李晖

作品数：12被引量：22H指数：3
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：化学机械抛光CMP表面粗糙度碳化硅晶片更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《功能材料》《压电与声光》更多>>
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碳化硅晶片表面质量差异影响因素研究
《微电子学》2023年第3期531-535,共5页樊元东 李晖 王英民 高鹏程 王磊 高飞 
国家重点研发计划项目(2021YFB3600019)
分析了金刚石线锯多线切割150 mm SiC晶片的表面形貌及质量,通过测试SiC片Si面和C面的表面粗糙度(Ra),发现C面Ra值约为Si面的2倍。在切割过程中晶片向Si面弯曲,使锯丝侧向磨粒对Si面磨削修整作用更强,从而使晶片Si面更加光滑。此外,通...
关键词：SiC晶片 表面损伤层 表面粗糙度 弯曲度 
β-Ga_(2)O_(3)晶体金刚石线锯切割的表面质量研究被引量：1
《人工晶体学报》2022年第12期2040-2047,2062,共9页李晖 高鹏程 程红娟 王英民 高飞 张弛 王磊 
本文探究了往复式金刚石线锯的工艺参数对β-Ga_(2)O_(3)单晶沿(001)晶面切片时表面质量的影响,从压痕断裂力学理论角度探究了金刚石线锯切割β-Ga_(2)O_(3)单晶过程中磨粒行为和材料去除机理。实验从各向异性角度分析了切割方向对(001...
关键词：β-Ga_(2)O_(3)晶片 金刚石线锯 切割方向 亚表面损伤层 表面粗糙度 
清洗工艺对AlN单晶抛光片表面有机沾污的影响被引量：1
《微纳电子技术》2021年第5期452-457,共6页徐世海 边子夫 高飞 张丽 程红娟 王健 李晖 
研究了化学机械抛光(CMP)后AlN单晶片的清洗。将除蜡剂清洗法、RCA清洗法、食人鱼溶液清洗法以及丙酮和异丙醇(IPA)的混合溶液清洗法等进行组合,对抛光后的AlN单晶片表面进行超声清洗,并通过微分干涉显微镜、原子力显微镜(AFM)及光电子...
关键词：氮化铝(AlN)单晶 除蜡剂 食人鱼溶液清洗法 RCA清洗法 化学机械抛光(CMP) 有机沾污 
有蜡贴片工艺对4英寸SiC抛光片几何参数的影响
《半导体技术》2020年第8期638-644,共7页高飞 李晖 张弛 
研究了单面抛光中有蜡贴片工艺对抛光后4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC晶片总厚度变化(TTV)和翘曲度的影响。分别选择固体蜡和液体蜡进行贴片实验,采用平面度测量仪检测加工前后晶片的TTV和翘曲度,采用数显千分表测量贴片及单面抛光后晶片表面...
关键词：有蜡贴片工艺 SiC晶片 总厚度变化(TTV) 翘曲度 液体蜡 
SiC晶片双面和单面抛光相结合的化学机械抛光被引量：2
《微纳电子技术》2020年第6期503-508,共6页高飞 李晖 程红娟 
以碳化硅(SiC)晶片为加工对象,提出了双面化学机械抛光和单面化学机械抛光相结合的抛光方法。先在双面抛光机上对SiC晶片硅面和碳面同时进行化学机械抛光,然后采用单面抛光机对硅面进行化学机械抛光。研究了此方法加工碳化硅晶片的特点...
关键词：碳化硅(SiC) 化学机械抛光(CMP) 单面抛光 双面抛光 几何参数 表面缺陷测试仪 
CdS晶片化学机械抛光的表面粗糙度研究被引量：1
《红外技术》2018年第10期931-935,共5页李晖 徐世海 高飞 徐永宽 
研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液组分对硫化镉(CdS)晶片表面粗糙度的影响。通过分析磨粒浓度、氧化剂种类及浓度、pH值对CdS晶片表面粗糙度的影响后,得到了用于Cd S晶片Cd面CMP的抛光液配比,即磨粒SiO_2浓度为20%,氧化剂NaClO的浓...
关键词：CMP CdS晶片 Cd面 抛光液 表面粗糙度 
GaSb单晶片CMP工艺的研究被引量：6
《微纳电子技术》2017年第11期797-800,共4页边子夫 李晖 徐世海 刘卫丹 陈阳 高飞 朱磊 
主要研究了GaSb单晶片的化学机械抛光(CMP)。使用硅溶胶作为抛光液对切割、机械抛光后的GaSb单晶片进行了CMP实验。在实验中,通过调节抛光液配比、pH值等工艺参数,研究不同氧化剂的掺入以及抛光液不同pH值对GaSb单晶片表面的影响。通过...
关键词：GASB 化学机械抛光(CMP) 表面粗糙度 PH值 氧化剂 
氧化剂浓度对4H-SiC化学机械抛光效果的影响被引量：4
《功能材料》2016年第10期10189-10192,共4页高飞 李晖 徐永宽 
以4H-SiC(0001)面为研究对象,采用原子力显微镜和X光电子能谱研究了抛光晶片表面的形貌和成分,讨论了氧化剂浓度对SiC化学机械抛光去除速率以及微观形貌的影响。结果表明,在化学机械抛光过程中SiC晶片的表面会生成二氧化硅,抛光液中氧...
关键词：碳化硅 化学机械抛光 氧化剂浓度 原子台阶构型 
硒化镉晶体生长及性能表征被引量：3
《压电与声光》2016年第3期427-429,共3页张颖武 李晖 程红娟 
国家重点基金资助项目
硒化镉(CdSe)是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。采用气相法生长出CdSe晶体材料,结合晶体生长动力学研究了CdSe单晶生长速率,并对其晶体结构和光学性能进行了表征。Raman测试表明生长的CdSe晶体为纤锌矿结构,属于极性材料。XRD测试表...
关键词：硒化镉(CdSe) 晶体 拉曼(Raman) X线衍射(XRD) 
PVT法生长ZnTe晶体的技术被引量：3
《微纳电子技术》2013年第10期671-674,共4页李晖 徐永宽 程红娟 史月增 郝建民 
采用无籽晶物理气相传输(PVT)方法生长出ZnTe晶体。实验开始,温差较大,压强相对较低,造成晶体生长速率过快,从而以各成核点为中心进行岛状生长,形成了结构密集的ZnTe多晶结构。实验过程中,通过调整原料区与生长区温差和压强等工艺条件...
关键词：碲化锌（ZnTe） 物理气相传输（PVT） 单晶 多晶 籽晶 
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