碳化硅单晶

作品数：71被引量：70H指数：5
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溶液法生长碳化硅单晶的位错转换研究进展
《材料导报》2024年第S02期56-62,共7页苏奕霖 米国发 
碳化硅作为第三代半导体的代表,具有宽禁带、饱和电子漂移速度快等特性,在高温以及大功率器件等领域具有应用前景。由于溶液法SiC晶体生长过程接近热力学平衡,生长时会发生TSDs与TEDs向BPDs或SFs转换,并随着生长的进行从晶体边缘排出,...
关键词：溶液法 碳化硅 晶体生长 位错转换 
顶部籽晶溶液法生长碳化硅单晶及其关键问题研究进展
《人工晶体学报》2024年第5期741-759,共19页顾鹏 雷沛 叶帅 胡晋 吴戈 
因其优异的物理特性,第三代半导体碳化硅(SiC)材料在高温、高频、高压及大功率电力电子器件和射频微波器件领域具有非常明确的应用前景。受限于自身技术特点,利用传统的物理气相输运(PVT)法制备SiC晶体仍面临许多技术挑战,难以满足当前...
关键词：第三代半导体 碳化硅单晶 顶部籽晶溶液法 晶体形貌 台阶聚集 溶剂包裹 人工智能 
800 V充电平台中SiC材料的应用及发展趋势
《电子工艺技术》2024年第2期5-9,共5页靳霄曦 徐桂英 毛开礼 李斌 魏汝省 张瑾 
山西省科技重大专项计划资助项目(20210103020001)。
SiC功率器件具有优异的性能,已经成为高端新能源汽车的核心部件,并随着应用成本的降低在逐步取代传统的Si基器件。然而,SiC单晶生长的参数可控性差、成本高、扩径难度大,它的市场渗透受到制约。当前对于SiC材料的投资非常火热,国内也有...
关键词：碳化硅单晶 新能源汽车 800 V充电平台 节能减排 
液相法碳化硅单晶生长技术研究进展综述
《中国粉体工业》2024年第2期13-15,共3页张露 
SiC作为重要的第三代半导体材料,具有热导率高、耐高温、抗辐射等优异的性能,主要应用于智能电网、电动汽车、高速列车、先进雷达等领域,是各个国家优先发展的重要材料。目前,PVT技术在制造大尺寸SiC晶体及降低成本方面正面临严峻挑战,...
关键词：液相法 碳化硅单晶 长晶技术 
高纯度碳化硅单晶粉料合成工艺被引量：1
《电子工艺技术》2024年第1期46-50,共5页王殿 郭立梅 王飞龙 李林高 
山西省科技重大专项计划(2021101030201002)。
从碳化硅晶体生长工艺理论角度分析碳化硅粉料合成的工艺机理,对国内合成工艺现状进行综述,分析粉料合成的物相、粒径、纯度以及氮含量对长晶工艺的影响,结合长晶试验理论结果,制定粉料合成的工艺目标。采用粉料原位合成方式获得0.5~2.0...
关键词：晶型控制 粒径控制 氮含量 
碳化硅单晶加工对晶片表面质量的影响
《材料科学与工程学报》2024年第1期9-13,共5页张序清 刘晓双 张玺 朱如忠 高煜 吴琛 王蓉 杨德仁 皮孝东 
浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划资助项目(2022C01021);国家重点研发计划资助项目(2018YFB2200101);国家自然科学基金重大研究计划资助项目(91964107)。
碳化硅(4H-SiC)晶片加工是制备高品质衬底晶圆的关键工艺,衬底晶圆的表面质量直接影响外延薄膜以及后续器件的性能。本研究通过对4H-SiC晶片经线切割、磨削、研磨、抛光等不同加工工序后对应的表面形貌、粗糙度、机械性质和晶体质量的分...
关键词：碳化硅 晶片加工 表面质量 各向异性 
6英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶电阻率均匀性被引量：1
《电子工艺技术》2023年第3期42-46,共5页樊元东 毛开礼 戴鑫 魏汝省 李天 李斌 
山西省科技重大专项计划资助项目(20201102012)。
GaN射频器件在通信基建上的大幅应用,推进了6英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶的产业化需求。随着晶体直径增大,6英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶存在易开裂、电阻率分布不匀的问题。利用有限元仿真设计,优化了热场分布,降低了晶体内热应力聚集,减少...
关键词：高纯半绝缘 碳化硅单晶 有限元仿真 电阻率均匀性 
我国碳化硅陶瓷产业创新发展路径研究——以宁夏为例
《中阿科技论坛（中英文）》2022年第11期1-9,共9页吴澜尔 
中国工程科技发展战略咨询研究项目“碳化硅基先进陶瓷产业发展战略研究”(2018ZLZX0006)。
碳化硅因其高硬度、高强度、高耐磨、高导热、耐腐蚀、抗冲蚀等特点,被广泛应用于航空航天、能源、环境、交通、信息技术等领域。宁夏具备碳化硅冶炼的资源与能源优势,在中国乃至全球碳化硅产业中都占据重要地位,但同时也存在产量大但...
关键词：碳化硅 产业发展 战略研究 高技术陶瓷 碳化硅单晶 
碳化硅单晶位错研究进展被引量：2
《人工晶体学报》2022年第11期1973-1982,共10页张家鑫 彭燕 陈秀芳 谢雪健 杨祥龙 胡小波 徐现刚 
SiC作为代表性的第三代半导体材料,具有优异的物理化学性能。随着材料及应用的发展,SiC衬底在航天电源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业电机等领域的应用日益重要。相比第一代半导体材料如Si和第二代半导体材料如GaAs而言,SiC衬底...
关键词：SIC 位错 位错形成原因 位错检测技术 位错密度降低方法 位错密度优化水平 
浙江大学50 mm厚6英寸碳化硅单晶生长获得成功
《粉末冶金工业》2022年第5期141-141,共1页编辑部 
浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下,成功生长出了厚度达到50 mm的6英寸碳化硅单晶。该重要进展意味着,碳化硅衬底成本有望大幅降低...
关键词：联合实验室 碳化硅衬底 碳化硅单晶 科创中心 研发项目 半导体 新契机 浙江大学 
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