广伟 施海铭 
在集成电路制造中,湿法清洗工艺中铝金属腐蚀是一种致命缺陷,它的出现将引发产品的可靠性问题。通过控制清洗过程中的工艺参数,增加起侧壁保护作用的铝金属氧化层的厚度,从而抑制铝金属腐蚀缺陷的产生。随着清洗溶液温度的降低,晶圆清洗...
关键词：铝金属腐蚀 湿法清洗 侧壁保护 集成电路制造 单晶圆 
无损伤单晶圆兆声波清洗系统的研究与应用
《电子测试》2019年第22期93-94,共2页杨慧毓 李相鑫 许璐 李文杰 吴仪 
集成电路自从诞生以来,特征尺寸已经不断缩减,随之而来的是对晶圆清洗的要求越来越高。兆声波技术的应用能够降低颗粒污染物与硅片之间的黏附力,是有效提高清洗效果的手段。在65nm技术代及以下,常规的兆声波清洗会造成晶圆微结构的损伤...
关键词：半导体 清洗技术 无损伤 兆声波 
单晶圆擦洗技术及优化方案的研究被引量：2
《清洗世界》2019年第6期13-14,共2页王文丽 黄鑫亮 夏楠君 祝福生 赵宝君 王勇威 
本文基于单晶圆擦洗的原理,分析了单晶圆擦洗常见的两种方案的缺点,提出了适合单晶圆擦洗的优化方案。
关键词：单晶圆 擦洗 优化 
单晶圆注入机注入角度测量与补偿系统设计
《电子工业专用设备》2017年第2期11-15,共5页袁卫华 钟新华 彭立波 
在超大规模集成电路生产线宽45 nm及以下的注入工艺环节中,离子束注入晶圆角度精度控制变得愈显重要,注入角度的细小差别引起掺杂元素在晶体管中的分布深度和范围的变化,进而导致器件参数和性能的巨大变化。研究表明注入角度控制取决于...
关键词：单晶圆 注入机 角度 测量 补偿 
无损伤单晶圆兆声波清洗装置的研发被引量：2
《半导体技术》2016年第11期857-863,共7页滕宇 陈洁 冯晓敏 刘伟 刘效岩 吴仪 
国家科技重大专项资助项目(2013ZX02103)
在半导体制造中,随着集成电路特征尺寸的不断缩小,晶圆表面纳米颗粒污染物的无损伤清洗变得越来越具有挑战。介绍了一种自主研发的单晶圆兆声波清洗装置,利用石英微共振腔阵列对到达晶圆表面的兆声波能量进行控制。研究了不同工艺条件...
关键词：颗粒去除效率 兆声波清洗 无损伤 图形晶圆 纳米颗粒污染物 
全自动单晶圆铝腐蚀清洗机工艺原理与工作过程介绍被引量：4
《电子工业专用设备》2013年第6期1-4,31,共5页宋文超 陈仲武 姚立新 张利军 王刚 
介绍了几种常用的晶圆金属铝膜腐蚀工艺,并详细讲解了全自动单晶圆铝腐蚀清洗机采用第四种工艺配方进行金属铝膜腐蚀清洗的工艺过程。同时,简单介绍了为提高腐蚀清洗效果而设计的两套子系统的工作原理。
关键词：半导体 铝腐蚀 单晶圆清洗 自动设备 
单晶圆兆声清洗技术研究及兆声喷头方案优化被引量：4
《电子工业专用设备》2011年第1期15-17,共3页刘永进 杜建科 冯小强 
基于单晶圆兆声清洗的原理,分析了针对单晶圆兆声清洗的多种方案的优缺点,提出了适合单晶圆兆声清洗的优化方案。
关键词：单晶圆 兆声 清洗 
单晶圆清洗技术的研究被引量：1
《科技情报开发与经济》2009年第29期215-217,共3页任耀华 康冬妮 
分析以往批处理清洗技术面临的问题及现代清洗技术的关键要求,介绍了采用臭氧的单晶圆清洗工艺,提出了臭氧清洗需要解决的问题。
关键词：单晶圆清洗 批处理 交叉污染 成品率 臭氧 
450mm晶圆载体
《集成电路应用》2009年第9期46-46,共1页
基于最新的450mm晶圆厂载体的SEMI标准，Beta版450mm晶圆载体的设计允许早期的450mm设备集成和晶圆处理研究。Entegris还提供450mm单晶圆和多晶圆晶舟（前开式晶舟盒，FOSB）。这款Beta版450mmFOSB采用ISTA（国际安全运输协会）认证的...
关键词：单晶圆 载体 Beta版 SEMI 设备集成 封装系统 安全运输 ISTA 
单晶圆RTP系统在半导体中的应用
《集成电路应用》2009年第9期48-48,共1页杨赫 
快速热处理（RTP，RaPid Thermal Process）是半导体集成工艺中不可缺少的重要工序之一，其工作原理是在一定的温度和气体环境下，使晶圆表面发生一系列的物理或化学变化，生成所需的薄膜。扩散炉是目前8英寸及12英寸集成电路生产线中...
关键词：单晶圆 半导体 P系统 应用 RT 工作原理 快速热处理 热处理设备 
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