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CMP: 作品数：980被引量：2024H指数：17; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：刘玉岭王辰伟檀柏梅陈岚牛新环更多>>; 相关机构：河北工业大学清华大学中国科学院微电子研究所罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金国家中长期科技发展规划重大专项国家科技重大专项更多>>

TAZ与LS-97对铜CMP协同缓蚀效应: 《半导体技术》2025年第5期473-480,共8页贺斌高宝红霍金向李雯浩宇贺越王建树; 国家自然科学基金(61704046);河北省自然科学基金(F2022202072)。; 极大规模集成电路(GLSI)中多层铜互连的化学机械抛光(CMP)是推动微电子技术发展的关键工艺之一。抑制剂是实现铜晶圆表面平坦化的重要因素,而表面活性剂可以改善铜晶圆的表面质量,因此抑制剂和表面活性剂的复配使用是研究的热点。通过...; 关键词：化学机械抛光(CMP) 铜缓蚀剂表面活性剂复配

脂肪醇聚氧乙烯醚对铝栅CMP中铝和多晶硅去除速率选择比的影响: 《润滑与密封》2025年第4期73-79,共7页曹钰伟王胜利罗翀王辰伟张国林梁斌杨云点盛媛慧; 河北省自然科学基金项目(E2019202367)。; 为了提高高K金属栅结构(HKMG)化学机械拋光(CMP)中铝和多晶硅去除速率选择比,研究酸性环境下(pH=5)非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO9)对铝和多晶硅去除速率选择比的影响,并探究其作用机制。研究发现,AEO9质量分数为0.01%时,铝和...; 关键词：高K金属栅结构化学机械拋光脂肪醇聚氧乙烯醚去除速率多晶硅

交易特性、农户销售渠道选择与增收效应: 《中国流通经济》2025年第4期30-41,共12页冷伯阳韩一军陈景帅; 财政部和农业农村部“国家现代农业产业技术体系”(CARS-03);国家社会科学基金专项项目“新时期保障我国粮食稳定供给研究”(22VRC137)。; 深化多渠道产销协作是促进农户增收的关键,探讨农户销售渠道选择的驱动因素及其增收效应,对畅通农产品流通渠道、保障农户种植收益具有重要意义。基于黄淮海5个小麦主产省的微观调研数据,运用Oprobit模型、条件混合处理(CMP)模型和中介...; 关键词：交易特性销售渠道选择种植收益多元有序Probit模型 CMP估计法

水溶性聚合物提高多晶硅CMP表面质量的机理: 《微纳电子技术》2025年第4期99-107,共9页张潇周建伟杨云点罗翀栾晓东邵祥清李瑾; 国家自然科学基金(62104087);中国博士后基金(2024M751207);河北工业大学创新研究院(石家庄)石家庄市科技合作专项基金资助(SJZZXB23003)。; 通过实验探究了在抛光液中加入羟丙基甲基纤维素(HPMC)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)两种水溶性聚合物对多晶硅表面的影响机理。HPMC的加入在多晶硅表面形成氢键,并形成一层保护层,改变多晶硅表面的润湿性,减少抛光液中碱性物质和多晶硅的化学...; 关键词：化学机械抛光(CMP) 多晶硅羟丙基甲基纤维素(HPMC) 聚乙烯吡咯烷酮(PVP) 表面质量

电子产品制造过程中CMP材料的应用研究: 《电子产品世界》2025年第3期21-24,共4页刘海军; 化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是半导体制造工艺中实现晶圆表面平坦化的关键技术,广泛应用于先进制程的生产。通过结合化学反应和机械磨削,CMP工艺能够去除晶圆表面材料,使晶圆表面实现高精度平坦化。从CMP工艺的基...; 关键词：化学机械抛光抛光垫抛光液去除速率表面粗糙度

Study of the protrusion of through-silicon vias in dual annealing-CMP processes for 3D integration: 《Microsystems & Nanoengineering》2025年第1期453-464,共12页Tianjian Liu Shizhao Wang Fang Dong Yang Xi Yunpeng Zhang Tao He Xiang Sun Sheng Liu; supported by the National Key R&D Program of China(No.2022YFB3207100);the Hubei Provincial Strategic Scientist Training Plan(No.2022EJD009);the Fundamental Research Funds for the Central Universities(No.2042023kf1041).; The technology of through-silicon via(TSV)is extensively employed for achieving dense 3D integration.TSV facilitates the electrical interconnection of various layers of integrated circuits in a vertical orientation,th...; 关键词：silicon vias dual annealing cmp processes phase field model dense d integrationtsv PROTRUSION grain morphology thermal mechanical behavior copper microstructures

制备皱纹状介孔C-mSiO_(2)/CeO_(2)复合磨料及其SiO_(2)CMP的应用: 《电子元件与材料》2025年第2期231-236,共6页王东伟王胜利杨云点罗翀栾晓东邵祥清李瑾; 河北工业大学创新研究院(石家庄)石家庄市科技合作专项基金资助(SJZZXB23003);国家自然科学基金(62074049);中国博士后基金(2024M751207)。; 为了提高集成电路层间介质化学机械抛光(CMP)的去除速率并改善表面质量,先采用微乳液法制备皱纹状介孔SiO_(2),之后用化学沉积法包覆CeO_(2),成功制得皱纹状C-mSiO_(2)/CeO_(2)芯/壳复合磨料,并以此配置抛光液,对SiO_(2)层间介质进行CM...; 关键词：化学机械抛光(CMP) 皱纹状介孔SiO_(2) 复合材料去除速率

超声作用下碳化硅CMP流场特性分析: 《金刚石与磨料磨具工程》2025年第1期102-112,共11页王泽晓叶林征祝锡晶刘瑶啜世达吕博洋王栋; 针对目前碳化硅抛光效率低、表面质量差等加工难题,采用超声辅助CMP(UCMP)加工工艺对其表面进行光滑无损化抛光。为探究超声辅助对CMP流场的影响,以超声振动下的抛光流场特性为研究对象,基于可实现k−ε模型对超声作用下的抛光流场特性...; 关键词：超声辅助碳化硅流体动力学仿真化学机械抛光

基于NMR与CMP实验的致密砂岩孔喉结构表征方法: 《地质科技通报》2025年第1期25-35,共11页李浩樊志强谢雨芯巩肖可郝博斐孙龙雷小兰闫健; 国家自然科学基金项目(52174031)。; 致密砂岩储层孔隙结构复杂、纳米孔隙发育,需集成多种技术对孔隙结构进行综合表征,以更好地认识储层。在优选6块延长组长71储层代表性岩心基础上,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、恒速压汞(CMP)和核磁共振(NMR)等方法,研究了岩心样品...; 关键词：致密砂岩孔隙结构孔径分布喉道恒速压汞(CMP) 核磁共振(NMP)

多层互连结构CMP后清洗中SiO_(2)颗粒去除的研究进展: 《半导体技术》2025年第2期101-116,共16页张力飞路新春闫妹赵德文; 国家自然科学基金(51991370,51991374)。; SiO_(2)磨料因其化学性质稳定及抛光后良好的表面平整度,作为关键磨料被广泛应用于化学机械抛光(CMP)。CMP后晶圆表面残留的颗粒物易引发划伤、击穿及短路等缺陷问题,严重削弱芯片的可靠性。基于SiO_(2)颗粒在Cu、Co和介质材料表面的吸...; 关键词：互连结构化学机械抛光(CMP)后清洗 SiO_(2)颗粒清洗技术清洗液化学组分

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