浙江大学50 mm厚6英寸碳化硅单晶生长获得成功  

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作  者:编辑部 

机构地区:[1]不详

出  处:《粉末冶金工业》2022年第5期141-141,共1页Powder Metallurgy Industry

摘  要:浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下,成功生长出了厚度达到50 mm的6英寸碳化硅单晶。该重要进展意味着,碳化硅衬底成本有望大幅降低,半导体碳化硅产业发展或将迎来发展新契机。目前,国内碳化硅单晶的直径已经普遍能达到6英寸,但其厚度通常在20~30 mm之间,导致一个碳化硅晶锭切片所获得的碳化硅衬底片的数量相当有限。

关 键 词:联合实验室 碳化硅衬底 碳化硅单晶 科创中心 研发项目 半导体 新契机 浙江大学 

分 类 号:TN304.24[电子电信—物理电子学]

 

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