直拉法

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一种直拉法法对单晶硅进行生产的设备结构设计
《机电产品开发与创新》2025年第2期49-52,共4页宋艳玲 王永宁 
单晶硅通常是指硅原子以一种排列形式形成的物质,当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则形成单晶硅;如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则形成多晶硅。单晶硅是晶体材料重要...
关键词：单晶硅 多晶硅 单晶炉 
大尺寸光伏单晶硅制备技术研究进展
《太阳能学报》2025年第3期310-319,共10页康家铭 黄振玲 李太 赵亮 周翔 吕国强 
云南省重点研发项目(202002AB080030,202103AA080003);云南省科技重大专项(202102AB080016,202202AG050012);云南省科技计划项目(202302AD080008)。
针对现有大尺寸光伏级单晶硅多次装料拉晶技术(RCZ)、炉外加料技术(OCZ)、连续装料拉晶技术(CCZ)等制备技术的研究现状及特点进行归纳总结,对比分析几种光伏单晶硅制备技术在大尺寸、高品质、低成本方面的优势和难点,并结合未来硅料来...
关键词：单晶硅 硅片 坩埚 太阳电池 直拉法 
磁控直拉法单晶硅熔料阶段氧碳杂质传输仿真研究
《山东化工》2025年第4期1-5,11,共6页张文永 高德东 王珊 安燕 吴昊昊 林海鑫 侯霖 
青海省科技厅项目(2023-GX-C03);宜宾市科技局项目(2023YG02);西宁市科技局重大科技专项(2022-Z-03)(2021-Y-01)。
18 in单晶硅熔料阶段,仅靠调节加热器功率,难以进一步降低硅熔体氧碳杂质含量,致使晶棒头部含氧量和尾部含碳量偏高。基于拉晶工艺参数和环境参数建立晶体生长二维数字化模型,模拟多场耦合下的磁控直拉法单晶炉内氧碳杂质浓度场分布,研...
关键词：多场耦合 磁控直拉法 氧碳杂质 单晶硅 
2英寸Fe掺杂高阻β相氧化镓单晶生长及(010)衬底性质研究
《人工晶体学报》2025年第2期197-201,共5页严宇超 王琤 陆昌程 刘莹莹 夏宁 金竹 张辉 杨德仁 
浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划(2023C01193);中央高校基本科研业务费(226-2022-00200,226-2022-00250);博士后创新人才支持计划(BX20220264);国家青年拔尖人才支持计划;杭州市领军型创新创业团队引进培育计划(TD2022012)。
本文使用直拉法制备了Fe掺杂的大尺寸β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶,加工制备了高质量的2英寸(1英寸=2.54 cm)(010)衬底,并对衬底的结晶质量、加工质量与电学性质进行了研究。偏光应力仪下的均匀图像表明该衬底无孪晶、裂纹等宏观缺陷...
关键词：氧化镓 宽禁带半导体 晶体生长 直拉法 单晶衬底 掺杂 
大尺寸直拉硅单晶生长的多物理场建模与优化
《人工晶体学报》2025年第1期17-33,共17页林海鑫 高德东 王珊 张振忠 安燕 张文永 
宜宾市科技局项目(2023YG02);西宁市科技局重大科技项目(2022-Z-03);青海省科技厅项目(2023-GX-C03)。
随着光伏和半导体行业的快速发展,制备更大直径(12英寸及以上,1英寸=2.54 cm)的硅单晶成为趋势,直拉法作为硅单晶最主要的制备方法备受重视。然而在制备大直径和高质量的直拉硅单晶的过程中,随着晶体直径和坩埚尺寸的增加,熔体体积显著...
关键词：硅单晶 直拉法 二维轴对称 有限元法 工艺参数 数值模拟 数字化模型 
InSb晶体生长模拟仿真技术现状及展望
《激光与红外》2024年第12期1807-1814,共8页杨文博 赵超 董涛 折伟林 邢伟荣 
计算机模拟仿真技术是提升直拉法生长的大直径InSb单晶质量、降低晶体制备成本的有效工具。现在市面上投入使用的模拟仿真软件种类众多,而用于InSb晶体生长的模拟案例很少。通过对已有使用案例的分析可以获知各型软件的特点,分析对比各...
关键词：INSB 晶体生长 模拟 直拉法 
直拉法单晶硅生长原理、工艺及展望被引量：2
《材料导报》2024年第9期1-13,共13页王正省 任永生 马文会 吕国强 曾毅 詹曙 陈辉 王哲 
云南省科技厅重大研发计划基金(202103AA080010,202102AB080016);国家自然科学基金青年基金(52104303);云南省科技厅-昆明理工大学创建“双一流”联合基金面上项目(202201BE070001-045);国家自然科学基金云南联合基金项目(U1702251);北京科技大学钢铁冶金新技术国家重点实验室基金项目(KK21-07)。
碳达峰、碳中和理念提出后,太阳能作为一种可再生绿色能源备受关注。单晶硅作为主要的光伏材料,其质量决定着太阳能电池效率的高低,为了降低成本和提高产能,人们对单晶硅提出越来越高的要求。直拉法(CZ法)是单晶硅的主要制备方法,其生...
关键词：直拉法 单晶硅 大尺寸 薄片化 热场 太阳能 
直拉单晶硅中的缺陷形成机理及控制方法被引量：2
《山东化工》2023年第17期101-103,106,共4页芮阳 王黎光 熊欢 曹启刚 闫龙 杨少林 
2022年宁夏回族自治区重点研发计划项目(2022BFE02007);2022年银川市校企联合创新专项重大重点项目(2022XQZD007)。
半导体级单晶硅作为半导体产业链中的重要原材料,其杂质、缺陷等品质对电子器件和集成电路的性能起着至关重要的作用。单晶硅生长和加工过程都不可避免地会形成各种缺陷。鉴于直拉法是目前主流的单晶硅制造方法,针对直拉法半导体级单晶...
关键词：直拉法 半导体级单晶硅 缺陷 形成机理 控制方法 
横向磁场下坩埚转速对半导体级直拉单晶硅熔体中流场与氧浓度的影响机制被引量：1
《人工晶体学报》2023年第9期1641-1650,共10页王黎光 芮阳 盛旺 马吟霜 马成 陈炜南 邹啟鹏 杜朋轩 黄柳青 罗学涛 
宁夏回族自治区重点研发计划(2022BFE02007);深圳市基础研究面上项目(JCYJ20210324121813037)。
利用ANSYS有限元软件分析了横向磁场下不同坩埚转速对200 mm半导体级直拉单晶硅的流场及氧浓度的影响。研究结果表明:在横向磁场下,硅熔体的流场和氧浓度分布呈三维非对称性,熔体对流形式主要包括泰勒-普劳德曼漩涡、浮力-热毛细漩涡及...
关键词：ANSYS有限元分析 200 mm半导体级单晶硅 直拉法 坩埚转速 流场 氧浓度 
直拉法单晶硅中位错影响因素的研究进展
《山西化工》2023年第7期8-10,共3页吕涛 张波 罗晓斌 郭卫 
山西省重点研发计划项目(202202060301015);山西省科技成果转化引导专项(202204021301070)。
针对直拉法单晶硅中位错影响因素研究进展进行总结分析,在直拉法单晶硅中的位错形成以及运动机理进行介绍的前提条件下,对直拉法单晶硅生长过程当中的固液界面、籽晶热冲击、晶体直径以及杂质等因素对其位错的影响进行了归纳,并进一步...
关键词：直拉法 单晶硅 位错影响因素 
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