李贝

作品数：5被引量：4H指数：1
导出分析报告
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
发文主题：表面光电压铁离子沾污电荷耦合器件硅片清洗更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体光电》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
LPCVD氮化硅淀积工艺铁离子沾污研究
《半导体光电》2015年第1期63-65,70,共4页廖乃镘 赵志国 阙蔺兰 向华兵 李贝 李仁豪 
采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明,在氮化硅淀积工艺中,NH3和SiH2Cl2气体是Fe离子沾污的主要来源。通过对氮气进一步纯化处理、提高NH3和SiH2Cl2气体纯度和更换传输气体的金属...
关键词：铁离子沾污 氮化硅 低压化学气相淀积 表面光电压 
表面光电压法研究氧化工艺铁离子沾污
《半导体光电》2013年第4期600-602,606,共4页廖乃镘 林海青 向华兵 李贝 李仁豪 
表面光电压法(SPV)能精确测量硅片的Fe离子浓度,是一种快速、非破坏性的高灵敏度测试方法。采用表面光电压技术研究了氧化工艺中的Fe离子沾污。研究表明,氧气、氮气、三氯乙烯中含有的微量杂质是氧化工艺中Fe离子沾污的主要来源。通过...
关键词：电荷耦合器件 氧化工艺 Fe离子沾污 表面光电压 
一种新的微透镜阵列制作技术
《半导体光电》2012年第2期197-200,共4页向鹏飞 李贝 袁安波 
介绍了一种利用光刻、等离子体刻蚀和高温热熔等工艺在PMMA材料上制作折射微透镜的新方法,该方法具有刻蚀工艺容差大、热熔后球冠形貌好、易于和CCD实现工艺集成等优点。经过对各个工艺参数的优化实验,制备出了具有良好球冠形貌的微透...
关键词：微透镜 光刻 刻蚀 热熔 
减少硅片湿法清洗工艺铁离子沾污研究被引量：3
《半导体光电》2011年第4期509-512,共4页廖乃镘 龙飞 罗春林 雷仁方 李贝 李仁豪 
为了研制出高性能电荷耦合器件(CCD),减少硅片清洗工艺Fe离子沾污是关键。利用表面光电压(SPV)法,研究了硅片清洗过程的Fe离子沾污。研究表明,SPM(H2SO4/H2O2)→SC-1清洗,去除Fe离子污染的效果比较差;用SPM→SC-1→SC-2清洗,去除Fe离子...
关键词：硅片清洗 铁沾污 电荷耦合器件 表面光电压 
光刻胶斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响被引量：1
《半导体光电》2008年第6期893-895,共3页刘方 汪凌 袁安波 唐利 李贝 
中国电子科技集团公司CCD研发中心基础技术基金项目(200762501G01)
分析了光刻图形侧墙斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响。采用工艺实验测定了斜坡处不同光刻胶厚度屏蔽离子注入的效率,并通过工艺监测确定g线光刻的图形侧墙斜坡角度。定量分析了g线光刻典型的斜坡角度下图形侧墙对离子注入后图形特...
关键词：斜坡角度 离子注入 特征尺寸 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部