宽禁带

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《宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成》专栏发刊词
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期I0001-I0001,共1页
宽禁带半导体的禁带宽度显著高于传统硅基材料,展现出高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率等颠覆性物理特性。随着电力电子系统向高频化、大功率化方向演进,传统的半导体材料因耐压能力有限、高温稳定性不足、高频损耗严重等问题,难...
关键词：电力电子系统 材料 电路 宽禁带半导体 器件 
玻璃基灌封材料助力SiC功率器件在300 ℃长期运行
《电子与封装》2025年第4期84-84,共1页
宽禁带半导体材料优势显著,但随着功率器件小型化、集成化及功率密度提升,热管理面临重大挑战。以环氧塑封料(EMC)和硅凝胶为代表的有机灌封材料将SiC器件结温限制在200℃以内,亟需更优灌封材料来缓解器件绝缘和散热压力,并提升器件可...
关键词：宽禁带半导体材料 热管理 玻璃基灌封材料 
导模法生长氧化镓晶体中的位错缺陷及其分布特点
《人工晶体学报》2025年第3期414-419,共6页杨文娟 卜予哲 赛青林 齐红基 
国家重点研发计划(2022YFB3605500)。
β-Ga_(2)O_(3)作为新一代超宽带隙半导体材料,因优异的物理性能和在器件中的高性能而受到越来越多的关注。β-Ga_(2)O_(3)的制备可采用浮区法、导模(EFG)法等多种熔融晶体生长方法。缺陷通常会对半导体器件的性能产生严重的负面影响,...
关键词：氧化镓 宽禁带半导体 位错 X射线形貌分析术 导模法 腐蚀法 
c面蓝宝石衬底上ε-Ga_(2)O_(3)的金属有机物化学气相沉积
《人工晶体学报》2025年第3期420-425,共6页王子铭 张雅超 冯倩 刘仕腾 刘雨虹 王垚 王龙 张进成 郝跃 
本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_...
关键词：ε-Ga_(2)O_(3) 金属有机物化学气相沉积 蓝宝石衬底 晶体生长 宽禁带半导体 X射线衍射 原子力显微镜 
双生长腔互联MOCVD外延生长氧化镓异质结构及其紫外光电探测器件的研究
《人工晶体学报》2025年第3期426-437,共12页王月飞 高冲 吴哲 李炳生 刘益春 
科技部重点研发计划(2019YFA0705202);国家自然科学基金(62274027,62404039);松山湖材料实验室开放研究基金(2023SLABFK03)。
本文报道了利用氮化物-氧化物双生长腔互联金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统外延生长氧化镓/氮化物薄膜异质结构并制备了高性能紫外光电探测器件。通过X射线衍射仪、原子力显微镜对不同衬底与不同缓冲层材料的薄膜结晶质量和表面形貌进...
关键词：氧化镓 宽禁带半导体 金属有机化学气相沉积 外延生长 异质结 紫外光电探测 
征世科技成功研发2英寸单晶金刚石晶圆
《人工晶体学报》2025年第3期531-531,共1页朱长征 杜洪兵 
2025年2月20日,上海征世科技股份有限公司(以下简称:征世科技)宣布成功研发出2英寸(1英寸=2.54 cm)单晶金刚石晶圆,如图1所示。这一重大突破标志着征世科技在单晶金刚石领域的技术已达到国际先进水平,为未来宽禁带半导体、功率器件、量...
关键词：单晶金刚石 宽禁带半导体 量子计算 晶圆 功率器件 广阔前景 国际先进水平 科技 
功率电子器件在不间断电源系统中的应用与性能分析
《科学技术创新》2025年第4期68-71,共4页向煜 
功率电子器件在不间断电源(UPS)系统中的应用及其性能表现是一个值得深入探讨的主题。UPS系统的基本结构和工作原理为理解功率电子器件的作用奠定了基础。各类功率电子器件,如IGBT、MOSFET等,在UPS系统中发挥着关键作用。通过对比分析...
关键词：不间断电源系统(UPS) 功率电子器件 IGBT 宽禁带半导体 
四方达子公司签约汇芯通信,布局未来通信和超宽禁带半导体产业
《超硬材料工程》2025年第1期62-62,共1页
2025年1月6日,河南四方达超硬材料股份有限公司公告,公司控股子公司河南天璇半导体科技有限责任公司与深圳市汇芯通信技术有限公司在深圳签署了《战略合作协议》,为促进未来通信和超宽禁带半导体产业的技术进步和产业发展共同努力。协...
关键词：宽禁带半导体 超硬材料 子公司 半导体科技 有效期 通信 四方 产业 
氧化镓雪崩光电探测器的研究进展
《人工晶体学报》2025年第2期276-289,共14页邵双尧 杨烁 冯华钰 贾志泰 陶绪堂 
国家自然科学基金(62304118,51932004,11804191)。
微弱紫外光的探测在导弹跟踪、火焰警告、安全通信、环境监测和其他关键应用中备受关注。雪崩光电探测器(APD)具有轻便、低功耗、高量子效率和单片集成等优点,是紫外探测领域的重要研究方向。近年来,宽禁带和超宽禁带半导体材料因其禁...
关键词：雪崩光电探测器 紫外探测 宽禁带半导体 氧化镓 雪崩增益 
华为入股!天岳先进赴港IPO
《变频器世界》2025年第2期51-51,共1页
港交所2月24日披露,山东天岳先进科技股份有限公司递表港交所,中金公司和中信证券为其联席保荐人。招股书显示,天岳先进是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业,自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。
关键词：中信证券 招股书 保荐人 宽禁带半导体材料 天岳 IPO 领军企业 碳化硅衬底 
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