杨洪星

作品数：53被引量：102H指数：5
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发文主题：锗单晶片抛光片晶片表面粗糙度更多>>
发文领域：电子电信机械工程金属学及工艺一般工业技术更多>>
发文期刊：《压电与声光》《电子工业专用设备》《天津科技》《半导体技术》更多>>
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氧化态对锗衬底表面质量的影响
《半导体技术》2022年第8期602-605,648,共5页何远东 张伟才 杨洪星 韩焕鹏 
锗衬底主要用于制备砷化镓太阳电池,在航天器电源及地面聚光太阳电池系统中有着广泛的应用。为进一步提高电池转换效率,对锗衬底的表面质量提出了更高的要求。研究了HF/H_(2)O_(2)/H_(2)O清洗液体系中氧化剂H_(2)O_(2)体积分数对锗衬底...
关键词：双氧水 锗衬底 表面质量 氧化态 X射线光电子能谱(XPS) 
硅溶胶抛光液对硅单晶抛光片表面质量的影响被引量：2
《半导体技术》2021年第10期788-794,共7页索开南 张伟才 杨洪星 郑万超 
硅抛光片表面质量除了受抛光工艺参数影响外,在很大程度上还受抛光液的影响。通过检测表面Haze值和粗糙度,研究硅抛光片表面形貌,分析不同抛光液对抛光片表面质量的影响,确定不同抛光阶段对抛光液的要求。研究结果表明粗抛光过程是以化...
关键词：硅抛光片 硅溶胶 抛光液 Haze值 粗糙度 
环境因素对锗单晶抛光片表面质量的影响
《半导体技术》2020年第11期880-885,共6页杨洪星 王雄龙 索开南 杨静 陈晨 
由于Ge材料具有较为活泼的化学性质,易与环境中的氧化剂发生化学反应,使Ge单晶抛光片表面质量因表面化学组成的变化而出现恶化,降低交付可靠性。通过实验验证了在氧化性氛围中,Ge单晶抛光片表面易产生雾,且随着时间延长而逐渐增多,直至...
关键词：Ge 抛光片 净化等级 化学气氛 表面质量 
不同直径InP晶锭混合加工技术
《半导体技术》2020年第5期390-395,408,共7页索开南 杨洪星 张伟才 史艳磊 徐森锋 孙聂枫 刘惠生 
国家自然科学基金面上项目(51871202);国家自然科学基金青年基金资助项目(51401186)。
通过改进InP晶锭加工流程的设计,明显提高了直径不均匀或者含有多晶或孪晶晶锭的出片量。与传统半导体材料晶锭加工流程相比,采用本加工技术加工晶锭的最终出片面积至少能够提高20%,在某些情况下能达到50%以上。为了验证该加工流程对晶...
关键词：INP 激光切割 混合加工技术 标准直径 出片面积 
晶片厚度测试仪的测量能力指数探讨被引量：1
《电子工业专用设备》2019年第4期42-46,共5页杨洪星 杨静 张颖武 韩焕鹏 
以电容法厚度测试仪器为例,分析了厚度标准样片、重复性、环境温度变化以及厚度公差对测量能力指数的影响。结果表明,尽可能地降低测试环境的温度变化、选用高质量的厚度标准样片能够使得厚度测试仪器具有较高的测量能力指数;最后对准...
关键词：晶片 测量能力指数 扩展不确定度 
磨削方式对锗片边缘质量的影响
《电源技术》2019年第7期1157-1160,共4页何远东 张伟才 杨洪星 韩焕鹏 
锗衬底主要用于制备多结砷化镓太阳电池,随着100 mm锗衬底材料厚度的进一步降低,减薄加工过程中极容易造成表面损伤及崩边,导致加工碎片率的上升。研究了精密磨削加工中的锗片边缘质量控制,探究了顺磨、逆磨两种不同磨削减薄方式对锗片...
关键词：锗片 减薄 磨削 内应力 边缘质量 
钽酸锂单晶片几何参数控制技术研究被引量：1
《压电与声光》2018年第6期847-850,共4页杨洪星 王雄龙 杨静 范红娜 李明佳 
钽酸锂单晶材料具有良好的压电性能,是制作声表面波器件的理想衬底材料之一。该文从化学腐蚀、磨料粒径和粘蜡工艺3方面进行研究,钽酸锂单晶片的几何参数得到有效控制,最终得到了几何参数优越的钽酸锂单晶抛光片。其中总厚度变化(TTV)≤...
关键词：钽酸锂 几何参数 化学腐蚀 研磨 抛光 
圆片级封装用玻璃通孔晶片的减薄工艺被引量：1
《微纳电子技术》2018年第9期694-699,共6页杨静 韩焕鹏 杨洪星 王雄龙 张伟才 
对圆片级封装用玻璃通孔（TGV）晶片的减薄加工工艺进行了研究并最终确定出工艺路线。该减薄加工工艺主要包括机械研磨及化学机械抛光（CMP）过程。通过机械研磨,玻璃通孔晶片的残余玻璃层及硅层得到有效去除,整个晶片的平整度显著提高...
关键词：玻璃通孔(TGV)晶片 机械研磨 化学机械抛光(CMP) 平整度 粗糙度 
SiC微粉粒径对干法背面软损伤工艺影响
《电子工艺技术》2018年第4期191-194,共4页张伟才 王雄龙 杨洪星 杨静 李明佳 
以SiC微粉为媒介对硅晶片进行干法背面软损伤,而后对晶片进行抛光清洗及热处理。以制备的抛光片表面颗粒度、氧化雾和氧化诱生堆垛层错为评价指标,研究了不同粒径的SiC微粉对干法背面软损伤工艺的影响。实验结果表明,SiC微粉粒径对干法...
关键词：硅晶片 干法喷砂 背面软损伤 粒径 氧化诱生堆垛层错 
MEMS用硅片的磨削工艺研究被引量：1
《电子工业专用设备》2018年第4期10-13,共4页杨静 王雄龙 韩焕鹏 杨洪星 李明佳 张伟才 
基于MEMS用硅片的特点,分析了自旋转磨削工艺对其加工的影响。分别从磨料粒度、主轴转速、砂轮轴向进给速度几个方面对MEMS用硅片的磨削工艺参数进行了优化设计。结果表明,磨料粒度大小直接影响磨削硅片表面的粗糙度,随着磨料粒度的减小...
关键词：磨削 磨料粒度 主轴转速 进给速度 
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