云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 铜互连

铜互连: 作品数：176被引量：367H指数：9; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张卫李明孙清清王鹏飞林殷茵更多>>; 相关机构：上海华力微电子有限公司复旦大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海交通大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金国家中长期科技发展规划重大专项国家科技重大专项更多>>

Zr、Cr掺杂对铜互连薄膜结构及性能的影响: 《稀有金属材料与工程》2024年第9期2535-2545,共11页尹振东林松盛付志强苏一凡; 广东省重点领域研究发展计划(2020B0101320001);广东省科学院发展专项资金(2022GDASZH-2022010109,2022GDASZH-2022010103)。; 研究了Zr和Cr元素掺杂对Cu互连薄膜的结构及性能的影响。利用直流磁控溅射技术在SiO_(2)/Si衬底上沉积了Cu、Cu(Zr)、Cu(Cr)、Cu(ZrCr)4种薄膜,并在温度400~800℃下对薄膜真空退火1h。通过SEM、XRD和四探针法对不同薄膜的表面形貌、微...; 关键词：铜互连薄膜掺杂电阻率热稳定性扩散阻挡层

IC互连金属及其阻挡层化学机械抛光的研究进展: 《材料导报》2024年第16期228-235,共8页李雯浩宇高宝红霍金向贺斌梁斌刘鸣瑜; 河北省自然科学基金(F2022202072);青年科学基金项目(61704046)。; 集成电路的产业发展作为衡量一个国家经济实力的重要指标,反映该国的整体实力。在集成电路的众多制备工艺中,化学机械抛光(Chemical mechanical planarization,CMP)是关键制造技术之一,也是目前应用最广且能够实现全局和局部平坦化的技...; 关键词：铜互连钴互连钌互连钽/氮化钽阻挡层钴阻挡层钌阻挡层化学机械抛光

铜互连CMP工艺技术分析: 《集成电路应用》2024年第7期78-79,共2页宋红伟宋洁晶秦龙; 阐述CMP设备抛光头压力和抛光液中H_(2)O_(2)浓度对TSV工艺面铜去除速率和平坦化的影响。分析发现,粗抛压力3.0psi、精抛压力1.0psi、H_(2)O_(2)浓度2wt%时CMP加工效率高且通孔碟坑深度≤0.5μm。; 关键词：集成电路制造 TSV CMP 去除速率平坦化

铜互连新型阻挡层材料的研究进展: 《微电子学》2024年第1期17-24,共8页张学峰邓斌张庆山; 铜互连阻挡层材料起到防止铜与介质材料发生扩散的重要作用。因此,阻挡层材料需要满足高稳定性、与铜和介质材料良好的粘附性以及较低的电阻。自1990年代以来,氮化钽/钽(TaN/Ta)作为铜的阻挡层和衬垫层得到了广泛的应用。然而,随着晶体...; 关键词：铜互连阻挡层后端互连工艺

工艺参数对阻挡层CMP后互连线厚度一致性的影响: 《电子元件与材料》2023年第11期1370-1376,共7页王海英王辰伟刘玉岭赵红东; 国家自然科学基金(62074049);天津市科技计划项目(21YDTPJC00050);光电信息控制和安全技术重点实验室基金(2021JCJQLB055008)。; 为了有效控制铜互连阻挡层化学机械平坦化(CMP)后互连线厚度(THK),优化其一致性,研究了抛光液流量、边缘压力及抛光时间等工艺参数对铜(Cu)、介质(TEOS)去除速率,以及对图形片CMP后THK一致性的影响。采用无氧化剂H2O2、无缓蚀剂BTA的弱...; 关键词：铜互连阻挡层工艺参数互连线厚度去除速率

5G电路板与载板失效分析之一: 《印制电路资讯》2023年第4期68-77,共10页白蓉生; 三、树塞通孔盖铜后再增层的挑战,3.1盖铜顶面与后续增层盲孔其互连的可靠度,图28中,图①为外层碳氢树脂的填铜盲孔,再与4L内层树脂塞孔盖铜面密接的HDI板;树塞是为了加强内部四层板的刚性,经削平及PTH化钯化铜与盖铜后,才再压合外层与...; 关键词：铜互连电路板通孔 PTH 盲孔胀缩碳氢树脂失效分析

铜互连电镀中有机添加剂的合成与分析被引量：4: 《电化学（中英文）》2023年第8期1-12,共12页翟悦晖彭逸霄洪延陈苑明周国云何为王朋举陈先明王翀; support of the National Natural Science Foundation of China(Nos 22172020,61974020 and 22241201);supported by the Innovation Team Project of Zhuhai City(No.ZH0405190005PWC);the projects of Sci and Tech planning of Guangdong Province(No.2019B090910003)and Zhuhai City(Nos ZH01084702180040HJL and ZH220170000032PWC)。; 铜互连是保障电子设备的功能、性能、能效、可靠性以及制备良品率至关重要的一环。铜互连常通过在酸性镀铜液电镀铜实现,并广泛用于芯片、封装基材和印制电路板中。其中,有机添加剂在调控铜沉积完成沟槽填充、微孔填充以形成精密线路和...; 关键词：酸性电镀铜铜互连抑制剂光亮剂整平剂

铜互连阻挡层化学机械抛光时互连线厚度的控制: 《电镀与涂饰》2023年第15期57-64,共8页王海英王辰伟刘玉岭赵红东杨啸陈志博王雪洁; 国家自然科学基金(62074049);天津市科技计划项目(21YDTPJC00050)。; 集成电路铜互连沟槽内互连线厚度(THK)影响着集成电路的性能,是集成电路制造工艺重要评定参数之一。基于无氧化剂、无缓蚀剂的碱性抛光液,研究了铜螯合剂FA/O II、介质促进剂柠檬酸钾(CAK)和抑菌剂1,2−苯并异噻唑啉−3−酮(BIT)对铜互连...; 关键词：铜互联阻挡层化学机械抛光互连线厚度去除速率电阻

柠檬酸在钴基铜互连CMP及后清洗的研究进展: 《微电子学》2023年第3期483-491,共9页杜浩毓檀柏梅王晓龙王方圆王歌; 国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金资助项目(F2018202174); 钴(Co)具有较低的电阻率、良好的热稳定性、与铜(Cu)粘附性好等优点,可以替代钽(Ta)成为14 nm以下技术节点集成电路(IC)Cu互连结构的新型阻挡层材料。化学机械抛光(CMP)是唯一可以实现Cu互连局部和全局平坦化的方法,也是决定Co基Cu互连I...; 关键词：柠檬酸铜互连钴阻挡层化学机械抛光化学机械抛光后清洗络合剂

纳米多层高熵难熔合金的扩散阻挡性能被引量：1: 《中国有色金属学报》2023年第6期1878-1889,共12页李鹏飞开明杰陈家豪马涵韩茜婷操振华; 国家自然科学基金资助项目(52071176,51671103);江苏高校优势学科建设工程项目。; 本工作研究了纳米高熵合金单层和多层阻挡层的扩散阻挡性能及其失效行为。结果表明:非晶态NbMoTaW单层阻挡层的失效温度达到600℃,高于W和TiVCr阻挡层的500℃。W/NbMoTaW多层阻挡层为纳米晶结构,柱状晶界面为原子扩散提供了扩散通道,削...; 关键词：铜互连扩散阻挡层高熵合金多层膜

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