检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:编辑部
机构地区:[1]不详
出 处:《粉末冶金工业》2022年第5期141-141,共1页Powder Metallurgy Industry
摘 要:浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下,成功生长出了厚度达到50 mm的6英寸碳化硅单晶。该重要进展意味着,碳化硅衬底成本有望大幅降低,半导体碳化硅产业发展或将迎来发展新契机。目前,国内碳化硅单晶的直径已经普遍能达到6英寸,但其厚度通常在20~30 mm之间,导致一个碳化硅晶锭切片所获得的碳化硅衬底片的数量相当有限。
关 键 词:联合实验室 碳化硅衬底 碳化硅单晶 科创中心 研发项目 半导体 新契机 浙江大学
分 类 号:TN304.24[电子电信—物理电子学]
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