锗抛光片表面清洗研究进展  

作　　者：周铁军 廖彬 马金峰 宋向荣 

机构地区：[1]广东先导先进材料股份有限公司,广东清远511517 [2]国家稀散金属工程技术研究中心广东先导稀材股份有限公司,广东清远511517

出　　处：《科技风》2021年第2期179-180,共2页

基　　金：国家工信部2019年工业强基-超薄锗单晶实施方案(编号:TC190A4DA/34)项目资助。

摘　　要：论述了锗晶片表面清洗的不同方法以及表面清洗的机理。锗晶片的表面清洗分为干法清洗和湿法清洗。湿法清洗一般采用氧化、剥离的清洗原理,即首先采用氧化性溶液将锗晶片表面进行氧化,然后再用一定的化学方法将晶片表面的氧化物去除,从而实现对晶片表面的清洗。干法清洗是采用气相化学法去除晶片表面污染物,主要包含热氧化法和等离子清洗法。

关 键 词：锗片 湿法清洗 干法清洗 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]