徐世海

作品数：5被引量：11H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：CMP化学机械抛光晶片GASBCMP工艺更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《压电与声光》《微纳电子技术》《红外技术》更多>>
所获基金：天津市自然科学基金更多>>
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清洗工艺对AlN单晶抛光片表面有机沾污的影响被引量：1
《微纳电子技术》2021年第5期452-457,共6页徐世海 边子夫 高飞 张丽 程红娟 王健 李晖 
研究了化学机械抛光(CMP)后AlN单晶片的清洗。将除蜡剂清洗法、RCA清洗法、食人鱼溶液清洗法以及丙酮和异丙醇(IPA)的混合溶液清洗法等进行组合,对抛光后的AlN单晶片表面进行超声清洗,并通过微分干涉显微镜、原子力显微镜(AFM)及光电子...
关键词：氮化铝(AlN)单晶 除蜡剂 食人鱼溶液清洗法 RCA清洗法 化学机械抛光(CMP) 有机沾污 
SiC籽晶上生长AlN单晶的断裂特性研究被引量：1
《压电与声光》2018年第5期772-775,共4页张丽 齐海涛 徐世海 金雷 史月增 
高质量AlN单晶衬底制备关键技术资助项目(2017YFB0404103);天津市人才发展特殊支持计划高层次创新创业团队基金资助项目
通过扫描电镜(SEM)观察了SiC籽晶上生长AlN单晶的断裂面形貌。模拟了SiC籽晶与AlN晶体之间的应力分布。通过计算不同晶面的面间距,确定了六方晶系的AlN晶体中m面为解理面。拉曼光谱仪对不同晶面的特性进行了表征。结果表明,断裂面为m面...
关键词：AlN单晶 断裂面 解理 裂纹 应力 
CdS晶片化学机械抛光的表面粗糙度研究被引量：1
《红外技术》2018年第10期931-935,共5页李晖 徐世海 高飞 徐永宽 
研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液组分对硫化镉(CdS)晶片表面粗糙度的影响。通过分析磨粒浓度、氧化剂种类及浓度、pH值对CdS晶片表面粗糙度的影响后,得到了用于Cd S晶片Cd面CMP的抛光液配比,即磨粒SiO_2浓度为20%,氧化剂NaClO的浓...
关键词：CMP CdS晶片 Cd面 抛光液 表面粗糙度 
GaSb单晶片CMP工艺的研究被引量：6
《微纳电子技术》2017年第11期797-800,共4页边子夫 李晖 徐世海 刘卫丹 陈阳 高飞 朱磊 
主要研究了GaSb单晶片的化学机械抛光(CMP)。使用硅溶胶作为抛光液对切割、机械抛光后的GaSb单晶片进行了CMP实验。在实验中,通过调节抛光液配比、pH值等工艺参数,研究不同氧化剂的掺入以及抛光液不同pH值对GaSb单晶片表面的影响。通过...
关键词：GASB 化学机械抛光(CMP) 表面粗糙度 PH值 氧化剂 
硒化镉晶片的化学机械抛光被引量：2
《半导体技术》2017年第10期769-773,共5页高彦昭 杨瑞霞 张颖武 王健 徐世海 程红娟 
天津市自然科学基金重点项目(15JCZDJC37800)
硒化镉(CdSe)的表面加工质量对CdSe基器件的性能至关重要。化学机械抛光(CMP)是一种获得高质量晶体加工表面的常用方法。为改善CdSe晶片的表面加工质量,以SiO_2水溶胶配制抛光液,研究了抛光液磨料质量分数、抛光液pH值、氧化剂NaClO的...
关键词：CdSe晶片 化学机械抛光(CMP) SiO2抛光液 去除速率 表面粗糙度 
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