一种埋层电阻率波动解决方案  

作　　者：尤晓杰 王银海 李博源 

机构地区：[1]南京国盛电子有限公司

出　　处：《中国科技信息》2024年第12期105-107,共3页China Science and Technology Information

摘　　要：随着智能制造、车载电子以及高性能电子产品等新兴产业的快速发展,高稳定性、低功率消耗的双极集成电路(Bipolar IC)需求越来越大。双极集成电路以NPN或PNP型晶体管为基础,需要在已经制作有埋层的硅单晶衬底上进行外延生长。硅外延生长是指在单晶硅衬底的表面,利用二维相似性成核原理,沿着衬底晶向,通过控制淀积速度.

关 键 词：双极集成电路 外延生长 电子产品 埋层 硅单晶 智能制造 晶向 硅外延 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]