检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:董军恒[1] 高丹[1] DONG Junheng;GAO Dan(The 46th Research of CETC,Tianjin 300220,China)
机构地区:[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220
出 处:《天津科技》2018年第6期76-78,共3页Tianjin Science & Technology
摘 要:LPCVD设备是目前国内外半导体集成电路,半导体光电器件制备工艺中常用的CVD设备之一。简要分析正硅酸乙酯源低压化学气相淀积法淀积SiO_2膜过程中产生的问题,并根据实际使用的经验,对低压化学气相淀积法设备在生产过程中出现的问题进行讨论,分析和总结其维护及保养措施。In this paper,the method of LPCVD with TEOS source deposition problems in the process of SiO_2 membrane was briefly analyzed. According to the experience of the actual use,this paper discusses some problems in the process of LPCVD production,analyzes and summarizes its maintenance.
关 键 词:低压化学气相淀积法设备 淀积速率 均匀性 真空度
分 类 号:TN304.05[电子电信—物理电子学]
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