液相法碳化硅单晶生长技术研究进展综述  

作　　者：张露 

机构地区：[1]不详

出　　处：《中国粉体工业》2024年第2期13-15,共3页China Powder Industry

摘　　要：SiC作为重要的第三代半导体材料,具有热导率高、耐高温、抗辐射等优异的性能,主要应用于智能电网、电动汽车、高速列车、先进雷达等领域,是各个国家优先发展的重要材料。目前,PVT技术在制造大尺寸SiC晶体及降低成本方面正面临严峻挑战,因此,业界开始将目光转向液相法,力图在这一领域取得突破。本文综述了SiC单晶技术研发过程,并对液相法生长SiC晶体中的一些关键因素进行研究。

关 键 词：液相法 碳化硅单晶 长晶技术 

分 类 号：TB3[一般工业技术—材料科学与工程]