硅单晶

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环球科技
《中国高新区》2025年第3期13-13,共1页
我国在高温超导圖空硅单晶生长技术领域获突破3月15日,由中国电工技术学会主持、宁夏超导泛科技有限责任公司(以下简称“宁夏超导泛科技”)牵头组织的“高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用科技成果鉴定会”在宁夏银川市举办。据介...
关键词：鉴定会 生长技术 磁控硅单晶 科技成果 
大尺寸半导体硅单晶品质管控理论与技术的挑战与对策
《科学通报》2025年第4期544-548,共5页马向阳 原帅 赵统 杨德仁 
国家自然科学基金(62174145)资助
硅片作为基础材料,支撑了集成电路产业在过去半个多世纪一直遵循摩尔定律的发展,并仍将在可预见的将来继续发挥无可替代的作用.集成电路用大尺寸(如:直径300 mm)硅片包括抛光片和外延片两大类,前者是由直拉法生长的大尺寸硅单晶经过切...
关键词：集成电路 硅单晶 外延工艺 抛光片 外延片 线宽 摩尔定律 半导体 
硅单晶退火后的红外光学性能及其影响因素的研究
《光学技术》2025年第1期43-48,共6页马远飞 姜信驰 张栩 陈志豪 吕超 林泉 
河北省“三三三人才工程”资助项目(C20231166);河北省军民融合创新项目(SJMYF202307);河北省自然科学基金项目(F2022103002)。
硅单晶的光学特性对于中短波红外探测系统的性能至关重要,对航天技术的进步具有重要的影响。文章聚焦于直拉法制备硅单晶过程中由于温度梯度引起的热应力问题,以及热应力对硅单晶光学不均匀的影响。通过对比未退火、慢退火和快退火三种...
关键词：硅单晶 退火 应力双折射 光学均匀性 
大尺寸直拉硅单晶生长的多物理场建模与优化
《人工晶体学报》2025年第1期17-33,共17页林海鑫 高德东 王珊 张振忠 安燕 张文永 
宜宾市科技局项目(2023YG02);西宁市科技局重大科技项目(2022-Z-03);青海省科技厅项目(2023-GX-C03)。
随着光伏和半导体行业的快速发展,制备更大直径(12英寸及以上,1英寸=2.54 cm)的硅单晶成为趋势,直拉法作为硅单晶最主要的制备方法备受重视。然而在制备大直径和高质量的直拉硅单晶的过程中,随着晶体直径和坩埚尺寸的增加,熔体体积显著...
关键词：硅单晶 直拉法 二维轴对称 有限元法 工艺参数 数值模拟 数字化模型 
溶液法生长碳化硅单晶的位错转换研究进展
《材料导报》2024年第S02期56-62,共7页苏奕霖 米国发 
碳化硅作为第三代半导体的代表,具有宽禁带、饱和电子漂移速度快等特性,在高温以及大功率器件等领域具有应用前景。由于溶液法SiC晶体生长过程接近热力学平衡,生长时会发生TSDs与TEDs向BPDs或SFs转换,并随着生长的进行从晶体边缘排出,...
关键词：溶液法 碳化硅 晶体生长 位错转换 
硅多晶基磷检验中硼和碳的引入分析
《云南化工》2024年第10期131-133,共3页徐顺波 袁秋月 谢佳均 贾琳 吴麟 肖翔东 
硅多晶作为超高纯半导体原材料,需要按照标准对其杂质进行检测,从而判定质量等级决定其最终用途。文章通过分析磷基制样过程中硼和碳杂质的情况,探讨了可能引入杂质的来源,并给出了控制建议以达到提高分析结果准确性的目的。
关键词：硅多晶 样芯 硅单晶 硼 碳 分析 
一种埋层电阻率波动解决方案
《中国科技信息》2024年第12期105-107,共3页尤晓杰 王银海 李博源 
随着智能制造、车载电子以及高性能电子产品等新兴产业的快速发展,高稳定性、低功率消耗的双极集成电路(Bipolar IC)需求越来越大。双极集成电路以NPN或PNP型晶体管为基础,需要在已经制作有埋层的硅单晶衬底上进行外延生长。硅外延生长...
关键词：双极集成电路 外延生长 电子产品 埋层 硅单晶 智能制造 晶向 硅外延 
顶部籽晶溶液法生长碳化硅单晶及其关键问题研究进展
《人工晶体学报》2024年第5期741-759,共19页顾鹏 雷沛 叶帅 胡晋 吴戈 
因其优异的物理特性,第三代半导体碳化硅(SiC)材料在高温、高频、高压及大功率电力电子器件和射频微波器件领域具有非常明确的应用前景。受限于自身技术特点,利用传统的物理气相输运(PVT)法制备SiC晶体仍面临许多技术挑战,难以满足当前...
关键词：第三代半导体 碳化硅单晶 顶部籽晶溶液法 晶体形貌 台阶聚集 溶剂包裹 人工智能 
800 V充电平台中SiC材料的应用及发展趋势
《电子工艺技术》2024年第2期5-9,共5页靳霄曦 徐桂英 毛开礼 李斌 魏汝省 张瑾 
山西省科技重大专项计划资助项目(20210103020001)。
SiC功率器件具有优异的性能,已经成为高端新能源汽车的核心部件,并随着应用成本的降低在逐步取代传统的Si基器件。然而,SiC单晶生长的参数可控性差、成本高、扩径难度大,它的市场渗透受到制约。当前对于SiC材料的投资非常火热,国内也有...
关键词：碳化硅单晶 新能源汽车 800 V充电平台 节能减排 
液相法碳化硅单晶生长技术研究进展综述
《中国粉体工业》2024年第2期13-15,共3页张露 
SiC作为重要的第三代半导体材料,具有热导率高、耐高温、抗辐射等优异的性能,主要应用于智能电网、电动汽车、高速列车、先进雷达等领域,是各个国家优先发展的重要材料。目前,PVT技术在制造大尺寸SiC晶体及降低成本方面正面临严峻挑战,...
关键词：液相法 碳化硅单晶 长晶技术 
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