蓝宝石衬底

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c面蓝宝石衬底上ε-Ga_(2)O_(3)的金属有机物化学气相沉积
《人工晶体学报》2025年第3期420-425,共6页王子铭 张雅超 冯倩 刘仕腾 刘雨虹 王垚 王龙 张进成 郝跃 
本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_...
关键词：ε-Ga_(2)O_(3) 金属有机物化学气相沉积 蓝宝石衬底 晶体生长 宽禁带半导体 X射线衍射 原子力显微镜 
基于蓝宝石衬底的高质量AlN薄膜的制备研究
《应用物理》2025年第2期71-81,共11页张泓萌 蔡天任 曹家康 万文婷 吉彦达 
在蓝宝石衬底上生长一层AlN缓冲层是LED芯片提升器件质量的常用手段,其薄膜质量与器件整体性能息息相关。为了进一步提高AlN薄膜的结晶质量,本文首先使用PVD、HTA以及MOCVD方法对蓝宝石衬底上的AlN薄膜进行制备,制备出了高结晶质量的Al...
关键词：ALN薄膜 c/m衬底斜切角 位错终止机制 紫外透过率 
不同晶面蓝宝石衬底上α-Ga_(2)O_(3)雾化学气相沉积法生长研究
《人工晶体学报》2025年第2期255-262,共8页李雄杰 宁平凡 陈世澳 乔思博 程红娟 王英民 牛萍娟 
科技部重点研发计划项目(2022YFA1204001);天津工业大学学位与研究生教育教学改革与创新项目(YJSJG202406)。
采用雾化学气相沉积(Mist-CVD)法在不同晶面蓝宝石衬底上异质外延生长了α-Ga_(2)O_(3)薄膜,并利用XRD、SEM和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分析了薄膜样品的物相、光学特性和表面形貌。600℃以内,在C、M、A、R面蓝宝石衬底上生长纯相α-...
关键词：α-Ga_(2)O_(3) 蓝宝石衬底 雾化学气相沉积 异质外延 生长温度 禁带宽度 
Ar离子注入蓝宝石衬底诱导成核的高质量GaN外延
《无机材料学报》2025年第1期91-96,共6页安瑕 许晟瑞 陶鸿昌 苏华科 杨赫 许钪 谢磊 贾敬宇 张进成 郝跃 
国家自然科学基金(62074120,62134006);国家重点研发计划(2022YFB3604400)。
氮化镓(Ga N)薄膜通常是在异质衬底上获得的,然而异质外延引入的高密度位错限制了其在高性能电子器件和光电器件中的发展。本研究采用Ar离子预处理蓝宝石衬底来实现诱导成核,显著降低了Ga N外延层中的位错密度。优化Ar离子的注入剂量发...
关键词：GAN 离子注入 诱导成核 外延 
纯水介质下抛光单晶蓝宝石晶圆的反应去除机理
《福建理工大学学报》2024年第6期554-559,566,共7页范梓琛 许永超 石洋 詹友基 陈丙三 
国家自然科学基金面上项目(52275413);福建省自然科学基金(2023J01342);宁德市产学研合作项目(宁市科〔2021〕57)。
采用反应分子动力学模拟的方法,研究了水溶液下SiO_(2)抛光蓝宝石过程中材料原子级别的反应去除机理,并结合抛光实验对比验证。结果表明:在反应过程中H_(2)O分子会吸附在蓝宝石表面,与蓝宝石的Al原子成键,形成Al—H_(2)O和Al—OH化学键...
关键词：蓝宝石衬底 抛光 反应分子动力学 界面反应 材料去除机理 
我国1000 kg级超大蓝宝石晶体生长技术取得重要突破
《人工晶体学报》2024年第7期F0004-F0004,共1页
天通控股股份有限公司、天通银厦新材料有限公司近年来一直致力于突破大尺寸蓝宝石晶体生长和大尺寸蓝宝石衬底片的加工制备技术。此次研发的1000 kg级蓝宝石晶体,可实现直径700 mm以上的光学级晶片或最大尺寸780 mm×550 mm蓝宝石窗口...
关键词：蓝宝石晶体 最大尺寸 蓝宝石衬底 衬底材料 光学窗口 加工制备 成本优势 
蓝宝石衬底在氮化镓外延生长技术中的应用进展
《山东工业技术》2024年第3期33-40,共8页杨志伟 Asim Abas 
2024年度吉林省教育厅科学研究项目“新型自加热复合纳米压印膜的制备及应用”(JJKH20241130KJ)。
第三代半导体技术主要涉及宽禁带半导体材料,其中氮化镓(GaN)材料因其卓越的电学和热学性能而受到广泛关注,特别是它们在高温、高功率和高频率环境下的应用潜力。在这一研究领域中,蓝宝石衬底(α-Al_(2)O_(3))主要为单晶氧化铝材料,其...
关键词：宽禁带 蓝宝石衬底 单晶氧化铝 氮化镓 外延生长 
首片国产8英寸蓝宝石衬底GaN HEMTs晶圆发布!
《变频器世界》2024年第4期29-29,共1页
4月10日,在2024武汉九峰山论坛上,西安37电子科技大学郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队与广东致能科技联合攻关,首次展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆。据李祥东教授在会上介绍,通过调控外延工艺,其GaN外延片不均匀性控制...
关键词：外延工艺 击穿电压 HEMTS 外延片 GaN 电子科技大学 晶圆 均匀性控制 
蓝宝石衬底上的半极性面GaN基LED超快激光剥离
《发光学报》2024年第4期681-687,共7页项文辞 孙浩 王思博 周慧莲 帅凌霄 叶云霞 张韵 
国家自然科学基金(61904068);中国博士后科学基金(2021T140304);江苏大学科研基金(19JDG020)。
衬底导电性和导热性差一直是困扰生长于蓝宝石衬底上的GaN基LED的难题,利用激光剥离技术将蓝宝石衬底上的GaN基LED转移至其他衬底是解决该问题的有效方法之一。本文使用超快皮秒激光将生长于图案化蓝宝石衬底上的半极性面GaN基LED进行...
关键词：LED 超快激光 图案化蓝宝石 半极性面 氮化镓 
蓝宝石衬底湿法清洗工艺研究
《清洗世界》2024年第3期49-52,共4页吴国安 胡中伟 王振 徐翊翔 李瑞评 谢斌晖 
国家自然科学基金(No.52175404)。
蓝宝石衬底作为LED芯片衬底,不仅要求具有较高的面型精度和表面质量,而且对衬底表面清洁度也有严格要求。实验以抛光后的蓝宝石衬底为对象,首先分析了抛光后的蓝宝石衬底表面污染物主要元素。随后开展抛光后的蓝宝石衬底的单因素湿法清...
关键词：蓝宝石衬底 湿法清洗 清洗剂浓度 正交实验 
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